ApostilaEletronica 05agosto2018

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Eletrônica 1 
EL5410 / NE6410 
 
 
Apostila de Laboratório 
 
 
 
 
 
 
 
Atualizado em: agosto/2018
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Sumário 
 
PLANO DE ENSINO - EL5410/ NE6410 ........................................................................................................ 3 
Informações sobre as Aulas Práticas ......................................................................................................... 5 
Aula 1: Teoria: Características de Formas de Ondas ................................................................................... 6 
Anexo: Leitura do Código de Cores de Resistores ...................................................................................... 8 
Pré-relatório 1 ......................................................................................................................................... 9 
1a Experiência: Uso de Instrumentos: O Voltímetro CC / CA e o Osciloscópio ........................................... 11 
Pré-relatório 2 ....................................................................................................................................... 15 
2a Experiência: Curva do diodo e reta de carga ........................................................................................ 17 
Pré-relatório 3 ....................................................................................................................................... 21 
3a Experiência: Circuitos Retificadores .................................................................................................... 23 
Anexo da Experiência 3: Acoplamento do Osciloscópio ........................................................................... 26 
Pré-relatório 4 ....................................................................................................................................... 27 
4a Experiência: Diodo Zener .................................................................................................................... 29 
Pré-relatório 5 ....................................................................................................................................... 33 
5a Experiência: Circuitos com diodos ....................................................................................................... 37 
Pré-relatório 6 ....................................................................................................................................... 41 
6a Experiência: Polarização de Transistores Bipolares de Junção .............................................................. 43 
Pré-relatório 7 ....................................................................................................................................... 47 
7a Experiência: Amplificadores de pequenos sinais com TBJ .................................................................... 51 
Modelo para capa dos relatórios ............................................................................................................ 55 
 
 
 
3 
 
PLANO DE ENSINO - EL5410/ NE6410 
Data da última atualização: 01/2018 
 
1. CARGA HORÁRIA SEMANAL: Teoria (04); Prática (02) 
 
2. COORDENADOR: Profa. Dra. Michelly de Souza 
 
3. OBJETIVOS: 
Proporcionar aos alunos conhecimentos básicos de dispositivos semicondutores, através do entendimento do 
comportamento elétrico/físico dos dispositivos eletrônicos (Diodos e Transistores Bipolares de Junção –TBJ). 
Estudar o comportamento e particularidades, bem como aplicações destes dispositivos eletrônicos em 
projetos e circuitos aplicados. Implementar no laboratório os diversos circuitos estudados e analisados em 
sala de aula, onde serão realizadas caracterizações elétricas e confrontações com resultados esperados 
teoricamente. 
 
4. METODOLOGIA ADOTADA 
Aulas teóricas: Tratam-se de aulas expositivas, onde serão desenvolvidos tópicos teóricos com aplicações em 
exercícios desenvolvidos em sala de aula. 
Aulas práticas: Tratam-se de aulas desenvolvidas em laboratórios do Centro Universitário, onde serão 
implementados diversos circuitos vistos em sala de aula. Relatórios serão solicitados para cada um dos 
experimentos realizados, onde serão reportados resultados experimentais bem como discussões sobre os 
mesmos. 
 
5. PROGRAMA 
Teoria (24 aulas): 
1. Apresentação do programa da disciplina; Diodos: Introdução, características do diodo ideal. Cap. 3 - p. 88 
a 92. 
2. Características elétricas do diodo de junção: Equação da corrente no diodo / exercícios. Cap. 3 – p. 93 a 
96. 
3. Análise de circuitos com diodos: Análise gráfica - reta de carga; exercícios. Modelos simplificados de 
diodos, exercícios. Cap. 3 – p. 96 e 97. 
4. Modelos Simplicados de diodo: continuação, exercícios. Cap 3 - p. 97 a 99. 
5. Circuitos retificadores: Diagrama de blocos de uma fonte de alimentação c.c.; Circuito retificador de meia 
onda; Retificadores de onda completa com tomada central e retificador em ponte; exercícios. Cap 3 - p. 
106 a 110. 
6. Circuitos retificadores: continuação. Cap 3 - p. 106 a 110. 
7. Retificador com capacitor de filtro: Circuito retificador de pico – ½ onda; exercícios. Cap 3 - p. 178 a 184. 
8. Diodo zener: Modelando o diodo zener; Projeto do regulador zener paralelo, exercícios. Cap. 3 – p. 110 a 
113. 
9. Circuitos limitadores, grampeadores e dobrador de tensão: Circuitos limitadores, Grampeadores, 
Dobrador de Tensão, exercícios. Cap 3 - p. 184 a 189. 
10. Operação física de diodos: Conceitos básicos de semicondutores. Junção PN na condição de circuito aberto 
Junção PN na condição de polarização reversa .Junção PN na região de ruptura; Junção PN na condição de 
polarização direta , exercícios. Cap. 3 - p. 118 a 123. 
11. Operação física de diodos: Junção PN na condição de polarização reversa, Junção PN na região de ruptura, 
Junção PN na condição de polarização direta, exercícios. Cap. 3 - p. 123 a 128 
12. Exercícios de Revisão – Capitulo 3. 
13. Transistores bipolares de junção: Estruturas e símbolos dos transistores bipolares de junção. Definição dos 
modos de operação (corte, ativo, saturação) do TBJ. Operação do TBJ npn no modo ativo: Equações das 
correntes. Modelos para grandes sinais operando no modo ativo. Estrutura dos transistores reais, 
exercícios. Cap. 5 – p. 235 a 244. 
4 
 
14. Transistor pnp: Polarização e modelos para grandes sinais para operação no modo ativo, exercícios. 
Simbologia e representação gráfica: Descrição dos símbolos utilizados e convenções. Análise gráfica das 
características / reta de carga , exercícios. Cap. 5 – p. 244 a 227. 
15. Análise cc: análise cc de circuitos com transistor TBJ exercícios. Cap. 5 – p. 263 a 271. 
16. Análise gráfica e polarização do TBJ: Análise gráfica, Polarização de transistores bipolares para projeto de 
circuitos discretos , exercícios. Cap. 5 – p. 259 a 262. 
17. Transistor como amplificador: O transistor bipolar de junção como amplificador de pequenos sinais. Cap. 
5 - p. 271 a 274. 
18. Modelo para pequenos sinais: O modelo Pi-Híbrido; Aplicação dos modelos equivalentes para pequenos 
sinais, exercícios. Cap. 5 – p. 275 a 279. 
19. Configurações básicas de amplificadores de estágio simples com TBJ: O amplificador em emissor comum, 
exercícios. Cap. 5 – p. 290 a 295. 
20. Continuação: O amplificador em emissor comum, exercícios. Cap. 5 – p. 290 a 295. 
21. Configurações básicas de amplificadores de estágio simples com TBJ: O amplificador em base comum, 
exercícios. Cap. 5 – p. 296 a 297. 
22. Configurações básicas de amplificadores de estágio simples com TBJ: O amplificador em coletor comum 
(seguidor de emissor), exercícios. Cap. 5 – p. 297a 301. 
23. Transistor como chave: corte/saturação, exercícios. Cap. 5 – p. 256 a 262.24. Exercícios de revisão. Capitulo 05. 
 
