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Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de 
resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
 
 
A resistência elétrica quando varia com a
 Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
 
Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
 
Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam 
 
Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
 
 
 2a Questão (Ref.: 201401205807)
 
Em 1827, Georg Simon Ohm (1787
publicou em artigo a relação que mais tarde levaria seu nome, a Lei de Ohm. Contudo, foi 
somente nas décadas seguintes que o estudo adquiriu relevância e gerou outros conceitos 
como a condutividade e a resistividade (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and 
Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 4).
Entre as opções a seguir, determine a que
 
 V=R.i 
 V=R i.A/l 
 
F=m.a 
 
V=N.i.E 
 
P=U.i 
 
 
 3a Questão (Ref.: 201401205801)
 
Considere que você tenha comprado um forno para tratamento térmico em metais e 
deseja instalá-lo. Sabendo que você não pode alterar o comprimento do fio a ser utilizado, 
considere a opção mais adequada ao contexto descrito anteriormente.
 
 
O fio que apresentar menor seção reta é o mais indicado, uma vez que quanto menor o volume para o 
trânsito dos elétrons, mais ordenados estes estarão na formação da corrente elétrica e mais 
rapidamente transitarão em seu interior.
 
Como a resistividade não varia com as dimensões do condutor, não importa a área da seção reta do fio 
a ser comprado e nem o seu volume.
 Deverá ser comprado o fio de maior área de seção reta, uma vez que este apresentará menor 
resistência a passagem de elétrons e, portanto, apresentará menor perda energia por Efeito Joule 
(geração de calor). 
 
Deverá ser comprado o fio de menor área de 
a quantidade do material a ser utilizado e menor o custo da instalação, não importando a área da 
seção reta do fio utilizado.
Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de 
resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
Somente resistência elétrica varia com a temperatura. 
Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
Somente resistividade elétrica varia com a temperatura. 
 
 
(Ref.: 201401205807) Fórum de Dúvidas
Em 1827, Georg Simon Ohm (1787-1854), professor da Universidade de Munique, 
publicou em artigo a relação que mais tarde levaria seu nome, a Lei de Ohm. Contudo, foi 
seguintes que o estudo adquiriu relevância e gerou outros conceitos 
como a condutividade e a resistividade (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and 
Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 4). 
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa o conceito de resistividade:
 
 
(Ref.: 201401205801) Fórum de Dúvidas
Considere que você tenha comprado um forno para tratamento térmico em metais e 
lo. Sabendo que você não pode alterar o comprimento do fio a ser utilizado, 
mais adequada ao contexto descrito anteriormente.
O fio que apresentar menor seção reta é o mais indicado, uma vez que quanto menor o volume para o 
trânsito dos elétrons, mais ordenados estes estarão na formação da corrente elétrica e mais 
rapidamente transitarão em seu interior. 
Como a resistividade não varia com as dimensões do condutor, não importa a área da seção reta do fio 
a ser comprado e nem o seu volume. 
Deverá ser comprado o fio de maior área de seção reta, uma vez que este apresentará menor 
resistência a passagem de elétrons e, portanto, apresentará menor perda energia por Efeito Joule 
Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que quanto menor esta área, menor 
a quantidade do material a ser utilizado e menor o custo da instalação, não importando a área da 
seção reta do fio utilizado. 
Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de 
resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar: 
temperatura o faz de forma linear. 
Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor. 
com a temperatura do condutor. 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
1854), professor da Universidade de Munique, 
publicou em artigo a relação que mais tarde levaria seu nome, a Lei de Ohm. Contudo, foi 
seguintes que o estudo adquiriu relevância e gerou outros conceitos 
como a condutividade e a resistividade (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and 
representa o conceito de resistividade: 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
Considere que você tenha comprado um forno para tratamento térmico em metais e 
lo. Sabendo que você não pode alterar o comprimento do fio a ser utilizado, 
mais adequada ao contexto descrito anteriormente. 
O fio que apresentar menor seção reta é o mais indicado, uma vez que quanto menor o volume para o 
trânsito dos elétrons, mais ordenados estes estarão na formação da corrente elétrica e mais 
Como a resistividade não varia com as dimensões do condutor, não importa a área da seção reta do fio 
Deverá ser comprado o fio de maior área de seção reta, uma vez que este apresentará menor 
resistência a passagem de elétrons e, portanto, apresentará menor perda energia por Efeito Joule 
seção reta, uma vez que quanto menor esta área, menor 
a quantidade do material a ser utilizado e menor o custo da instalação, não importando a área da 
 
Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que este a
resistividade e, portanto, permitirá a fácil passagem de elétrons.
 
