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16/06/2015 BDQ Prova http://simulado.estacio.br/bdq_simulados_ead_ens_preview.asp?cript_hist=2263599072 1/2 ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Simulado: CCE0446_SM_201001331222 V.1 Fechar Aluno(a): FABIO FERREIRA GOMES Matrícula: 201001331222 Desempenho: 0,5 de 0,5 Data: 10/06/2015 17:28:27 (Finalizada) 1a Questão (Ref.: 201001507263) Pontos: 0,1 / 0,1 Analise as afirmativas abaixo em relação aos InversoresTrifásicos'eescolhaaqueNÃOseaplicaaoconcei→teóricodesses∈versores: Em um circuito provido de inversor trifásico, o transformador de saída apresenta como tensões concatenadas, a diferença das duas tensões de fase correspondentes. É dessa forma que se obtém uma tensão de saída a degraus. Para a escolha do inversor trifásico devemos saber modelo tipo e potência do inversor de acordo com a necessidade de utilização do mesmo. A primeira etapa do circuito é formada por uma ponte retificadora de onda completa trifásica, e dois capacitores de filtro. Esse circuito forma uma fonte DC simétrica, pois há um ponto de terra como referência. É possível se chegar a um inversor trifásico a partir de três inversores monofásicos, cujos impulsos de comando devem, logicamente, ser dados à mesma freqüência e defasados entre si de 120°. Similarmente a uma fonte retificadora trifásica, o inversor trifásico pode ser controlado de tal maneira que os tiristores possam conduzir 180º do ciclo de saída. 2a Questão (Ref.: 201001507244) Pontos: 0,1 / 0,1 Os inversores de tensão são conversores estáticos destinados a controlar o fluxo de corrente entre uma fonte de tensão de corrente continua e uma carga em corrente alternada. Suas principais aplicações são indicadas a seguir EXCETO: Fontes chaveadas Acionamento de máquinas elétricas de corrente alternada. Sistemas de alimentação ininterrupta, em tensão alternada a partir de uma bateria. Amplificador de potência na transmissão de rádio freqüência na faixa de microondas. Aquecimento indutivo. 3a Questão (Ref.: 201001507291) Pontos: 0,1 / 0,1 O ponto de partida para o estudo dos semicondutores é o cristal de silício de quatro valências em uma pureza na qual, dentre 10E90 átomos de silício, há apenas um átomo estranho presente no cristal. Na formação do cristal, todos os quatro elétrons de valência de cada átomo são usados para manter as ligações dentro da cadeia. Em relação a esse tipo de semicondutor estão certas as afirmativas abaixo, EXCETO a alternativa: Os átomos sem elétrons carregados positivamente, podem capturar novos elétrons e são chamados de lacunas quando nesta condição. Quando o cristal está sujeito a um campo elétrico, os elétrons e lacunas movemse no cristal na mesma direção e sentido. Os átomos aos quais os elétrons pertenciam ficam carregados positivamente devido à saída do elétron. Em altas temperaturas, os elétrons de valência, como resultado do aumento de energia, podem temporariamente deixar suas posições no átomo e se mover como elétrons livres. Em baixas temperaturas, o cristal comportase como um isolante. 16/06/2015 BDQ Prova http://simulado.estacio.br/bdq_simulados_ead_ens_preview.asp?cript_hist=2263599072 2/2 4a Questão (Ref.: 201001507498) Pontos: 0,1 / 0,1 Um retificador de doze pulsos é essencialmente constituído de duas pontes de seis pulsos conectadas em paralelo por um transformador de interfase para assegurar balanceamento de corrente apropriado entre as duas pontes. A entrada para as duas pontes é provida por dois enrolamentos separados no secundário do transformador do retificador. Um dos enrolamentos é conectado em delta enquanto o outro é conectado em estrela. Este tipo de circuito provê um deslocamento de que tipo? Qual o tipo de retificador é descrito aqui? Deslocamento de seis fases e por isso é chamado retificador hexafásico. Deslocamento de duas fases e por isso é chamado retificador bifásico. Deslocamento de três fases e por isso é chamado retificador trifásico. Deslocamento de uma fase e por isso é chamado retificador monofásico. Deslocamento de quatro fases e por isso é chamado retificador polifásico. 5a Questão (Ref.: 201001508783) Pontos: 0,1 / 0,1 O MCT (MOSControlled Thyristor) é um tipo novo de dispositivo semicondutor de potência que associa as capacidades de densidade de corrente e de bloqueio de tensão típicas dos Tiristores, com um controle de entrada e de saída de condução baseado em dispositivos MOS. Isto é, enquanto um GTO tem o gate'controladoemcorrente,oMCToperacomcomandosdetensã⊙ O MCT não apresenta o efeito Miller, de modo que não se observa o patamar de tensão sobre o gate',oqualpodesermodeladoapenascomouma∩acitância. O fato do MCT ser construído por milhares de pequenas células, muito menores do que as células que formam os GTOs, faz com que, para uma mesma área semicondutora, a capacidade de corrente do MCT seja menor do que um GTO equivalente. O MCT apresenta uma facilidade de comando bem inferior ao GTO. Em um MCT de canal P (PMCT) o MOSFET responsável pela entrada em condução do tiristor (onFET) é também de canal P, sendo levado à condução pela aplicação de uma tensão negativa no terminal de gate. O sinal de gate'doMCTdevesermantido,tan→noestadoligadoquan→nodesligado,afimdeevitarcoμtações(porlatch down' ou por dv/dt) indesejáveis.
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