Laboratório – CLE (12 aulas): 
01. Teoria: Características de Formas de Ondas 
02. 1a Experiência: Uso de Instrumentos: O Osciloscópio e o Voltímetro CC e CA 
03. 2a Experiência: Curva do Diodo e Reta de Carga. 
04. 3a Experiência: Circuitos Retificadores com Carga Resistiva e Capacitor de Filtro 
05. 4a Experiência: Diodo Zener 
06. 5a Experiência: Circuitos Limitadores 
07. 6a Experiência: Circuitos Grampeador e Multiplicador de Tensão. 
08. 7a Experiência: Polarização de Transistores Bipolares de Junção – TBJ. 
09. 8a Experiência: Amplificador de Pequenos Sinais Utilizando o TBJ. 
10. Reposição / Prova Prática. 
11. Prova Prática. 
12. Prova Prática. 
 
 
6. CRITÉRIO DE AVALIAÇÃO 
MÉDIA FINAL: MF = MT*FL 
MÉDIA DE TEORIA: MT = ( 0,4*P1 + 0,6*P2 )*FT 
FATOR DE LABORATÓRIO: FL = ( PP*K*0,03 ) + 0,70 
 
P1,P2: Provas de teoria 
FT: Fator de teoria (0 < FT < 1,0; será subtraído 0,1 por atividade não entregue ou recusada) 
PP: Prova prática individual 
K: Fator de relatório (0 < K < 1,4 ; será subtraído 0,2 por atividade não entregue ou recusada) 
 
7. BIBLIOGRAFIA BÁSICA 
- Sedra, Adel S. Microeletrônica. 5. ed. Pearson Education do Brasil,. 2013. ISBN 9788576050223. 
- Boylestad, Robert L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 8. ed. Pearson Education do Brasil,. c2013. 
ISBN 9788564574212. 
- Bogart, Theodore F. Dispositivos e circuitos eletrônicos. Tradução da 3. ed. Makron,. 2001. ISBN 8534607214. 
 
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Informações sobre as Aulas Práticas 
 
Com o intuito de garantir um bom aproveitamento das aulas de laboratório, serão adotadas as seguintes 
normas de trabalho: 
1. Estudo prévio do tema e preenchimento de um pré-relatório. 
Antes de cada experiência recomenda-se que o aluno revise o conteúdo apresentado pelo professor de teoria. 
Sempre que possível, a aula teórica sobre um determinado tema será dada antes da realização da experiência. 
Isto auxiliará o aluno no preenchimento do pré-relatório, preparando-o para a aula prática. O pré-relatório 
individual deve ser entregue no início da aula de laboratório. A entrega do pré-relatório é necessária para a 
realização da experiência. 
2. Aulas práticas: 
Cada turma de laboratório será dividida em bancadas contendo, se possível, número igual de alunos. 
Toda experiência possui um roteiro. Leia-o atentamente. Qualquer dúvida durante a montagem do circuito, 
consulte o professor e peça orientação. 
Não ligue os circuitos às fontes de alimentação antes que eles sejam considerados completos e conferidos. 
Não realize modificações nos circuitos montados sem desligar previamente as fontes de alimentação. 
É importante que todas as informações relativas à experiência sejam anotadas de forma clara e ordenada, de 
tal forma que permita a elaboração do relatório das atividades experimentais realizadas. Estas anotações 
devem conter informações tais como: título da experiência, instrumentos utilizados, diagramas dos circuitos 
elétricos, resultados medidos/calculados, gráficos obtidos com as respectivas escalas. 
 3. Relatórios: 
Um relatório por bancada deve ser entregue na semana seguinte àquela em que foi realizada a experiência. 
Este trabalho objetiva desenvolver no aluno a organização, redação e apresentação de relatórios e conclusões, 
práticas utilizadas em sua futura vida profissional. 
Os relatórios devem ser redigidos em linguagem clara, concisa e objetiva, contendo os seguintes itens: 
- Capa contendo: Título da experiência, data de sua realização, número e nome dos alunos (usar a capa 
apresentada ao final desta apostila; 
- Objetivos da experiência; 
- Breve descrição do método experimental usado, incluindo os circuitos estudados, lista de instrumentos e 
material utilizados; 
- Apresentação dos resultados obtidos (tabelas, gráficos, cálculos, etc); 
- Análise dos resultados; 
- Conclusão, sumarizando a análise crítica dos resultados. 
Os relatórios serão corrigidos pelo professor e devolvidos com um dos seguintes conceitos: Aceito, Corrigir ou 
Recusado. Caso um relatório receba a avaliação “CORRIGIR”, os alunos terão uma semana para refazê-lo após 
sua devolução. A versão corrigida terá sua avaliação alterada para “ACEITO” ou “RECUSADO”. Cada relatório 
de experiência realizada e não entregue pelo aluno ou que receba avaliação “RECUSADO”, reduz o fator K de 
0,2. Relatórios copiados de outras bancadas/turmas serão recusados sem direito à correção. 
OBSERVAÇÕES: 
- Prestar atenção no objetivo da experiência e no que é pedido no roteiro. 
- Certifique-se de apresentar no relatório tudo o que foi solicitado. 
- Sempre coloque unidades nas grandezas medidas / calculadas, bem como nos eixos e títulos dos gráficos. 
- Não serão aceitas fotos/prints da tela do osciloscópio. 
- Procure fazer uma conclusão clara e coerente com a experiência, tendo como base o objetivo da mesma. 
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Aula 1: Teoria: Características de Formas de Ondas 
 
1. Objetivo: 
Estudo das principais características de uma forma de onda: 
- Valor de pico e amplitude 
- Valor de pico a pico 
- Determinação de valores médio e eficaz 
- Período 
 
2. Formas de onda periódicas: 
 
São aquelas para as quais f(t) = f(t +n.T), onde n é um número inteiro e T é o período (definido 
como T=1/f e sua unidade é o segundo – s). 
 
 
 
Figura 1 - Formas de onda periódicas. 
 
a) Valor médio: a tensão periódica y(t), de período T, tem valor médio 
 
𝒀𝒎𝒆𝒅 =
𝟏
𝑻
∫𝒚(𝒕)𝒅𝒕
𝑻
𝟎
 
 
b) Valor médio quadrático ou valor eficaz: 
Seja uma corrente i(t) aplicada em um resistor R, resultando em uma potência p(t) de valor 
médio P. Esta mesma potência P poderia ser produzida em R por uma corrente constante I. Diz-se, 
então, que a corrente i(t) tem um valor eficaz Ief (ou médio quadrático) equivalente a essa corrente 
constante I. O mesmo se aplica a tensões v(t), cujo valor eficaz é Vef. 
 
𝒀𝒆𝒇 = √
𝟏
𝑻
∫(𝒚(𝒕))
𝟐
𝒅𝒕
𝑻
𝟎
 
 
7 
 
c) Fator de forma: 
Dado pela relação entre o valor eficaz e o valor médio. É útil nos fatores de correção de alguns 
instrumentos de medidas. 
𝑭𝑭 =
𝒀𝒆𝒇
𝒀𝒎𝒆𝒅
=
√𝟏
𝑻∫ (𝒚
(𝒕))
𝟐
𝒅𝒕
𝑻
𝟎
𝟏
𝑻∫ 𝒚
(𝒕)𝒅𝒕
𝑻
𝟎
 
 
Para ondas senoidais, o fator de forma assume os seguintes valores: 
- 1,11 para retificação em onda completa 
- 2,22 para retificação em meia onda. 
 
