Laboratório de Eletricidade e Eletrônica - E10 - Transistor - IFSP - Eng Eletrônica

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Engenharia Eletrônica 
 
 
Laboratório de Eletricidade II – LE2 
Laboratório de Eletrônica I – LO1 
 
Professores: Alberto Akio SHIGA e WAGNER de Aguiar 
 
 
Experimento: 10 
 
Título: TRANSISTOR 
 
Data da Realização: ____/____/____ 
 
Data Limite de Entrega: ____/____/____ 
 
GRUPO: _______________ 
 
 
Turma: T4 – 1º semestre de 2015 
 
 Engenharia Eletrônica 
 
 
 
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TRANSISTOR 
I – Objetivo 
 
Observar e analisar o funcionamento do transistor, bem como sua polarização. 
 
II – Materiais e equipamentos utilizados 
 
- Resistores (22Ω; 330Ω; 2,7kΩ; 5,6kΩ; 150kΩ) 
- Potenciômetro (100Ω ; 1kΩ) 
- Transistor BC548 
- Protoboard 
- Fios para protoboard 
- 01 Fonte de alimentação DC 
- 02 Cabos Osciloscópio 
- 02 Cabos para a fonte de alimentação 
 
III – Procedimentos Experimentais 
 
- Meça com o ohmímetro analógico e anote no quadro abaixo as resistências diretas e 
reversas entre base-emissor e entre base-coletor. 
 
 Base-emissor Base-coletor 
Rdireta 
Rreversa 
 
- Montar o circuito abaixo e variando-se a tensão de base, meça e anote o valor de IB, 
mantendo a tensão Vce = 3V, por meio do potenciômetro de 100 Ω. 
 
 
 
Vbe (V) 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,75 
Ib (mA) 
 
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- Ajuste a corrente de base conforme a tabela, com o potenciômetro de 1kΩ. Varie a 
tensão Vce por meio do potenciômetro de 100Ω e para cada caso, anote Ic. 
 
Vce (V) 0 1 2 3 4 5 Ib (mA) 
Ic (mA) 
 0,00 
 0,05 
 0,10 
 0,15 
 0,20 
 
 
- Polarização do Transistor. Nos circitos abaixo efetuar as medições e determinar o valor 
do β. 
 
 
 
 
VR1(V) VR2(V) Ib (mA) Ic (mA) Ie (mA) Vbc (V) Vbe (V) Vce (V) β 
 
 
 
 
 
 
VR1(V) VR2(V) VR3(V) Ie (mA) Ib (mA) Ic (mA) Vbe (V) Vce (V) β 
 
R1 
R2 
R1 
R2 
R3 
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VR1(V) VR2(V) VR3(V) VR4(V) Ie (mA) Ib (mA) Ic (mA) Vbe (V) Vce (V) β 
 
 
 
QUESTIONÁRIOS 
 
Dimensione RB, RC, RE, para polarizar o transistor abaixo. β = 200, VBE = 0,7V. Dados: 
VCC = 15V, VCE = VCC / 2, VRE = VCC / 10, IC = 30mA. 
 
 
 
 
 
 
Determinar os resistores no circuito abaixo. β = 350, VBE = 0,7V. Dados: VCC = 12V, VCE = 
VCC / 2, VRE = VCC / 10, IC = 5mA, IB = IB2 / 10. 
 
 
 
R1 
R2 
R3 
R4 
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5 
Dimensione RB, RC, RE, para polarizar o transistor abaixo. β = 100, VBE = 0,7V. Dados: 
VCC = 15V, VCE . IC = 40mW, RC = 6 . RE . 
 
 
Procedimentos para Medir e Identificar os 
Terminais de Transistores 
 
1) Devido à inversão da bateria interna do multímetro analógico, a medição de 
componentes semicondutores (com polaridade) é feita tendo consciência de que a ponta 
vermelha deverá ser, na verdade, o negativo (-) e a ponta preta deverá ser o positivo (+). 
(inverter mentalmente) 
2) Colocar a chave seletora do Multímetro na posição “ohmímetro” X 1, a fim de 
determinar a base. 
3) Procure localizar um terminal que, em relação aos outros dois apresente “baixa 
resistência”. 
- Se a base for encontrada com a ponta positiva “preta”, significa que o transistor é um 
NPN. 
- Se a base for encontrada com a ponta negativa “vermelha”, significa que o transistor é 
um PNP. 
4) Encontrada a base, deve-se mudar a chave seletora do aparelho que está na menor 
escala de resistência (X 1) e posicioná-la em X10K, a fim de encontrar o coletor e 
emissor. 
5) Inverter a ponta de prova com a qual foi achada a base. Depois, fazer a medida da 
resistência em relação aos outros dois terminais. O que apresentar menor resistência em 
relação à base será o emissor. Por conseqüência, o outro terminal será o coletor. 
 
- Verificação de Defeito em Transistor: 
 
 * Os defeitos que podem ocorrer em um transistor são basicamente ocasionados 
por alta tensão e corrente aplicado a ele. Com isso, pode ocorrer a abertura da junção do 
transistor (aberto), curto-circuito e a “fuga”, que é a resistência apresentada na medição 
dos dois lados da junção. Em todos esses casos, o transistor estará danificado. 
 
* Se a medição seguir os itens de 1 a 5, o transistor estará em bom estado. 
 
Nas medições com o multímetro digital não é necessário inverter a polaridade das 
pontas de prova.