Avaliação Parcial MATERIAIS ELÉTRICOS..

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MATERIAIS ELÉTRICOS
	Avaliação Parcial:  
	Aluno(a): 
	Matrícula: 
	Acertos: 9,0 de 10,0
	Data: 10/11/2018 12:06:46 (Finalizada)
	
	
	1a Questão (Ref.:201608476178)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Determine a resistência de um condutor de cobre com seção reta circular, 32 metros de comprimento e raio de 1,2 mm. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	 
	0,12 Ω
	
	12,0 Ω
	
	120 Ω
	
	3,4 Ω
	
	34 Ω
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	2a Questão (Ref.:201608619001)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
		
	
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
	
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
	
	
	
	3a Questão (Ref.:201608477432)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
		
	
	3,21 x 10-6 Ω.cm
	
	6,45 x 10-6 Ω.cm
	
	3,95 x 10-6 Ω.cm
	 
	4,75 x 10-6 Ω.cm
	
	7,81 x 10-6 Ω.cm
	
	
	
	4a Questão (Ref.:201608538085)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da quantidade de massa do corpo, enquanto as outras, não.
A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas intensivas da matéria, ou seja, não dependem da quantidade e da geometria do material em questão; porem, são afetadas por alguns fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores influenciam a resistividade e a condutividade elétrica de um condutor:
		
	 
	Temperatura, impureza e deformação mecânica.
	
	Volume, comprimento do condutor e impurezas.
	
	Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica.
	
	Temperatura, comprimento do condutor e pressão.
	
	Temperatura, pressão e impurezas.
	
	
	
	5a Questão (Ref.:201608538096)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
		
	
	Hipérbole.
	
	Círculo.
	
	Elipse.
	
	Parábola.
	 
	Reta.
	
	
	
	6a Questão (Ref.:201608538524)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Semicondutores de Silício do tipo-p são obtidos a partir da inserção de átomos de Alumínio, Al, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Alumínio possui valência igual a 3, Al+3, diz-se que esta inserção promove o surgimento de buracos. Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Alumínio no processo de dopagem.
		
	
	O-2
	
	As+5
	
	Na+
	
	Ba+2
	 
	B+3
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	7a Questão (Ref.:201608538141)
	Acerto: 0,0  / 1,0
	Semicondutores extrínsecos são obtidos através da inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
		
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	8a Questão (Ref.:201608464410)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Qual é a principal característica dos materiais semicondutores?
		
	
	São somente isolantes
	
	São somente condutores
	
	Não são condutores e isolantes.
 
	 
	São condutores e isolantes.
	
	São somente supercondutores.
	
	
	
	9a Questão (Ref.:201609104615)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Um material dielétrico é aquele que apresenta (ou pode ser projetado de modo a apresentar) uma estrutura de dipolos a nível molecular ou atômico, que assume uma configuração orientada sob a ação de um campo elétrico. Estes materiais são comumente utilizados em capacitores para aumentar a capacidade de armazenamento de cargas, modificando a permissividade relativa fornecida por: r=/o.
Com relação a permissividade relativa, PODEMOS afirmar:
		
	
	r é menor que 0,5.
	 
	r é maior que 1.
	
	r é igual a 1.
	
	r é menor que 1.
	
	r está entre 2 e 5.
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	10a Questão (Ref.:201609104619)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Uma forma de quantificar a polarização de um material dielétrico é através de seu momento de dipolo elétrico, dado pela expressão p=q.d, na qual "q" é a magnitude da carga do dipolo e "d" é a distância entre as cargas. Supondo que a manipulação físico-química do material tenha dobrado sua carga em alguns pequenos volumes do mesmo, assim como dividido por dois a distância entre as cargas de sinal oposto.
Nos pequenos volumes do material mencionado anteriormente, determine como ficou o dipolo.
		
	
	4p
	
	2p
	
	p/2
	 
	p
	
	p/4