 
3. Exercício de aplicação: 
Calcular os valores médio e eficaz da tensão proveniente da rede elétrica, sabendo-se que: T=2. e 
Vpp= 2Vmax. Em seguida, representar graficamente (com as respectivas cotas) os valores obtidos sobre 
o desenho da forma de onda. 
 
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Anexo: Leitura do Código de Cores de Resistores 
 
 
 
 
 
 
Cor 1a faixa 
Valor significativo 
2a faixa 
Valor significativo 
3a faixa 
Multiplicador 
4a faixa 
Tolerância 
Preto - 0 x100 - 
Marrom 1 1 x101 ± 1% 
Vermelho 2 2 x102 ± 2% 
Laranja 3 3 x103 - 
Amarelo 4 4 x104 - 
Verde 5 5 x105 - 
Azul 6 6 x106 - 
Violeta 7 7 x107 - 
Cinza 8 8 x108 - 
Branco 9 9 x109 - 
Ouro - - x10-2 ± 5% 
Prata - - x10-1 ± 10% 
Sem cor - - - ± 20% 
*valores expressos em ohms (Ω) 
 
Exemplos: 
- Marrom, preto, marrom, dourado: 100 / 5% 
- Verde, azul, vermelho, prata: 5600 / 10% ou 5,6k / 10% 
- Laranja, branco, violeta, prata: 390000000 / 10% ou 390M / 10% 
 
- 220 / 5%: vermelho, vermelho, marrom, dourado 
- 82k / 10%: cinza, vermelho, laranja, prata 
- 100M / 5%: marrom, preto, violeta, dourado 
 
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 Nº2° SEM/2018 
COD./ DISC.: EL5410 / NE6410 / Eletrônica I Pré-relatório 1 DATA: 
NOME: 
ASS.: TURMA: 
Instruções Gerais: 
1. Entrega individual no início da aula de Laboratório. 
2. Para a realização da experiência é obrigatória a entrega do pré-relatório. 
 
1. Desenhar um período completo de uma onda senoidal ( f=60Hz ) indicando, com suas respectivas cotas 
(eixos de tempo e tensão), os seguintes itens: valor médio Vmed, valor eficaz Vef e de pico Vp. 
 
2. Dadas as formas de ondas a seguir, calcule os seus respectivos valores médios e eficazes. De posse dos 
resultados, preencher a tabela abaixo: 
 
 
 
(a) (b) 
 
(c) (d) 
 
 Valor médio [V] Valor eficaz [V] 
(a) 
(b) 
(c) 
(d) 
 
 
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3. A partir da tabela de código de cores dos resistores vista em aula: 
 
a) Quais são as cores dos seguintes resistores? 
- 390 / 10% : ___________________________________________________________________ 
- 4k7 / 5% : ____________________________________________________________________ 
- 2M / 5% : ____________________________________________________________________ 
b) Qual o valor dos seguintes resistores? 
- marrom, preto, marrom, dourado: _____________________ 
- amarelo, violeta, laranja, prata: ________________________ 
- marrom, verde, verde, dourado: _______________________ 
 
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1a Experiência: Uso de Instrumentos: O Voltímetro CC / CA e o Osciloscópio 
 
1. Objetivo: 
- Familiarização e uso de instrumentos de medidas - voltímetros e osciloscópio - em circuitos 
operando em regime de corrente contínua (cc) e corrente alternada (ca). 
- Estudo e análise dos resultados provenientes das medidas realizadas através dos voltímetros 
digital e analógico e do osciloscópio utilizados em circuitos operando em regime cc e ca. 
 
2. Lista de material: 
- 01 Osciloscópio Tektronix com entrada USB com 02 pontas de prova 
- 01 Fonte Minipa simples e respectivos cabos de força e ligação banana-jacaré 
- 01 Multímetro Analógico com ponta de prova 
- 01 Multímetro Digital Minipa ET 2600 com ponta de prova 
- 01 transformador 110V x 6-0-6Vef 
- 06 cabos banana-banana 
 
3. Parte prática: 
Serão medidos os circuitos apresentados abaixo: 
 
 
 
(a) (b) (c) 
Figura 1 – Circuitos para medida de tensão com o auxílio de voltímetro e osciloscópio. 
Para cada um dos circuitos da Figura 1: 
a) medir a tensão VAB, com o auxílio dos multímetros analógico e digital, em escala cc, ca e cc + 
ca. 
b) medir a tensão VAB, com o auxílio do osciloscópio e traçar a curva v x t, indicando os valores 
notáveis. Medir os valores de Vpico, Vpico a pico, Vef Vmed, período e frequência. Ajustar o 
osciloscópio para a escala cc. 
 
4. Relatório: 
Elaborar o relatório, discutindo os resultados obtidos, incluindo as respostas às seguintes questões: 
a) A partir dos resultados apresentados na Figura 1(a), qual é o valor do fator de forma F.F. do 
instrumento analógico? 
b) Discutir os resultados obtidos, detalhando o uso de voltímetros analógico e digital nos 
regimes de operação cc e ca. 
c) Comentar sobre os resultados apresentados pelo osciloscópio. 
d) Comparar os três equipamentos, comentando sobre a indicação de uso de cada um. 
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5. Dados coletados: 
 
Circuito Fig.1(a) 
Equipamento Medida 
Multímetro 
Analógico 
VAB [V] escala cc 
VAB [V] escala ca 
Multímetro 
Digital 
VAB [V] escala cc 
VAB [V] escala ca 
Osciloscópio 
Vpico [ Vp ] 
Vpico a pico [ Vpp ] 
Vmédio [ V ] 
Vef [V] 
Período [ s ] 
Frequência [ Hz ] 
 
 
 
 
 
13 
 
Circuito Fig.1(b) 
Equipamento Medida 
Multímetro 
Analógico 
VAB [V] escala cc 
VAB [V] escala ca 
Multímetro 
Digital 
VAB [V] escala cc 
VAB [V] escala ca 
Osciloscópio 
Vpico [ Vp ] 
Vpico a pico [ Vpp ] 
Vmédio [ V ] 
Vef [V] 
Período [ s ] 
Frequência [ Hz ] 
 
 
 
 
 
14 
 
Circuito Fig.1(c) 
Equipamento Medida Circuito Fig.1(c) 
Multímetro 
Analógico 
VAB [V] escala cc 
VAB [V] escala ca 
Multímetro 
Digital 
VAB [V] escala cc 
VAB [V] escala ca 
VAB [V] escala cc+ca 
Osciloscópio 
Vpico [ Vp ] 
Vpico a pico [ Vpp ] 
Vmédio [ V ] 
Vef [V] 
Período [ s ] 
Frequência [ Hz ] 
 
 
 
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 Nº 
 
 2° SEM/2018 
COD./ DISC.: EL5410 / NE6410 / Eletrônica I Pré-relatório 2 DATA: 
NOME: 
ASS.: TURMA: 
Instruções Gerais: 
1. Entrega individual no início da aula de Laboratório. 
2. Para a realização da experiência é obrigatória a entrega do pré-relatório. 
Referências: Sedra, A. S. Microeletrônica. 5a ed, pp. 93 – 106 / R. L. Boylestad. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos, 8a ed, pp. 7 – 12. 
A respeito do diodo de junção pn: 
a) Esboce a curva IxV, indicando os pontos notáveis, suas regiões de operação e respectivas equações para 
cálculo da corrente (polarização direta e reversa); 
b) Para o circuito da figura abaixo, esboce a reta de carga sobreposta à curva do diodo, indicando os pontos 
notáveis (v. Sedra, A. S. Microeletrônica. 5a ed, p. 97, figura 3.11). 
 