 
 4a Questão (Ref.: 201401205804)
 
A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da 
Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As 
condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre 
a temperatura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de 
grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta resistência a abrasão e polímeros de alta 
leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, 
muitas vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades 
semicondutoras, condutoras e isolantes.
Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente 
materiais semicondutores e isolantes
 
 
Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Fosfeto
 
Silício, Ferro, água pura.
 
Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
 Arseneto de Gálio, madeira e borracha.
 
Madeira, borracha e água pura.
 
 
 5a Questão (Ref.: 201401205805)
 
Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os 
Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que devem ser utilizados em diversas 
ocasiões, cada qual com sua especificidade.. No EPI de quem mexe com eletricidade, é 
fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o 
isolamento das mãos do operador em relação a um possível meio eletricamente 
carregado, pois se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada 
respiratória. Entre os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento 
elétrico semelhante ao da borracha
 
 
 Madeira, borracha, vidro e isopor.
 
Silício, Ferro, água pura salgada.
 
Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
 
Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Cloreto de Sódio.
 Isopor,madeira e água destilada e deionizada.
Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que este a
resistividade e, portanto, permitirá a fácil passagem de elétrons. 
 
 
(Ref.: 201401205804) Fórum de Dúvidas
A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da 
Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As 
condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre 
ratura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de 
grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta resistência a abrasão e polímeros de alta 
leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, 
vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades 
semicondutoras, condutoras e isolantes. 
Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente 
semicondutores e isolantes. 
Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Fosfeto de Gálio. 
Silício, Ferro, água pura. 
Cobre, Ouro, Prata e Níquel. 
Arseneto de Gálio, madeira e borracha. 
Madeira, borracha e água pura. 
 
 
(Ref.: 201401205805) Fórum de Dúvidas
Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os 
Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que devem ser utilizados em diversas 
ocasiões, cada qual com sua especificidade.. No EPI de quem mexe com eletricidade, é 
fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o 
isolamento das mãos do operador em relação a um possível meio eletricamente 
se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada 
respiratória. Entre os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento 
semelhante ao da borracha, podemos citar: 
Madeira, borracha, vidro e isopor. 
Silício, Ferro, água pura salgada. 
Cobre, Ouro, Prata e Níquel. 
Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Cloreto de Sódio. 
Isopor, madeira e água destilada e deionizada. 
Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que este apresentará menor 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da 
Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As 
condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre 
ratura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de 
grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta resistência a abrasão e polímeros de alta 
leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, 
vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades 
Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os 
Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que devem ser utilizados em diversas 
ocasiões, cada qual com sua especificidade.. No EPI de quem mexe com eletricidade, é 
fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o 
isolamento das mãos do operador em relação a um possível meio eletricamente 
se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada 
respiratória. Entre os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento 
 
 
 6a Questão (Ref.: 201401145182)
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 m
resistividade é igual a 44 x 10
-6
 Ω.cm e cuja área da seç
comprimento deste fio. 
 
 
0,01cm 
 0,41 cm 
 0,11 cm 
 
0,31 cm 
 
0,21 cm 
A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá
cuja linguagem principal é a Matemática.
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no 
entendimento das propriedades elétricas dos materiais.
 
 Velocidade de deslocamento do 
obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron.
 Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas 
elétricas em um material.
 
A concentração de 
extrínseco do tipo
 
Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da 
temperatura do material.
 
Considera-se que o elétron desloca
carga. 
 
 
 2a Questão (Ref.: 201401145181)
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 m
resistividade é igual a 2,6 x 10
-6
 Ω.cm e cuja área da seç
comprimento deste fio. 
 
