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MATERIAIS ELÉTRICOS
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Exercício: CCE0252_EX_A2_201401357296 Matrícula: 201401357296
Aluno(a): WESLEY CESAR PORTUGAL DE MATOS Data: 07/04/2015 11:05:45 (Finalizada)
1a Questão (Ref.: 201401553244) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a 
matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos 
de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P
diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um 
elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
Ba+2
As+5
O-2
B+3
Al+3
2a Questão (Ref.: 201401492602) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10
-6
 Ω.cm na forma de 
um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção 
reta do fio igual a 0,38 mm
2
.
399,9 mili ohms
354,6 mili ohms
384,2 mili ohms
347,4 mili ohms
376,38 mili ohms
3a Questão (Ref.: 201401553258) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da 
quantidade de massa do corpo, enquanto as outras, não. 
A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas intensivas da matéria, ou seja, não dependem da quantidade e 
da geometria do material em questão; porem, são afetadas por alguns fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores 
influenciam a resistividade e a condutividade elétrica de um condutor:
Volume, comprimento do condutor e impurezas. 
Temperatura, pressão e impurezas. 
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Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica. 
Temperatura, impureza e deformação mecânica.
Temperatura, comprimento do condutor e pressão. 
4a Questão (Ref.: 201401553238) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Os metais apresentam em sua microestrutura uma periodicidade na disposição dos átomos que os classifica como materiais 
cristalinos. Contudo, esta organização a nível atômico tem suas falhas, o que influencia na velocidade de transporte dos eletros, 
ou seja, quanto maior o número de falhas na estrutura cristalina, maior a dificuldade de deslocamento dos elétrons. Para descrever 
a velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity
em Inglês), dada por vd=E.µµµµe, onde E é a intensidade do campo elétrico e µµµµe é a mobilidade elétrica do elétron.
Sabendo-se que em um experimento, utilizou-se um campo elétrico igual a E=600V/m e condutor elétrico de alumínio cuja 
mobilidade elétrica é igual a µµµµe=0,0012m
2/V.s, escolha a opção que melhor reflete o valor da velocidade de deslocamento dos 
elétrons.
50 m/s
500.000 m/s 
5 m/s 
0,72 m/s. 
7,2 m/s
5a Questão (Ref.: 201401492600) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 1,6 x 10
-6
 Ω.cm na forma de um fio 
cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 
mm2.
12 mili ohms
11 mili ohms
10 mili ohms
13 mili ohms
14 mili ohms
6a Questão (Ref.: 201401553242) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0)
Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, 
permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos. 
A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por σσσσ=p.I 
e I.µµµµh, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10
-19C, e .
µµµµ
mobilidade dos buracos. 
Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022
átomos de Boro, considerando µµµµh = 0,05m
2/V.s
200 (ohm.m) -1
4 (ohm.m) -1
100 (ohm.m) -1
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50 (ohm.m) -1
400 (ohm.m) -1
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