16 
 
 
17 
 
2a Experiência: Curva do diodo e reta de carga 
 
1. Objetivo: 
- Levantamento experimental da curva característica do diodo nas condições de polarização direta 
e reversa. 
- Determinação do ponto de trabalho de um circuito com diodo através da análise gráfica. 
 
2. Lista de material: 
- 01 osciloscópio Tektronix com entrada USB, com 02 pontas de prova 
- 01 fonte Minipa simétrica e respectivos cabos de alimentação e ligação banana-jacaré 
- 02 multímetros digital e respectivas pontas de prova 
- 01 protoboard 
- 01 diodo 1N4004 ou equivalente 
- 01 potênciômetro 
- 01 resistor de 56 x 5W 
- 01 resistor de 27 e 100 x ¼ W 
 
3. Parte prática: 
 
3.1. Levantamento da curva IxV do diodo. 
a) Para a polarização direta, montar o circuito da figura 1. Anotar os valores obtidos de corrente 
e tensão no diodo, variando a posição do cursor do potenciômetro. Limitar a corrente máxima 
no diodo em 180mA. 
 
Figura 1 – Circuito de medida da curva I-V do diodo em polarização direta. 
 
b) Para a polarização reversa, montar o circuito da figura 2. Anotar os valores obtidos de corrente, 
variando a tensão de alimentação reversa de 0 a 60V, com passos de 5V. 
 
Figura 2 – Circuito de medida da curva I-V do diodo em polarização reversa. 
 
 
Fonte “cc” de 3V P1 + 
+ 
- 
- 
Fonte “cc” 
0 - 60V 
R=100k 
+ 
+ - 
- 
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3.2. Obtenção da reta de carga e determinação do ponto de trabalho (quiescente, Q). Será utilizado 
o circuito da apresentado na Figura 3, para RL=27 e 56. 
 
 
Figura 3 – Circuito para determinação do ponto de trabalho do diodo. 
 
Utilizando o protoboard, montar o circuito apresentado. Com o auxílio do multímetro, determinar o 
ponto quiescente para os dois valores de resistência fornecidos. O ponto quiescente será dado por 
I=VRL/RL e V=VD. 
 
4. Dados coletados: 
 
4.1. a) Levantamento da curva IxV do diodo – polarização direta. 
ID (sugerido) [A] VD (medido) [V] ID (medido) [A] 
0 µ 
10 µ 
50 µ 
100 µ 
500 µ 
1 m 
5 m 
10 m 
20 m 
30 m 
40 m 
50 m 
60 m 
70 m 
80 m 
90 m 
100 m 
120 m 
19130 m 
150 m 
160 m 
180 m 
 
 
4.1.b) Levantamento da curva IxV do diodo – polarização reversa. 
 
VD [V] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 
ID [A] 
 
4.2) Obtenção do ponto quiescente. 
 
RL (medido) [] VD [V] VRL [V] ID [A] 
 
 
 
5. Relatório: 
Elaborar o relatório, discutindo os resultados obtidos, incluindo as respostas às seguintes questões: 
 
5.1. Curva do diodo: 
a) Apresentar a curva IxV obtida experimentalmente (polarização direta e reserva no mesmo 
gráfico). 
b) A partir da curva IxV, determinar o modelo simplificado para o diodo em estudo (modelo de 
retas ou segmentos lineares), esboçando-o no mesmo gráfico (v. Sedra, A. S. 
Microeletrônica. 5a ed, p. 97 a 99) . 
c) Desenhar o modelo equivalente do diodo, indicando os valores notáveis (v. Sedra, A. S. 
Microeletrônica. 5a ed, p. 103). 
 
5.2. Determinação do ponto quiescente: 
a) Sobre a curva IxV do diodo polarizado diretamente, traçar as retas de carga do circuito 
medido, para os dois valores de resistência utilizados. A partir do cruzamento das retas com 
a curva IxV, determinar graficamente o ponto quiescente (v. Sedra, A. S. Microeletrônica. 5a 
ed, p. 97, figura 3.11). 
b) Comparar os valores do ponto quiescente obtidos graficamente (item 5.2.a) com aqueles 
medidos (item 3.2). Discutir os resultados. 
c) Comentar sobre a influência do valor da resistência sobre o ponto de trabalho. 
 
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21 
 
 
 
 Nº 
 
 2° SEM/2018 
COD./ DISC.: EL5410 / NE6410 / Eletrônica I Pré-relatório 3 DATA: 
NOME: 
ASS.: TURMA: 
Instruções Gerais: 
1. Entrega individual no início da aula de Laboratório. 
2. Para a realização da experiência é obrigatória a entrega do pré-relatório. 
Ref: Sedra, A.S. Microeletrônica. 5a ed, pp. 106 – 112 / R.L. Boylestad, Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos, 8a ed, pp. 53 – 58 e Apêndice B. 
Considere os seguintes retificadores e responda às questões abaixo: 
a) Retificador de meia onda; 
b) Retificador de onda completa – derivação central; 
c) Retificador de onda completa – em ponte. 
 
 
1. Qual circuito retificador apresenta o maior valor médio? Explique. 
 
2. Com relação a tensão máxima reversa (PIV), considerando a mesma tensão de pico no secundário do 
transformador para as 3 configurações, qual montagem necessita de uma maior atenção quanto a 
escolha do diodo a ser utilizado? Por quê? 
 
3. O que ocorre com a tensão quando um capacitor é colocado em paralelo com a carga, na saída do 
retificador? 
 
4. Nos retificadores com filtro capacitivo, o que acontece com a tensão de ripple se o valor do capacitor 
(ou da resistência de carga) for aumentado? Explique. 
 
 
22 
 
23 
 
3a Experiência: Circuitos Retificadores 
 
1. Objetivo: 
- Familiarização prática dos diversos circuitos retificadores estudados em sala de aula: 
retificadores de meia onda e onda completa. 
- Analisar as diversas formas de onda provenientes dos circuitos retificadores em estudo bem 
como a determinação dos valores médios e eficazes envolvidos em cada circuito. 
 