 
20,15 cm 
 18,27 cm 
 
16,24 cm 
 
19,12 cm 
 
15,26 cm 
 
 
 
(Ref.: 201401145182) Fórum de Dúvidas
se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja 
Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm
2
. Determine o valor do 
A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, 
cuja linguagem principal é a Matemática. 
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no 
entendimento das propriedades elétricas dos materiais. 
Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade 
obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron. 
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas 
elétricas em um material. 
A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo
extrínseco do tipo-n. 
Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da 
temperatura do material. 
se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de 
 
 
(Ref.: 201401145181) Fórum de Dúvidas
se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja 
Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm
2
. Determine o valor do 
 
 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
Ω. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja 
. Determine o valor do 
através do método científico, 
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no 
elétron no processo de transporte de carga é a velocidade 
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas 
impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou 
Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da 
idade da luz em um processo de condução de 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
Ω. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja 
. Determine o valor do 
 
 3a Questão (Ref.: 201401205815)
 
Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou 
maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam
semicondutores de Silício do tipo
P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo 
possui valência igual a 5, P+5
livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um eleme
que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
 
 Ba+2 
 As+5 
 
 
 
B+3 
 
 
Al+3 
 
 
O-2 
 
 
 4a Questão (Ref.: 201401146636)
 
Um pedaço de fio de alumínio tem resistência de 2
de alumínio, qual será sua resistência?
ρ alunínio = 2,825 x 10 -6 Ω.
ρ cobre = 1,723 x 10 -6 Ω.cm
 
 c) R = 0,328 Ω 
 b) R = 1,22 Ω 
 d) R = 0,122 Ω 
 a) R = 3,28 Ω 
 e) R = 2,83 Ω 
 
 
 5a Questão (Ref.: 201401145176)
(Ref.: 201401205815) Fórum de Dúvidas
Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou 
maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam
semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserçãode átomos de Fó
P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo 
+5
, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons 
livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um eleme
substituir o Fósforo no processo de dopagem. 
 
 
(Ref.: 201401146636) Fórum de Dúvidas
Um pedaço de fio de alumínio tem resistência de 2 Ω. Se pedaço de fio de cobre tem a mesmas dimensões do fio 
de alumínio, qual será sua resistência? 
Ω.cm à 20 ºC 
cm à 20 ºC 
 
 
(Ref.: 201401145176) Fórum de Dúvidas
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou 
maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se 
n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, 
P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo 
se que esta inserção promove o surgimento de elétrons 
livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
Se pedaço de fio de cobre tem a mesmas dimensões do fio 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 m
seção reta igual a 0,38 mm
2
 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da 
ser utilizado. 
 
 4,75 x 10-6 Ω.cm 
 3,95 x 10-6 Ω.cm 
 3,21 x 10
-6
 Ω.cm 
 6,45 x 10
-6
 Ω.cm 
 7,81 x 10
-6
 Ω.cm 
 
 
 6a Questão (Ref.: 201401286797)
 
Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor 
que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que 
aumenta amplitude de vibração dos mesmos. Quando 
elétrons livres colidem com a estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional. 
Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vib
transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta freqüência e energia 
quantizada denominada de fônon. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering: An 
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapt
 
 
Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero.
 
Em um isolante a energia cinética dos elétrons tende ao infinito.
 
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será 
campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura.
 
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e 
isolante quando submetidos a mesma diferença de potencial.
 Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor 
campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura.
A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas 
hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema 
Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a 
energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como
ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de
comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm
que a temperatura ambiente é igual a 20
1,7x10-8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resist
temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10
3 oC-1). 
 
 
4,35
 3,4 Ω
se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de 
e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a 
 
 
(Ref.: 201401286797) Fórum de Dúvidas
Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor 
que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que 
aumenta amplitude de vibração dos mesmos. Quando estabelecemos um campo elétrico através do mesmo, os 
elétrons livres colidem com a estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional. 
Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vib
transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta freqüência e energia 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering: An 
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20). Com relação ao exposto, podemos afirmar que:
Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero.
Em um isolante a energia cinética dos elétrons tende ao infinito.
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material isolante sob 
campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura.
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e 
isolante quando submetidos a mesma diferença de potencial.
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor 
campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura.
 
