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DIODOS SEMICONDUTORES Fellipe Hiroshi Yatabe 201503237061 Rio de Janeiro, Outubro de 2019 Diodos semicondutores A palavra diodo significa di = dois e odos = pólos ou eletrodos este nome provém da válvula eletrônica que consistia em uma ampola de gás utilizada com a mesma finalidade que o diodo semicondutor de estado sólido inventado anos mais tarde. Equivalência entre o diodo de ampola de gás (válvula eletrônica) e o diodo semicondutor. Diodo semicondutor de junção - PN Devemos lembrar que, quando os átomos da impureza substituem os átomos de germânio ou silício, apenas os elétrons praticamente livres fornecidos pelas impurezas pentavalentes e os buracos fornecidos pelas impurezas trivalentes podem se deslocar sob o efeito de um campo elétrico. Estrutura atômica da junção No cristal-N existem muito mais elétrons que no tipo-P, assim como no cristal- P existem mais buracos ou lacunas que no lado N. Consequentemente, terá início um processo de difusão dos elétrons do cristal-N para o cristal-P, e de lacunas do cristal-P para o cristal-N. Junção PN e a formação da barreira de potencial Os elétrons e os buracos que se recombinam deixaram próximos a junção, íons positivos e íons negativos resultantes do arrancamento dos elétrons e dos buracos, respectivamente. Estes íons são chamados de cargas descobertas e a região em torno da junção onde se formarem estas cargas descobertas é denominada de região de transição ou região de barreira de potencial. Características da junção – PN Logo que é formada a junção-PN, tem-se início o processo de difusão das cargas elétricas. À medida que os elétrons e buracos vão se recombinando na junção, vão surgindo as cargas descobertas que tendem a impedir a passagem de novos portadores e este processo continuará até que haja um equilíbrio termoquímico entre os cristais. Lembrando-se que tanto na região-P como na região-N pares de elétronsburacos estão sempre sendo gerados por quebra de ligações covalentes, e sempre se recombinado, completando as ligações covalentes descobertas. As cargas descobertas dão origem a uma d.d.p. de valor Vo. Esta d.d.p. pode ser esquematicamente representada por uma bateria. A medida que as cargas descobertas vão se formando e aglomerando-se em torno da junção, elas começam a repelir a injeção de novos portadores. Esta é a causa, porque o processo de difusão não prossegue indefinidamente. Os átomos das impurezas do lado-P tornam-se não neutro, tendo em excesso uma carga negativa para cada átomo, logo ele passa a ser um íon negativo. Quando os elétrons do lado-N vão para o lado-P, eles deixam as impurezas com um elétron a menos e daí o átomo deixa de ser neutro, passando a ter mais carga positiva, então ele se torna um íon positivo. Essas cargas elétricas criam um campo elétrico e esse campo elétrico tem um sentido dirigido das cargas positivas para as negativas. Esse campo elétrico irá empurrar os elétrons de P para N e lacunas de N para P criando uma corrente de deriva. Aparece então uma situação de equilíbrio dinâmico, em que cada vez que passar um eletron a mais para o lado P ele irá aumentar a carga fixa e isto aumentará o campo que irá dificultar a passagem de elétrons de N para P. Conclusão sem fornecer energia externa a corrente resultante neste caso é zero. Conclusão, sem fornecer energia externa (bateria) a corrente resultante é nula (zero). Onde [n] é a concentração de portadores N e [p] é a concentração de portadores P. Polarização Direta Com recursos externos, pode-se neutralizar facilmente a ação da barreira de potencial na junção-PN. Para isso, basta aplicar uma fonte, isto é, uma bateria com seus terminais ligados às extremidades da junção. Na polarização direta liga-se o pólo negativo da bateria no cristal-N e o pólo positivo no cristal-P. Ao se ligar a fonte, os portadores começarão a se deslocar na junção da seguinte maneira. Os elétrons livres do cristal-N são repelidos pelo pólo negativo da bateria e se deslocam para a junção, enquanto que as lacunas do cristal-P são repelidos pela ação do pólo positivo da bateria, e se deslocam em sentido contrário aos elétrons em direção à junção. Para que haja injeção dos portadores é necessário que o potencial da bateria seja maior que o efeito produzido pela barreira de potencial. Uma vez que os elétrons do lado-N serão repelidos pelo terminal negativo da bateria e os buracos do lado-P serão repelidos pelo terminal positivo da bateria em direção à junção, isto fará com que o efeito de barreira de potencial seja diminuído consideravelmente. Diminuído o efeito da barreira, a corrente aumentará bastante. O número de portadores que na maioria tenderão a atravessar a junção para este tipo de ligação (polarização direta) nos fornecerá uma corrente de valor alto a qual denominamos de corrente direta. Polarização Inversa A corrente intrínseca cria na junção-PN uma região de “esvaziamento” ou “ depressão”, a qual esta constituida de portadores da maioria das cargas. Na junção-PN do germânio, a região de depressão resulta do movimento de elétrons e lacunas através da junção. O campo elétrico que se estabelece na região de depressão impede o movimento de elétrons e lacunas através da junção. Quando se aplica uma diferença de potencial á junção-PN dizemos que a mesma está polarizada. Quando se liga o terminal positivo da bateria no semicondutor tipo-N e o terminal negativo no semicondutor tipo-P da junção-PN dizemos que a mesma está polarizada inversamente e o contrário dizemos que a junção-PN está polarizada diretamente. Curva característica do Diodo Curva característica do diodo semicondutor.
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