2. Lista de material: 
- 01 osciloscópio Tektronix com entrada USB, com 02 pontas de prova 
- 01 transformador 110V - 6-0-6Vef 
- 01 multímetro Digital Minipa ET 2700 com pontas de prova 
- 01 protoboard 
- 02 diodos 1N4004 ou equivalente 
- 01 ponte integrada de diodos 
- 02 resistores de 10  x 1 W 
- Resistores de 100; 330; 680; 820; 1 k; 1,5k e 3,3 k 
- Capacitores eletrolíticos 100F; 150F; 220F; 330F; 470F, 1000F e 2200F (16V ou superior) 
 
3. Parte prática: Serão medidos os seguintes circuitos retificadores: 
 
Nome Circuito Curvas 
(a) 
Retificador 
de meia 
onda 
 
VS 
VRS 
VD 
VRL 
 
(b) 
Retificador 
de onda 
completa 
(derivação 
central) 
 
VS1 
VS2 
VD1 
VD2 
VRL 
 
(c) 
Retificador 
de onda 
completa 
(ponte 
integrada) 
 
VS 
VD1 
VD2 
VRL 
 
Figura 1 – Circuitos retificadores. 
24 
 
3.1. Para cada um dos circuitos da Figura 1: 
a) com o auxílio do osciloscópio, apresentar as formas de onda das tensões indicadas na Figura 
1, indicando seus valores de pico e médio. Medir o PIV dos diodos em cada um dos circuitos. 
b) com o auxílio do multímetro, medir o valor médio de cada das tensões indicadas. 
c) adicionar um capacitor de 100 µF em paralelo com RL e com o auxílio do osciloscópio, 
desenhar a nova tensão sobre a carga (VRL’), indicando os valores médio e de pico a pico da 
ondulação (ripple, Vr) em cada um dos circuitos. 
 
3.2. Para o circuito da Figura 1(c): 
a) Fixando o valor de RL em 1kΩ, variar o valor do capacitor de filtro (pelo menos 3 valores) e 
medir o valor médio e a tensão de ripple. 
b) Fixando o valor de C em 100 µF, variar o valor da resistência de carga (pelo menos 3 valores) 
e medir o valor médio e a tensão de ripple. 
 
 
4. Dados coletados 
Item 3.1) Não esquecer de anotar/salvar as formas de onda obtidas através do osciloscópio. 
Circuito 1.a) Retificador de meia onda 
Item 3.1.a Osciloscópio PIV [V] 
Item 3.1.b 
Multímetro 
(valores 
médios) 
VS [V] 
VRS [V] 
VD [V] 
VRL [V] 
Item 3.1.c 
(com capacitor) 
Osciloscópio 
VRL’ [V] 
Vpp,ripple [V] 
 
Circuito 1.b) Retificador de onda completa (derivação central) 
Item 3.1.a Osciloscópio PIV [V] 
Item 3.1.b 
Multímetro 
(valores 
médios) 
VS1 [V] 
VS2 [V] 
VD1 [V] 
VD2 [V] 
VRL [V] 
Item 3.1.c 
(com capacitor) 
Osciloscópio 
VRL’ [V] 
Vpp,ripple [V] 
 
25 
 
Circuito 1.c) Retificador de onda completa 
Item 3.1.a Osciloscópio PIV [V] 
Item 3.1.b 
Multímetro 
(valores 
médios) 
VS [V] 
VRS [V] 
VD1 [V] 
VD2 [V] 
VRL [V] 
Item 3.1.c 
(com capacitor) 
Osciloscópio 
VRL’ [V] 
Vpp,ripple [V] 
 
Item 3.2) Anotar os valores da tensão média na carga e a tensão de ripple para os valores de 
resistências e capacitâncias escolhidos (apenas para o circuito da Figura 1c). 
Para RL = 1kΩ, variando C: 
C [µF] 
VRL’ [V] 
Vpp,ripple [mV] 
 
Para C = 100 µF, variando R: 
R [kΩ] 
VRL’ [V] 
Vpp,ripple [mV] 
 
5. Relatório 
Elaborar o relatório, apresentando os gráficos das curvas medidas e discutindo os resultados obtidos. 
Incluir na discussão as respostas às seguintes questões: 
5.1. Retificadores com carga resistiva: 
a) Qual circuito retificador apresenta o maior valor médio? Explique. 
b) Qual circuito apresenta maior tensão máxima reversa (PIV)? Comente. 
 
5.2. Retificadores com filtro capacitivo: 
a) Qual a função do capacitor em paralelo com a carga? 
b) Para o circuito da figura 1(c), traçar um gráfico da tensão de ripple em função dos valores de 
capacitância escolhidos. Comentar os resultados. 
c) Traçar um gráfico da tensão de ripple em função dos valores da resistência escolhidos. 
Comentar os resultados. 
26 
 
 
 
 
Anexo da Experiência 3: Acoplamento do Osciloscópio 
- DC: o sinal é aplicado diretamente para o circuito amplificador. 
- AC: há um capacitor entre a entrada e o amplificador (capacitor de desacoplamento). Sua função 
é eliminar offsets DC presentes no sinal. Pode ser útil para medir uma ondulação de baixa 
amplitude comparada ao valor DC do sinal. 
Exemplo: 
27 
 
 
 
 Nº2° SEM/2018 
COD./ DISC.: EL5410 / NE6410 / Eletrônica I Pré-relatório 4 DATA: 
NOME: 
ASS.: TURMA: 
Instruções Gerais: 
1. Entrega individual no início da aula de Laboratório. 
2. Para a realização da experiência é obrigatória a entrega do pré-relatório. 
Ref.: A. S. Sedra. Microeletrônica. 5a ed, pp. 132–135 / R.L. Boylestad, Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos, 8a ed, pp. 67 –70. 
1. Esboçar a característica I-V do diodo zener, detalhando a região de ruptura com os parâmetros que a 
descrevem. 
2. Desenhar o modelo de circuito equivalente para o diodo zener. 
3. Considere o regulador zener paralelo apresentado abaixo. Explicar qual a função do diodo zener no circuito 
apresentado. 
 
 
28 
 
29 
 
4a Experiência: Diodo Zener 
 
1. Objetivo: 
- Familiarização prática do diodo zener e aplicação em regulador zener paralelo (v. Sedra, A.S. 
Microeletrônica. 5a ed, pp. 132–134). 
- Extrair informações sobre o diodo zener: tensão zener VZ0 e a resistência zener rz. 
- Estudar o comportamento experimental do regulador zener paralelo. 
 
2. Lista de material: 
- 01 osciloscópio Tektronix com entrada USB, com 02 pontas de prova 
- 01 fonte Minipa simples e respectivos cabos de alimentação 
- 01 transformador 110V - 6-0-6Vef 
- 01 multímetro Digital Minipa ET 2700 com pontas de prova 
- 01 protoboard 
- 01 diodo zener 4735AP – 6,2V x 1W 
- 01 ponte integrada de diodos 
- 01 capacitor eletrolítico de 470F 
- Resistores de 56; 180 (1W) 
- Resistores de 100; 560; 56k 
 
3. Parte prática: Serão medidos os seguintes circuitos retificadores: 
 
3.1. Obtenção da curva IxV do diodo zener: 
a) Medir o valor real do resistor de 180 . 
b) Montar o circuito da figura 1. 
 
