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P1 de estado sólido (2011-2) 1) (Questão 1 de 2011 e de 2012) O arseneto de gálio (GaAs) é um material semicondutor intrínseco. Se desejarmos modificar suas propriedades, transformando-o em um semicondutor extrínseco do tipo p (menos elétrons), devemos utilizar um átomo dopante na estrutura em substituição a um dos elementos constituintes. Dentre os elementos selênio, fósforo e silício, qual deles devemos escolher para gerar o semicondutor do tipo p? Qual elemento da estrutura inicial ele deverá substituir? Desenhe o diagrama de bandas esperado para o semicondutor extrínseco formado identificando todas as bandas representadas. Dados: Ga: 4s2 4p3 P: 3s2 3p3 As: 4s2 4p3 Si: 3s2 3p2 Se: 4s2 4p4 GaAs Ga (4s24p1) nenhuma possibilidade de substituição As (4s24p3) Analisando as possíveis trocas: Se 4s24p4 (tipo n) pois tem um elétron a mais P 3s2 3p3 (não muda) Si 3s2 3p2 (forma o tipo p) tem um elétron a menos Banda de condução vazia Banda do dopante (aceitadora) (vazia) Banda de valência preenchida 2) (Questão 2 de 2011) Diga o tipo de retículo, dê o F.E. (fator de ocupação) e diga se é compactado ou não. (Questão 2 de 2012) Sabendo que o raio atômico do crômio é de 124,9 pm, calcule a densidade para o caso de uma célula unitária com retículo cúbico primitivo, cúbico de corpo centrado e cúbico de face centrada. Sabendo que a densidade do crômio é de 7,190 g/cm³ em qual desses retículos ele se cristaliza? Para esse retículo determinado, calcule o fator de ocupação do cromo na estrutura e determine se a estrutura é de empacotamento compacto ou não. (Dados: Cr: 52,0 g/mol) Correção 2011: Cr cúbico d=7,190g/cm3 r= 124,9pm D= (nºde átomos x MM x NA-1)/ Vret. Cr cúbico de corpo centrado ou seja, a=288pm, n=2 átomos F.E= V ocupado por átomos/Vret. = 0,68 = 68% Empacotamento não compacto V ocupado por átomos para uma estrutura cubica de corpo centrado é = 2x(4/3 π r3) Correção 2012: d = ? CP CCC CFC nº de átomos 4 2 4 arestas 2r ( ) ( ) Densidade 5,54 g/cm³ 7,20 g/cm³ 7,8 g/cm³ Fator de empacotamento: FE = 0,68% (não compacto) 3) (Questão 3 de 2011) ZnS S +2 vértices e nas faces Zn +2 interstício tetraédrico (1/2) ocupa metade Formava um retículo cúbico de face centrada estequiometria 4 atomos de Zn+2 nos interstícios. (1/8)x8 S-2 nos vértices + 6x(1/2) S-2 nas faces Ou seja 4 Zn+2: 4 S-2 = estequiometria 1,1 4) (Questão 4 de 2011/ 3 de 2012) Explique o processo de formação de bandas nos metais Li (2s1) e Be (2s2) e desenhe os diagramas representativos. Com base nos gráficos de densidade de estados mostrados abaixo identifique qual pertence ao Li e qual pertence ao Be. Explique detalhadamente o preenchimento e a diferença na separação entre os estados e ao observado nos diagramas. Li (2s1) Be (2s2) Be átomo menor sobreposição menos efetiva distância menor. Li sobreposição mais eficiente maior distância. Correção 2012: (Tudo igual, mais isto) Sobreposição de OM σ e σ* -> geram bandas s. Sobreposição de OM ∏ e ∏* -> geram bandas p. A medida que a carga nuclear efetiva aumenta , o átomo diminui de tamanho e com isso os orbitais ficam mais próximos. 5) (Questão 4 de 2012) As zeólitas têm composição descrita pela fórmula geral Mn+x/n [(AlO2)x(SiO2)x]. H2O. Com base nessa fórmula explique a origem das propriedades estruturais e químicas desses sólidos. Mn+ -> metal (realiza troca iônica) alcalino/alcalino terroso que serve como contra íon da estrutura inorgânica negativa. (Serve para neutralizar a carga negativa [(AlO2)x(SiO2)x] -> quanto mais alumínio maior a carga negativa e maior a presença de sítios ácidos de Lewis, maior a hidrofilicidade. H2O -> Água de hidratação dos cátions.
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