 
A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas 
espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema 
Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a 
energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como
ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de
comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm
que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 
.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma 
C (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10
4,35 Ω 
3,4 Ω 
Ω. Para isso será utilizado um condutor de 
resistividade do material a 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor 
que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que 
estabelecemos um campo elétrico através do mesmo, os 
elétrons livres colidem com a estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional. 
Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vibração se 
transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta freqüência e energia 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering: An 
Com relação ao exposto, podemos afirmar que: 
Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero. 
Em um isolante a energia cinética dos elétrons tende ao infinito. 
maior em material isolante sob 
campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. 
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e 
isolante quando submetidos a mesma diferença de potencial. 
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor 
campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. 
A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas 
espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema 
Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a 
energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do 
ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de 
comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm2.Sabendo-se 
vidade do cobre nesta temperatura é igual a 
ência ôhmica da linha para uma 
C (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10-
 
6,8 Ω
 4,19 Ω
 
3,89 Ω
 
 
 2a Questão (Ref.: 201401132151)
 
Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm?
 
 Resistência 
 Condutância 
 Resistividade 
 Indutância 
 Condutividade 
 
 
 3a Questão (Ref.: 201401205845)
 
Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor 
não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos 
componentes eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica 
denominado Microeletrônica.
Com relação aos semicondutores,
 
 Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas 
somente nas junções P
 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores 
extrínsecos. 
 A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil 
execução denominadas dopagem.
 
Considera-se que o elétron desloca
de condução de carga no interior de um condutor tipo
 A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas 
elétricas somente se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro.
 
 
6,8 Ω 
4,19 Ω 
3,89 Ω 
 
 
(Ref.: 201401132151) Fórum de Dúvidas
grandeza constante que está presente na Lei de Ohm? 
 
 
(Ref.: 201401205845) Fórum de Dúvidas
Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor 
não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos 
eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica 
denominado Microeletrônica. 
Com relação aos semicondutores, podemos afirmar: 
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas 
junções P-N. 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores 
A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil 
execução denominadas dopagem. 
se que o elétron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em um processo 
de condução de carga no interior de um condutor tipo-p. 
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas 
te se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro. 
 
 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor 
não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos 
eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica 
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores 
A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil 
se na velocidade de 20m/s aproximadamente em um processo 
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas 
 4a Questão (Ref.: 201401205841)
 
A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, 
podemos assumir que a mesma obedece a expressão
constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode 
assumir a forma ρρρρ=ρρρρ0+ ββββT+αααα
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a 
variação da resistividade com a temperatura no último caso citado.
 
 Reta. 
 
Hipérbole. 
 
Elipse. 
 
Círculo. 
 Parábola. 
 
 
 5a Questão (Ref.: 201401205844)
 
Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na 
através da evaporação dos elementos de interesse em adequadas câmaras de vácuo, 
técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955.
of Electricity and Magnetism , Burnby Library, C
 
Com relação aos semicondutores
 
 A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução 
denominadas dopagem.
 
A condutividade elétrica de um 
elétricas somente se o semicondutor for do tipo
 Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas.
 Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a 
em um material. 
 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores 
intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema.
 
 
 6a Questão (Ref.: 201401641495)
 
As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos para siderúrgicas, 
ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos,estufas entre outras. Um resistor com coeficiente de variação de 
temperatura positivo de 4.10-3 ºC-
(Ref.: 201401205841) Fórum de Dúvidas
A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, 
podemos assumir que a mesma obedece a expressão ρρρρ=ρρρρ0
constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode 
ααααT2 , onde ρ0 , b e α€são constantes. 
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a 
variação da resistividade com a temperatura no último caso citado. 
 