 
 
 
 
 
Figura 1 – Circuito para a caracterização elétrica do diodo zener. 
 
c) Variar a tensão VIN de 0 a 15V, com passos de 1V, e anotar os resultados medidos para as 
tensões V0 e VR. 
d) Calcular a corrente do diodo zener: 
medido
R
Z
R
V
I =
 
 
 
VIN 
0-15V 
Vo 
180
VR 
6,2V 
30 
 
3.2. Caracterização elétrica do regulador zener paralelo apresentado na Figura 2. 
 
 
Figura 2 – Regulador zener paralelo. 
 
a) Utilizando o protoboard, montar o circuito apresentado com RL=560Ω. Com o auxílio do 
osciloscópio, obter as curvas da tensão sobre o capacitor (VC) e sobre a carga (Vo). 
b) Alterar o valor do resistor e medir a tensão de ripple e o valor médio da tensão sobre a carga. 
 
4. Dados coletados: 
 
Item 3.1) Curva I-V do diodo zener 
 
Rmedido = _________________ 
VIN [V] Vo [V] VR [V] IZ = VR / R [mA] 
0 
1 
2 
3 
4 
5 
6 
7 
8 
9 
10 
11 
12 
13 
14 
15 
31 
 
Item 3.2) Caracterização elétrica do regulador zener paralelo 
 
 
 
 
 
 
 Vripple [Vpp] Vo [V] 
Item 3.2.b 
RL [Ω] 
∞ 
56k 
560 
100 
56 
 
 
32 
 
5. Relatório: 
Elaborar o relatório, discutindo os resultados obtidos: 
 
5.1. Curva do diodo zener: 
a) Apresentar a curva IxV obtida experimentalmente. 
b) A partir da curva experimental, extrair os valores de VZ0 e rZ. 
c) Desenhar o modelo de circuito equivalente do diodo zener. 
d) Comentar sobre o funcionamento do diodo zener quando polarizado diretamente. 
 
5.2. Caracterização elétrica do regulador zener paralelo: 
a) Apresentar as curvas medidas para a tensão sobre o capacitor e sobre a carga, 
sincronizadas no tempo, indicando seus pontos notáveis. 
b) Comentar sobre a influência do valor da resistência de carga sobre o funcionamento do 
regulador, mencionando o valor médio da saída e a tensão de ripple. 
 
 
33 
 
 
 
 Nº 
 
 2° SEM/2018 
COD./ DISC.: EL5410 / NE6410 / Eletrônica I Pré-relatório 5 DATA: 
NOME: 
ASS.: TURMA: 
Instruções Gerais: 
1. Entrega individual no início da aula de Laboratório. 
2. Para a realização da experiência é obrigatória a entrega do pré-relatório. 
 
Esboçar a tensão de saída dos circuitos abaixo, sincronizadamente com o sinal de entrada dado. Atentar para 
os valores de pico da tensão de entrada. Anotar, ao lado de cada figura, o tipo de circuito apresentado. 
Obs.: A tensão de condução direta, para qualquer um dos diodos dos circuitos, é de 0,7 V. Considere tensão 
Zener de 6V. 
 
 
 
Circuito: ________________________ 
 
 
 
 
34 
 
 
 
 
 
Circuito: __________________________ 
 
 
 
 
 
Circuito: _________________________ 
 
35 
 
 
 
 
 
 
Circuito: _________________________ 
VCC = 0V
 
VCC = 4V 
 
 
 
 
 
Circuito: ______________________ 
VCC = 4V 
 
 
36 
 
 
 
 
 
Circuito: ____________________ 
 
 
 37 
5a Experiência: Circuitos com diodos 
 
1. Objetivo: 
Familiarização prática de novas aplicações não lineares de circuitos utilizando diodos. 
 
2. Lista de material: 
 
- 01 Osciloscópio Tektronix 1072 com entrada USB, com 02 pontas de prova 
- 01 Fonte Minipa “simples” com seus respectivos cabos de força e banana-jacaré 
- 01 Gerador de funções com seus respectivos cabos 
- 01 Protoboard com fios para ligação 
- 06 cabos banana-banana 
- 02 diodos 1N4004 ou equivalente 
- 02 diodos zener 1N4734 – 5,6V x ½ W 
- 02 capacitores eletrolíticos de 22F x 25V 
- 01 capacitor cerâmico de 0,47F 
- 01 resistor de 4,7k 
 
3. Parte prática: 
3.1. Circuitos limitadores: 
3.1.a) Montar os circuitos da figura 1, alimentando-os com um gerador de funções, com uma tensão 
de entrada vI(t), com frequência igual a 5 kHz. 
3.1.b) Variar vI(t), monitorando simultaneamente com o osciloscópio as tensões vI(t) e vO(t). As 
amplitudes do sinal de entrada que devem ser aplicadas a cada circuito estão indicadas na figura 1. 
Apresentar as curvas obtidas, indicando os pontos notáveis. 
 
 
 
vI=2,0 e 8,0V 
 
 
 
 
 
 
vI=2,0 e 8,0V 
 
 38 
 
 
 
vI=1,0 e 4,0V 
 
Figura 1: Circuitos limitadores 
3.2. Circuito grampeador: 
3.2.a) Montar o circuito da figura 2, alimentando-o com um gerador de funções, com uma tensão de 
entrada vI(t) com amplitude de 3V e frequência de 5 kHz. 
3.2.b) Variar a tensão da fonte cc, monitorando simultaneamente com o osciloscópio as tensões vI(t) 
e vO(t). As tensões cc que devem ser aplicadas estão indicadas na figura 2. Apresentar as curvas 
obtidas, indicando os pontos notáveis. 
 
 
 
Tensão da fonte cc= 0 e 4V 
 
 
Figura 2: Circuito grampeador 
3.2.c) Inverter a posição do diodo e repetir o item 3.2.b para o nível de tensão igual a 4V. O que pode 
ser concluído? Discutir os resultados, comparando com os esperados teoricamente. 
 
3.3. Circuito Dobrador de Tensão: 
3.3.a) Montar o circuito da figura 3, alimentando-o com um gerador de funções, com uma tensão de 
entrada vI(t) com amplitude de 5V e frequência igual a 5 kHz. 
3.3.b) Medir as tensões v1(t), v2(t) e v3(t), e apresentá-las sincronizadas no tempo e com seus 
respectivos pontos notáveis. 
 
 
 
 39 
 
Figura 3: Circuito dobrador de tensão 
 
 
4. Relatório: 
 
Para cada um dos circuitos, explicar seu funcionamento e apresentar as tensões indicadas, 
sincronizadas no tempo. Discutir os resultados obtidos experimentalmente, comparando com os 
esperados teoricamente.40 
 
 41 
 
 
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 2° SEM/2018 
COD./ DISC.: EL5410 / NE6410 / Eletrônica I Pré-relatório 6 DATA: 
NOME: 
ASS.: TURMA: 
Instruções Gerais: 
1. Entrega individual no início da aula de Laboratório. 
2. Para a realização da experiência é obrigatória a entrega do pré-relatório. 
 
A partir do circuito indicado na Figura 1, foram obtidas as curvas apresentadas na Figura 2. 
 
 
 
Figura 1 – Circuito de polarização de base. 
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
0
5
10
15
20
25
30 IB=100A
I
B
=90A
I
B
=80A
I
B
=70A
I
B
=60A
I
B
=50A
I
B
=40A
I
B
=30A
I
B
=20A
I
B
=10A
I
B
=0A
 
I C
 [m
A
]
V
CE
 [V]
 
Figura 2 – Curvas IC versus VCE. 
 
