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BDQ Prova4 Eletrônica de potência

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16/06/2015 BDQ Prova
http://simulado.estacio.br/bdq_simulados_ead_ens_preview.asp?cript_hist=2263599072 1/2
   ELETRÔNICA DE POTÊNCIA
Simulado: CCE0446_SM_201001331222 V.1   Fechar
Aluno(a): FABIO FERREIRA GOMES Matrícula: 201001331222
Desempenho: 0,5 de 0,5 Data: 10/06/2015 17:28:27 (Finalizada)
  1a Questão (Ref.: 201001507263) Pontos: 0,1  / 0,1
Analise as afirmativas abaixo em relação aos
InversoresTrifásicos'eescolhaaqueNÃOseaplicaaoconcei→teóricodesses∈versores:
Em um circuito provido de inversor trifásico, o transformador de saída apresenta como tensões
concatenadas, a diferença das duas tensões de fase correspondentes. É dessa forma que se obtém uma
tensão de saída a degraus.
Para a escolha do inversor trifásico devemos saber modelo tipo e potência do inversor de acordo com a
necessidade de utilização do mesmo.
A primeira etapa do circuito é formada por uma ponte retificadora de onda completa trifásica, e dois
capacitores de filtro. Esse circuito forma uma fonte DC simétrica, pois há um ponto de terra como
referência.
É possível se chegar a um inversor trifásico a partir de três inversores monofásicos, cujos impulsos de
comando devem, logicamente, ser dados à mesma freqüência e defasados entre si de 120°.
  Similarmente a uma fonte retificadora trifásica, o inversor trifásico pode ser controlado de tal maneira
que os tiristores possam conduzir 180º do ciclo de saída.
  2a Questão (Ref.: 201001507244) Pontos: 0,1  / 0,1
Os inversores de tensão são conversores estáticos destinados a controlar o fluxo de corrente entre uma fonte
de tensão de corrente continua e uma carga em corrente alternada. Suas principais aplicações são indicadas a
seguir EXCETO:
Fontes chaveadas
Acionamento de máquinas elétricas de corrente alternada.
Sistemas de alimentação ininterrupta, em tensão alternada a partir de uma bateria.
  Amplificador de potência na transmissão de rádio freqüência na faixa de microondas.
Aquecimento indutivo.
  3a Questão (Ref.: 201001507291) Pontos: 0,1  / 0,1
O ponto de partida para o estudo dos semicondutores é o cristal de silício de quatro valências em uma pureza
na qual, dentre 10E90 átomos de silício, há apenas um átomo estranho presente no cristal. Na formação do
cristal, todos os quatro elétrons de valência de cada átomo são usados para manter as ligações dentro da
cadeia. Em relação a esse tipo de semicondutor estão certas as afirmativas abaixo, EXCETO a alternativa:
Os átomos sem elétrons carregados positivamente, podem capturar novos elétrons e são chamados de
lacunas quando nesta condição.
  Quando o cristal está sujeito a um campo elétrico, os elétrons e lacunas movem­se no cristal na mesma
direção e sentido.
Os átomos aos quais os elétrons pertenciam ficam carregados positivamente devido à saída do elétron.
Em altas temperaturas, os elétrons de valência, como resultado do aumento de energia, podem
temporariamente deixar suas posições no átomo e se mover como elétrons livres.
Em baixas temperaturas, o cristal comporta­se como um isolante.
16/06/2015 BDQ Prova
http://simulado.estacio.br/bdq_simulados_ead_ens_preview.asp?cript_hist=2263599072 2/2
  4a Questão (Ref.: 201001507498) Pontos: 0,1  / 0,1
Um retificador de doze pulsos é essencialmente constituído de duas pontes de seis pulsos conectadas em
paralelo por um transformador de interfase para assegurar balanceamento de corrente apropriado entre as
duas pontes. A entrada para as duas pontes é provida por dois enrolamentos separados no secundário do
transformador do retificador. Um dos enrolamentos é conectado em delta enquanto o outro é conectado em
estrela. Este tipo de circuito provê um deslocamento de que tipo? Qual o tipo de retificador é descrito aqui?
  Deslocamento de seis fases e por isso é chamado retificador hexafásico.
Deslocamento de duas fases e por isso é chamado retificador bifásico.
Deslocamento de três fases e por isso é chamado retificador trifásico.
Deslocamento de uma fase e por isso é chamado retificador monofásico.
Deslocamento de quatro fases e por isso é chamado retificador polifásico.
  5a Questão (Ref.: 201001508783) Pontos: 0,1  / 0,1
O MCT (MOS­Controlled Thyristor) é um tipo novo de dispositivo semicondutor de potência que associa as
capacidades de densidade de corrente e de bloqueio de tensão típicas dos Tiristores, com um controle de
entrada e de saída de condução baseado em dispositivos MOS. Isto é, enquanto um GTO tem o
gate'controladoemcorrente,oMCToperacomcomandosdetensã⊙
O MCT não apresenta o efeito Miller, de modo que não se observa o patamar de tensão sobre o
gate',oqualpodesermodeladoapenascomouma∩acitância.
O fato do MCT ser construído por milhares de pequenas células, muito menores do que as células que
formam os GTOs, faz com que, para uma mesma área semicondutora, a capacidade de corrente do MCT
seja menor do que um GTO equivalente.
  O MCT apresenta uma facilidade de comando bem inferior ao GTO.
Em um MCT de canal P (P­MCT) o MOSFET responsável pela entrada em condução do tiristor (on­FET) é
também de canal P, sendo levado à condução pela aplicação de uma tensão negativa no terminal de
gate.
O sinal de gate'doMCTdevesermantido,tan→noestadoligadoquan→nodesligado,afimdeevitarcoμtações(porlatch­
down' ou por dv/dt) indesejáveis.

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