 
(Ref.: 201401205844) Fórum de Dúvidas
Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na rede cristalina do Silício de alta pureza é 
através da evaporação dos elementos de interesse em adequadas câmaras de vácuo, 
técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955. (MEYER HERBERT W., A History 
of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores é correto afirmar que: 
A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução 
denominadas dopagem. 
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas 
elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro. 
Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas. 
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores 
intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema. 
 
 
201401641495) Fórum de Dúvidas
As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos para siderúrgicas, 
ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos,estufas entre outras. Um resistor com coeficiente de variação de 
-1 apresenta o valor de 5KΩ a 25 C º. Qual sua resistência na temperatura de 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, 
0+ααααT, onde ρρρρ0 e αααα ao 
constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode 
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
rede cristalina do Silício de alta pureza é 
através da evaporação dos elementos de interesse em adequadas câmaras de vácuo, 
(MEYER HERBERT W., A History 
onnecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17). 
A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução 
semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas 
facilidade de transporte de cargas elétricas 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores 
 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos para siderúrgicas, 
ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos,estufas entreoutras. Um resistor com coeficiente de variação de 
º. Qual sua resistência na temperatura de 
75 C º? 
 
 4,25KΩ 
 3KΩ 
 25KΩ 
 
1KΩ 
 6KΩ 
Qual é a principal característica dos materiais semicondutores?
 
 São somente condutores
 São somente isolantes
 Não são condutores e isolantes.
 
 São somente supercondutores.
 São condutores e isolantes.
 
 
 2a Questão (Ref.: 201401205884)
 
Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se 
originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os 
semicondutores intrínsecos 
obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo.
WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, 
USA, 1997, Chapter 19). 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção
 
 
Qual é a principal característica dos materiais semicondutores? 
São somente condutores 
São somente isolantes 
condutores e isolantes. 
São somente supercondutores. 
São condutores e isolantes. 
 
 
(Ref.: 201401205884) Fórum de Dúvidas
se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se 
originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os 
semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas 
obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo.
WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, 
ando a figura a seguir, escolha a opção correta. 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se 
originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os 
de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas 
obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, 
WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, 
 
 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
 A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo
 A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio
 
 
 3a Questão (Ref.: 201401291980)
 
O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento
semicondutores extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das 
técnicas de produção desses semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de 
+4 na matriz do Silício. 
Considerando a exposição anterio
 
 
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com 
"buracos". 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. 
cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio 
 
 
(Ref.: 201401291980) Fórum de Dúvidas
O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento
semicondutores extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das 
técnicas de produção desses semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de 
Considerando a exposição anterior, PODEMOS afirmar que. 
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com 
 
 
cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento dos 
semicondutores extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das 
técnicas de produção desses semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de 
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com 
 
a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
 
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p.
 a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
 
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina 
 
 
 4a Questão (Ref.: 201401286808)
 
Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando 
assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz 
de Silício, cuja valência é 4, Si+4, promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado 
nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste 
processo. 
 
 Be+2 
 O-2 
 P+5 
 Ge+5 
 
Na+ 
 
 
 5a Questão (Ref.: 201401205888)
 
A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de 
semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica 
um fenômeno físico que pode
Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, 
Chapter 19). 
 
a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p.
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina um condutor extrínseco.
 
 Gabarito Comentado 
 
(Ref.: 201401286808) Fórum de Dúvidas
Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando 
assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz 
promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado 
nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste 
 
 
(Ref.: 201401205888) Fórum de Dúvidas
A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de 
semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica 
que pode fornecer esta informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. 
Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, 
a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n. 
inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p. 
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n. 
um condutor extrínseco. 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando 
assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz 
promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado 
nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de 
semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. 
Materials Science and Engineering ¿ An Introduction,John Wiley & Sons, USA, 1997, 
 
 
 Efeito Joule. 
 Efeito Fischer. 
 Efeito Hall. 
 
Efeito Tcherenkov. 
 
Lei de Ohm. 
 