 
Lembrando que: 
 
Região de Operação JEB JCB Comentários 
Corte Rev. Rev. Ou VBE < 0,5V. IB, IC e IE tendem a zero 
Ativa Dir. Rev. 
Ou VBE>0,5 e VCE≥ VBE. 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 𝐼𝐶 = 𝐼𝑆. 𝑒
𝑉𝐵𝐸
𝑉𝑇 ou 𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸 
Saturação Dir. Dir Ou VBE>0,5 e VCE< VBE.. Adota-se VCE Sat = 0,2V 
 
Obs.: Para transistores bipolares de junção PNP substitui-se VBE por VEB, VCE por VEC e VCE Sat por VEC Sat. 
 
 
 
 
 42 
a) Sobre as curvas IC vs VCE apresentadas abaixo, trace a reta de carga do circuito indicado na Figura 1. 
0.40 0.45 0.50 0.55 0.60 0.65
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
0
2
4
6
8
10
12
 
 
I B [A]
V
BE
 [V]
I
B
=30A
I
B
=20A 
 
I C [mA
]
V
CE
 [V]
I
B
=10A
 
 
b) Preencha a tabela abaixo. 
 
VBE [V] IB [A] IC [mA] VCE [V] Região de Operação 
 5,0 
 33 
0,45 
 43 
6a Experiência: Polarização de Transistores Bipolares de Junção 
 
1. Objetivos: 
- Familiarização prática de polarização de transistores bipolares de junção - TBJ. 
- Verificação experimental do comportamento relativo ao ponto quiescente Q em função da 
polarização do TBJ. 
 
2. Lista de material: 
 
- Analisador de parâmetros de dispositivos semicondutores Keithely 4200SCS. 
- 01 Fonte Minipa “simples” com seus respectivos cabos. 
- 01 Placa “Amplificadores de Pequenos Sinais”. 
- 01 Multímetro Digital Minipa ET 2020 com pontas de prova. 
- 06 cabos banana-banana. 
- 01 transistor BC 548B. 
- 01 resistor de 270 Ω 
- 01 resistor de 1 kΩ 
- 01 resistor de 6,8 kΩ 
- 01 resistor de 27 kΩ 
- 01 resistor de 100 kΩ 
- 01 resistor de 470 kΩ 
- 01 resistor de 680 kΩ 
- 01 resistor de 10 MΩ. 
 
3. Parte prática: 
 
3.1. Obtenção da curva IC x VCE do transistor bipolar de junção 
 
a) Usando um analisador de parâmetros de dispositivos semicondutores, traçar a curva IC x VCE, 
com 0 ≤ VCE ≤ 10V, com passos de 50 mV. Polarizar a base com corrente IB de 0 a 40 µA, com passos 
de 5 µA. 
 
 
 
 44 
3.2. Circuitos de polarização: 
 
3.2.1) Circuito de polarização de base: 
 
a) Montar o circuito da Figura 1, com RB=470 kΩ. 
b) Medir as tensões coletor-emissor (VCE), base-emissor (VBE) e as correntes de coletor (IC) e base 
(IB), preenchendo a tabela I. Repetir as medidas para RB igual a 100 kΩ e 10 MΩ. 
c) No relatório: sobre as curvas IC x VCE medidas no item 3.1, traçar a reta de carga de saída, 
destacando os pontos de operação Q para os três valores de RB utilizados. Analisar o que 
aconteceu com o ponto de trabalho do transistor (Q) com a variação de RB. 
 
Figura 1 - Circuito de polarização de base. 
 
Tabela I – Valores de tensão e corrente medidos para o circuito de polarização de base. 
 RB=470 kΩ RB=100 kΩ RB=10 MΩ 
Item 3.2.1.b) 
VCE [V] 
VBE [V] 
IC [mA] 
IB [µA] 
 
3.2.2) Circuito de polarização de base com realimentação de emissor: 
a) Montar o circuito da Figura 2, com RB=680 kΩ. 
b) Medir as tensões coletor-emissor (VCE), base-emissor (VBE) e as correntes de coletor (IC) e base 
(IB), preenchendo a tabela II. Repetir as medidas para RB igual a 100 kΩ e 10 MΩ. 
 45 
c) No relatório: sobre as curvas IC x VCE medidas no item 3.1, traçar a reta de carga de saída, 
destacando os pontos de operação Q para os três valores de RB utilizados. Analisar sobre o que 
aconteceu com o ponto de trabalho do transistor (Q) com a variação de RB. 
 
Figura 2 - Circuito de polarização de base com realimentação de emissor. 
 
Tabela II – Valores de tensão e corrente medidos para o circuito de polarização de base com 
realimentação de emissor. 
 RB=680 kΩ RB=100 kΩ RB=10 MΩ 
Item 3.2.2.b) 
VCE [V] 
VBE [V] 
IC [mA] 
IB [µA] 
 
 
3.2.3) Circuito de polarização por divisão de tensão: 
 
a) Montar o circuito da Figura 3, com RB1=100 kΩ e RB2=27 kΩ. 
b) Medir as tensões coletor-emissor (VCE), base-emissor (VBE) e as correntes de coletor (IC) e base 
(IB), preenchendo a tabela III. Repetir as medidas para RB2 igual a 6,8 kΩ e 10 MΩ. 
c) No relatório: sobre as curvas IC x VCE medidas no item 3.1, traçar a reta de carga de saída, 
destacando os pontos de operação Q para os três valores de RB2 utilizados. Analisar o que 
aconteceu com o ponto de trabalho do transistor (Q) com a variação de RB2. 
 
 46 
 
Figura 3 - Circuito de polarização por divisor de tensão. 
 
Tabela III – Valores de tensão e corrente medidos para o circuito de polarização de base. 
 RB2=27 kΩ RB=6,8 kΩ RB=10 MΩ 
Item 3.2.3.b) 
VCE [V] 
VBE [V] 
IC [mA] 
IB [µA] 
 
4. Relatório: 
Parte 1: 
Apresentar as curvas Ic x VCE do transistor, indicando as regiões ativa, de saturação e de corte. 
Comentar os resultados. 
Parte 2: 
Para cada um dos circuitos de polarização: 
a) Apresentar as tabelas com os valores de tensão e corrente medidos. 
 
b) Traçar a reta de carga de saída (incluir as curvas IC x VCE medidas no item 3.1 no mesmo gráfico), 
destacando os pontos de operação Q para os três valores de resistência utilizados (RB ou RB2). 
Comentar sobre o que aconteceu com o ponto de trabalho do transistor (Q) com a variação da 
resistência (transitor em região ativa, saturação ou corte). Comentar os resultados e explicar 
as conclusões. 
 47 
 
 
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NOME: 
ASS.: TURMA: 
Instruções Gerais: 
1. Entrega individual no início da aula de Laboratório. 
2. Para a realização da experiência é obrigatória a entrega do pré-relatório. 
 
1. Considere o amplificador ilustrado na Figura 1: 
Figura 1 – Amplificador emissor comum. 
 
a) Trace a reta de carga da malha de saída do amplificador. 
b) Para VCE,Q=4V, determine graficamente a corrente de coletor (IC,Q), a corrente de base (IB,Q) e a 
tensão entre base e emissor (VBE,Q). 
 
