(A) Levantamento da Curva caracteristica do diodo

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CURSO DE ENGENHARIA DE TELECOMUNICAÇÕES 
 
 
 Disciplina: Eletrônica (Laboratório) - Turma: ______ - Data: ___/___/___ 
 
 
 Alunos: ________________________________ 
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 PRÁTICA 01: LEVANTAMENTO DA CURVA CARACTERÍSTICA 
 DO DIODO SEMICONDUTOR 
 
 
 Introdução 
 
 Os semicondutores são materiais que apresentam características 
intermediárias entre os condutores e isolantes. Os mais utilizados são o silício e o germânio. 
Em sua forma cristalina e pura (intrínseca) apresentam pouca utilidade na Eletrônica, mas 
quando dopados com materiais trivalentes e pentavalentes os tornamos úteis, formando 
assim os materiais tipo P e tipo N respectivamente. Estes semicondutores dopados passam 
a ser denominados materiais extrínsecos. 
 No material tipo P os portadores majoritários de corrente são as lacunas ou 
buracos e os minoritários são os elétrons. 
 No material tipo N os portadores majoritários de corrente são os elétrons e os 
minoritários são as lacunas. 
 Para constituirmos os diodos de junção, é necessário unir os materiais tipo P 
e tipo N de modo a formar a junção PN. 
 Haverá, então, um deslocamento de elétrons do material N para o material P 
e, simultaneamente, um deslocamento de lacunas do material P para o material N, onde os 
portadores de carga, elétrons e lacunas recombinam-se, anulando suas cargas, surgindo 
uma região denominada de barreira de potencial. 
 A diferença de potencial da barreira de potencial para os diodos de silício é de 
aproximadamente 0,7 V e para os diodos de germânio aproximadamente 0,3 V. 
 
 
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 A diferença de potencial da barreira de potencial para os diodos de silício é de 
aproximadamente 0,7 V e para os diodos de germânio aproximadamente 0,3 V. 
 Podemos polarizar a junção PN de duas maneiras: diretamente ou 
inversamente. Na polarização direta (pólo positivo da bateria ligado ao material tipo P e pólo 
negativo ligado ao material tipo N) a junção PN apresenta características condutivas: baixa 
resistência (da ordem de algumas dezenas de ohms) e entre os terminais da junção 
aparecerá uma ddp, que para o semicondutor de silício está compreendida entre 0,5 V e 
0,8 V. 
 Na polarização inversa (pólo positivo da bateria ligado ao material tipo N e o 
pólo negativo do material tipo P) a junção PN apresenta características isolantes: resistência 
ôhmica de alto valor, circulando uma pequena corrente, denominada corrente de fuga. 
 O diodo semicondutor nada mais é do que o encapsulamento e a conexão de 
terminais de uma junção PN, onde o material tipo P é conhecido como anodo e o material 
tipo N é conhecido como catodo. 
 Quando polarizado o diodo apresenta as mesmas características da junção 
PN. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 Na polarização direta, só haverá condução de corrente depois de vencida a 
barreira de potencial. A partir daí, a corrente aumenta de valor, enquanto a tensão 
permanece praticamente igual à VD. 
 
 
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 Na polarização reversa, a corrente é praticamente nula até atingir um 
determinado valor de tensão (VRM). A partir daí, inicia-se o processo de avalanche. 
 
 Objetivo 
 
 O objetivo desta experiência é levantar a Curva Característica do diodo 
 semicondutor . 
 
 
 Material 
 
 Resistor fixo: 1 kΩ, ± 5%, ¼ W (um) 
 Diodo semicondutor: 1N4007 (um); 
 Multímetro (analógico ou digital) (um); 
 Fonte de alimentação CC de 0 V a 30 V (uma); 
 Matriz de contatos (Protoboard) (uma); 
 Fios jumper. 
 
 
 Procedimentos 
 
 
 1. Proceder a montagem do circuito a seguir. 
 
 
 
 2. Ajustar a fonte de alimentação de forma a ter no diodo os valores de 
 tensão do quadro abaixo. Para cada caso, medir e anotar a corrente no 
 circuito. 
 
VD (volts) 0,0 0,2 0,4 0,5 0,6 0,7 
 ID (mA) 
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 3. Com os dados obtidos na tabela acima, construir a curva característica do 
 diodo semicondutor em formatação MAT LAB. 
 
 4. Inverter a fonte de alimentação, conforme a figura abaixo, e repetir os 
 procedimentos do item anterior para as novas situações. 
 
 
VD (volts) 0,0 0,5 1,0 5,0 10,0 11,0 15,0 20,0 30,0 
 ID (mA) 
 
 
 5. Com os dados obtidos na tabela acima, construir a curva característica do 
 diodo semicondutor em formatação MAT LAB. 
 
 
 Conclusões 
 
 
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