 
 
 
 6a Questão (Ref.: 201401205862)
 
O Germânio foi um dos elementos testados no início da microeletrônica para ser utilizado 
como semicondutor; porém, o mesmo possui algumas características diferentes com 
relação ao Silício; por exemplo, é muito comum em projetos de microcircuitos, utilizar 
como condutividade elétrica máxima para o Germânio o valor de 100 (ohm.m)
Considerando-se o exposto anteriormente e sabendo
semicondutor de Germânio em função da temperatura é dada por
1
 aproximadamente, onde T 
correta abaixo: 
 
 
O componente só poderá trabalhar a temperatura ambiente de 25
corresponde a 298K na escala Kelvin.
 O componente poderá trabalhar a temperatura de 150oC,
temperatura de 423K na escala Kelvin.
 
O componente não apresentará limitações quanto a temperatura de trabalho.
 
O componente possui temperatura limite de trabalho igual a 170
a 443K na escala Kelvin.
 
O componente poderá trabalhar até a temperatura de 200
473K. 
Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta
um pedaço de 1 m de fio, e elevando
resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo
3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio.
 
 
 
 
 
 
 
 
 2a Questão (Ref.: 201401132159)
 
O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem
que modo esta dependência é explicitada?
 
 
 
 Logarítmica 
(Ref.: 201401205862) Fórum de Dúvidas
O Germânio foi um dos elementos testados no início da microeletrônica para ser utilizado 
como semicondutor; porém, o mesmo possui algumas características diferentes com 
relação ao Silício; por exemplo, é muito comum em projetos de microcircuitos, utilizar 
como condutividade elétrica máxima para o Germânio o valor de 100 (ohm.m)
se o exposto anteriormente e sabendo-se que a condutividade elétrica do 
semicondutor de Germânio em função da temperatura é dada por
 é a temperatura de trabalho em Kelvin, marque a opção 
O componente só poderá trabalhar a temperatura ambiente de 25
corresponde a 298K na escala Kelvin. 
O componente poderá trabalhar a temperatura de 150oC, 
temperatura de 423K na escala Kelvin. 
O componente não apresentará limitações quanto a temperatura de trabalho.
O componente possui temperatura limite de trabalho igual a 170
a 443K na escala Kelvin. 
O componente poderá trabalhar até a temperatura de 200
Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta
um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio restante para 75 graus Celsius, verifica
resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10
3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio. 
5 m 
15 m 
10 m 
13,5 m 
12 m 
 
 
(Ref.: 201401132159) Fórum de Dúvidas
O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De 
que modo esta dependência é explicitada? 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
O Germânio foi um dos elementos testados no início da microeletrônica para ser utilizado 
como semicondutor; porém, o mesmo possui algumas características diferentes com 
relação ao Silício; por exemplo, é muito comum em projetos de microcircuitos, utilizar 
como condutividade elétrica máxima para o Germânio o valor de 100 (ohm.m) -1. 
se que a condutividade elétrica do 
semicondutor de Germânio em função da temperatura é dada por ln σσσσ = 14 - 4.000. T-
é a temperatura de trabalho em Kelvin, marque a opção 
O componente só poderá trabalhar a temperatura ambiente de 25oC, que 
 que corresponde a 
O componente não apresentará limitações quanto a temperatura de trabalho. 
O componente possui temperatura limite de trabalho igual a 170oC, que corresponde 
O componente poderá trabalhar até a temperatura de 200oC, que corresponde a 
Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta-se 
tante para 75 graus Celsius, verifica-se que a 
se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
uma dependência com a variação da temperatura. De 
 Linear 
 Trigonométrica 
 Quadrática 
 Exponencial 
 
 
 
 3a Questão (Ref.: 201401205915)
 
Em uma experiência típica envolvendo eletricidade, consideram
suspensos por fios isolantes, aos quais foram fornecidas cargas elétricas iguais. Observa
se que o corpo 1 adquire carga em toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a 
carga concentrada no ponto de carregamento. Considerando as informações, es
alternativa correta: 
 
 
A diferença entre um condutor e um isolante é que o primeiro pode ser carregado
 
Provavelmente tanto o material 1 como o 2 são cerâmicos.
 
O corpo 1 trata-se de um isolante elétrico, enquanto o corpo 2 é um condutor elétrico.
 