 
IC,Q [mA] 
 
IB,Q [A] 
 
VBE,Q [V] 
 
 
c) No gráfico IC x VCE, indique o limite entre a região ativa e a saturação, considerando o modelo de 
tensão constante, onde VBE=0,7 V. 
d) Esboce a curva do transistor indicando o ponto quiescente. 
 
VCC =+10V 
RC= 1k 
R 
10k 
 
 RB1=100kΩ 
 
 C1 
 0,47F 
10F 
C 
RL= 1k vo(t) 
RB2=27kΩ RE=200 CE=47F vI(t) 
 48 
0.40 0.45 0.50 0.55 0.60 0.65
0
510
15
20
25
30
35
40
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
0
2
4
6
8
10
12
 
 
I B [A]
V
BE
 [V]
 
 
I C [mA
]
V
CE
 [V]
 
 
2. Considere a curva IB x VBE e a reta de carga da malha de saída do amplificador ilustrado na Figura 1, apresentadas a seguir. 
 
a. Considerando a tensão aplicada à entrada do amplificador (onda triangular com Vpp =10 mV), esboce a curva da tensão de saída VCE em 
função do tempo. 
 
b. Com base nas curvas de entrada e saída do amplificador, calcule o ganho de tensão. Houve inversão de fase? Justifique. 
 
c. O acontece com o ganho do amplificador se o valor de RC for aumentado? 
 
 49 
 50 
 
 51 
7a Experiência: Amplificadores de pequenos sinais com TBJ 
 
1. Objetivos: 
- Familiarização prática de circuito amplificador de pequenos sinais utilizando transistor 
bipolar de junção – TBJ. 
- Caracterização elétrica do amplificador emissor comum. 
 
2. Lista de material: 
- 01 Osciloscópio Tektronix modelo 1072 com 02 pontas de prova 
- 01 Fonte Minipa simples com seus respectivos cabos 
- 01 Placa “Amplificadores de Pequenos Sinais” com fios para ligação 
- 01 gerador de funções com seus respectivos cabos. 
- 01 Multímetro Digital com pontas de prova 
- 06 cabos banana-banana 
- 01 transistor BC548B 
- 01 capacitor eletrolítico de 10F x 25V 
- 01 capacitor eletrolítico de 47F x 25V 
- 02 capacitores de 0, 47F x 25V 
- 02 resistores de 1k 
- 01 resistor de 200 , 4,7k , 10k, 27k e 100k 
 
3. Parte prática: 
3.1. Montar o circuito da figura 1. 
 
 
 
Figura 1 – Amplificador emissor comum. 
 
 
 
VCC =+10V 
RC= 1k 
R 
10k 
 
 RB1=100kΩ 
 
 C1 
 0,47F 
10F 
C 
RL= 1k vo(t) 
RB2=27kΩ RE=200 CE=47F vI(t) 
 52 
3.2. Sem aplicação do sinal de entrada, medir as tensões e correntes de polarização. No relatório, 
traçar a reta de carga e verificar se o ponto quiescente medido faz parte desta reta. 
 
Tabela I – Tensões e corrente de polarização do amplificador. 
 Valores Medidos 
VC [V] 
VCE [V] 
VBE [V] 
IC [mA] 
IB [A] 
 
3.3. Ajustar a tensão de entrada do gerador de funções com uma tensão senoidal vI (t) com amplitude 
de 100mV e com frequência igual a 10 kHz. Ajustar o offset do gerador de funções para zero. 
Com o auxílio do osciloscópio, monitorar simultaneamente tensões de entrada e saída, vI (t) e vo (t). 
Calcular o ganho de tensão AV do circuito amplificador (Av = vo/vI ) com e sem a presença de RL. No 
relatório, discutir os resultados obtidos. 
 
Tabela II – Amplitudes das tensões de entrada e saída e ganho de tensão do amplificador. 
 Sem RL Com RL 
vI [mV] 
vo [V] 
AV [V/V] 
 
3.4. Variar a amplitude do sinal de entrada vI(t) na faixa de 200m a 600mV com passo de 200mV, 
através do controle de amplitude do gerador de funções. 
Com o auxílio do osciloscópio, observar o comportamento de vI(t) e vo(t). Apresentar as curvas 
sincronizadas no tempo, com seus respectivos pontos notáveis. Observar se houve distorção do sinal 
de saída e discutir os resultados. 
 
3.5. Retirar o capacitor CE e repetir o item 3.3. No relatório, discutir os resultados obtidos, 
comparando o ganho de tensão com e sem a presença de CE no circuito. 
 
Tabela III – Amplitude das tensões de entrada e saída e ganho de tensão do amplificador sem CE. 
 Sem RL Com RL 
vI [ mV ] 
vo [ V ] 
AV [ V / V ] 
 
3.6. Ainda sem o capacitor CE, variar a amplitude do sinal de entrada vI(t) na faixa de 200m a 600mV 
com passo de 200mV, através do controle de amplitude do gerador de funções. 
 53 
Com o auxílio do osciloscópio, observar o comportamento de vI(t) e vo(t). Apresentar as curvas 
sincronizadas no tempo, com seus respectivos pontos notáveis. Observar se houve distorção do sinal 
de saída e discutir os resultados. 
Anotar qual o máximo valor de vI(t) para que não haja distorções no sinal de saída vo(t). 
 
4. Relatório: 
 
- Item 3.2: Traçar a reta de carga do circuito e verificar se o ponto quiescente faz parte desta reta. 
- Item 3.3: Apresentar os valores do ganho de tensão com e sem RL e discutir a influência da 
resistência de carga. 
- Item 3.4: Para os diversos valores de amplitude de entrada medidos, apresentar as curvas vI(t) e 
vo(t) sincronizadas no tempo, indicando seus respectivos pontos notáveis. Observar se houve 
distorção do sinal de saída e discutir os resultados. 
- Item 3.5: Apresentar os valores do ganho de tensão obtidos sem o capacitor CE, com e sem RL e 
discutir a influência da resistência de carga. 
- Comparar os valores do ganho AV com e sem a presença de CE no circuito. 
- Item 3.6: Para os diversos valores de amplitude de entrada medidos, apresentar as curvas vI(t) e 
vo(t) sincronizadas no tempo, obtidas sem o capacitor CE, indicando seus respectivos pontos notáveis. 
Observar se houve distorção do sinal de saída e discutir os resultados. Comentar sobre o máximo 
valor de vI(t) para que não haja distorções no sinal de saída vo(t). 
- Discutir a influência do capacitor CE no circuito. 
 
 
 54 
 
 55 
 
 
 
Modelo para capa dos relatórios 
Centro Universitário FEI 
EL 5410 / NE 6410 – Relatório de Eletrônica 1 – Laboratório 
Prof.: ___________________________ Turma: _________ Bancada n°: _________ 
Data da experiência: ____ / ____ / ____ Data de entrega: ____ / ____ / ____ 
Relatório:  ACEITO  RECUSADO  CORRIGIR 
 
 
Número da experiência: _______ 
 
Título da Experiência: 
___________________________________________________________________________
_______________________________________________________________ 
 
 
 
 
 
NOMES NÚMEROS 
1. 
2. 
3. 
4.