AV2_Materiais Elétricos

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Avaliação: CCE0252_AV2_xxxxxxxxxx » MATERIAIS ELÉTRICOS
	Tipo de Avaliação: AV2
	Aluno: 
	Professor:
	JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS
	Turma: 9003/AB
	Nota da Prova: 3,0 de 8,0         Nota do Trab.: 0        Nota de Partic.: 1        Data: 11/06/2015 18:25:33
	
	 1a Questão (Ref.: 201308388780)
	Pontos: 0,0  / 1,5
	Para dimensionar um circuito elétrico é conveniente considerarmos a resistividade e a resistência elétrica. Diferencie conceitualmente a resistividade elétrica de resistência elétrica.
		
	
Resposta: Resistividade é a capacidade de um material impedir o fluxo de elétrons e resistência é a propriadade calculada para diminuir o fluxo de elétrons.
	
Gabarito: Resistência revela a capacidade do material de resistir a passagem de corrente elétrica, depende do comprimento e da área do condutor.
	
Fundamentação do(a) Professor(a): Resposta incorreta.
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201308209646)
	Pontos: 0,0  / 1,5
	     O tamanho dos componentes eletrônicos vem diminuindo de forma impressionante. Hoje podemos imaginar componentes formados por apenas alguns átomos. Seria esta a última fronteira? A imagem a seguir mostra dois pedaços microscópicos de ouro (manchas escuras) conectados por um fio formado somente por três átomos de ouro.
Esta imagem, obtida recentemente em um microscópio eletrônico por pesquisadores do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron, localizado em Campinas, demonstra que é possível atingir essa fronteira. Calcule a resistência R desse fio microscópico, considerando-o como um cilindro com três diâmetros atômicos de comprimento. Lembre-se que, em Eletricidade Tradicional, a resistência de um cilindro é dada por R = ρ(L/A) onde ρ é a resistividade, L é o comprimento do cilindro e A é a área da sua secção transversal. Considere a resistividade do ouro ρ =1,6×10-8Ωm, o raio de um átomo de ouro 2,0×10-10m e aproxime π para 3,2.
		
	
Resposta: R = (1,6 x 10^-8) x {3 x [3,2 x (2,0 x 10^-1)^2]} R = (1,6 x 10^-8) x (384 x 10^-21) R = 6,144 x 10^-27 ohm
	
Gabarito: 150 Ω
	
Fundamentação do(a) Professor(a): Resposta incorreta.
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201308240692)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Determine a resistência de um condutor de cobre com seção reta circular, 32 metros de comprimento e raio de 1,2 mm. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	 
	0,12 Ω
	
	12,0 Ω
	
	34 Ω
	 
	3,4 Ω
	
	120 Ω
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201308302585)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
		
	
	O-2
	
	Al+3
 
	
	Ba+2
	 
	 
B+3
 
	 
	As+5
 
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201308228921)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm?
		
	
	 Resistividade
	
	Condutância
	 
	Resistência
	
	Indutância
	
	Condutividade
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201308302654)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
		
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201308240693)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	
	640 mV
	
	6,4 V
	 
	1,2 V
	 
	64 mV
	
	120 mV
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201308738267)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	As aplicações de telecomunicações, equipamentos médicos e controle, instrumentação e sensoriamento de grandezas físicas são críticas e exigem resistores de alta precisão. A escolha de um resistor de precisão para uma aplicação não envolve apenas a observação de sua tolerância. Pode-se afirmar que vários fatores podem influenciar o valor de um resistor de precisão. Considerando os itens abaixo, assinale a opção com fator INCORRETO:
		
	 
	indutância
	
	alta frequência da corrente
	 
	umidade ambiente
	
	temperatura ambiente
	
	impurezas do ambiente
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201308302718)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Considerando um capacitor de placas paralelas com as seguintes características:
Área = 8.10-4 mm2, l = 3.10-3 m, r=5 (constante dielétrica do meio) e 0= 9.10-12 F/m, como mostra a figura a seguir, pode-se afirmar que o deslocamento dielétrico dado por D= (V/L) é igual a:
 
		
	
	16,8 . 10-8 C/m2
	
	4,8 . 10-8 C/m2
	
	0,08 . 10 8 C/m2
	
	132,8 . 10-14 C/m2
	 
	25,0 . 10-8 C/m2
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201308302990)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A utilização de fibras óticas na transmissão de dados apresenta diversas vantagens, como por exemplo, o menor peso em relação ao material metálico que normalmente era utilizado, o Cobre.
O gráfico a seguir contém informações quanto às bandas de freqüência utilizadas.
 
Podemos afirmar que:
		
	 
	Na frequência média de 0,85 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8.
	
	Na frequência média de 1,55 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8.
	
	Na frequência média de 1,3 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8.
	
	Na frequência média de 0,85 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,3.