Provavelmente 1 e 2 são semicondutores.
 Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de 
movimentação, enquanto no corpo 2, isso não 
 
 
 4a Questão (Ref.: 201401641499)
 
Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do
os itens abaixo, assinale a opção com exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
 
 No filme de metal o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de metal sobre um 
substrato cerâmico, sendo o filme de metal o mais barato dos processos.
 
No CERMET o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme composto de metal precioso 
e materiais cerâmicos. 
 
No filme de carbono o elemento resistivo é fabricado pela 
um substrato ou base. 
 
A composição de carbono produz um potenciômetro relativamente barato.
 
No fio enrolado há limitação quanto a resolução e desempenho de ruído.
 
 
 
 
(Ref.: 201401205915) Fórum de Dúvidas
Em uma experiência típica envolvendo eletricidade, consideram-se dois corpos, 1
suspensos por fios isolantes, aos quais foram fornecidas cargas elétricas iguais. Observa
se que o corpo 1 adquire carga em toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a 
carga concentrada no ponto de carregamento. Considerando as informações, es
A diferença entre um condutor e um isolante é que o primeiro pode ser carregado
Provavelmente tanto o material 1 como o 2 são cerâmicos. 
se de um isolante elétrico, enquanto o corpo 2 é um condutor elétrico.
Provavelmente 1 e 2 são semicondutores. 
Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de 
movimentação, enquanto no corpo 2, isso não ocorre. 
 
 
(Ref.: 201401641499) Fórum de Dúvidas
Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando 
os itens abaixo, assinale a opção com exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
No filme de metal o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de metal sobre um 
substrato cerâmico, sendo o filme de metal o mais barato dos processos. 
No CERMET o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme composto de metal precioso 
No filme de carbono o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de carbono sobre 
A composição de carbono produz um potenciômetro relativamente barato.
No fio enrolado há limitação quanto a resolução e desempenho de ruído. 
 
 Gabarito Comentado 
 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
se dois corpos, 1 e 2, 
suspensos por fios isolantes, aos quais foram fornecidas cargas elétricas iguais. Observa-
se que o corpo 1 adquire carga em toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a 
cargaconcentrada no ponto de carregamento. Considerando as informações, escolha a 
A diferença entre um condutor e um isolante é que o primeiro pode ser carregado 
se de um isolante elétrico, enquanto o corpo 2 é um condutor elétrico. 
Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando 
os itens abaixo, assinale a opção com exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO: 
No filme de metal o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de metal sobre um 
 
No CERMET o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme composto de metal precioso 
deposição de um filme de carbono sobre 
A composição de carbono produz um potenciômetro relativamente barato. 
 5a Questão (Ref.: 201401641498)
 
Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando 
os itens abaixo, assinale a opção que contem exemplo 
 
 
composição de carbono e plástico
 
fio enrolado e CERMET 
 
cerâmica e fio enrolado
 CERMET e filme de carbono
 filme de madeira (wood film) e filme de metal
 
 
 6a Questão (Ref.: 201401205921)
 
Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta 
capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material 
mostrado na figura a seguir. Considerando
razão entre a sua carga, Q
submetido, ou seja, C=Q/V
capacitor mostrado na figura.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John 
Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
 
 
0. 
 
Q0 = C. V 
 
C=Q0 / V 
 C=Q´/V. 
(Ref.: 201401641498) Fórum de Dúvidas
Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando 
os itens abaixo, assinale a opção que contem exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
composição de carbono e plástico 
 
cerâmica e fio enrolado 
CERMET e filme de carbono 
filme de madeira (wood film) e filme de metal 
 
 Gabarito Comentado 
 
(Ref.: 201401205921) Fórum de Dúvidas
Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta 
capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material 
mostrado na figura a seguir. Considerando-se que a capacitância, C
Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está 
C=Q/V, assinale a opçãocorreta que fornece a capac
capacitor mostrado na figura. 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John 
Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando 
quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO: 
 
Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta 
capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material dielétrico, como 
C, de um capacitor é a 
, ao qual o mesmo está 
que fornece a capacitância do 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John 
 C=(Q0 + Q´) / V