Atividade para avaliação_Microeletrônica - Semana 4_Nota 10

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1 ptsPergunta 1
Somente as afirmativas I e II estão corretas.
Somente a afirmativa I está correta
Somente a afirmativa II está correta
Todas as afirmativas estão corretas
Somente as afirmativas II e III estão corretas.
Considere as seguintes propriedades do óxido de silício utilizado na fabricação de circuitos
integrados:
Pode ser utilizado como meio de mascaramento seletivo nas difusões de impurezas
doadoras e aceitadoras.
I.
Fornece isolação elétrica.II.
Funciona como barreira contra a penetração de impurezas no silício.III.
Agora responda:
1 ptsPergunta 2
fissão, oxidação pirogênica, fusão.
deposição por plasma, oxidação seca, oxidação úmida.
drenagem, por arco elétrico, por arco voltaico.
difusão, implantação iônica, deposição por plasma.
por repuxamento, por crescimento parabólico do óxido, implantação iônica.
Dentre os processos de obtenção da camada de óxido de silício sobre o substrato de silício no
processo de fabricação de circuitos integrados, podemos citar:
1 ptsPergunta 3
da ionização da lâmina de silício para obtenção do óxido.
do decapeamento térmico da lâmina de silício.
No processo de oxidação térmica a camada de óxido de silício é obtida através:
do derretimento superficial da lâmina de silício.
da deposição do óxido de silício sobre a lâmina de silício.
do crescimento do óxido de silício a partir da lâmina de silício.
1 ptsPergunta 4
dopante, anidra e pirotécnica.
seca, úmida e pirogênica.
passiva, iônica e luminescente.
plasmática, voltaica e hidrogeniônica.
iônica, catódica e anódica.
Existem basicamente três técnicas de Oxidação Térmica, normalmente utilizadas na obtenção
da camada de óxido de silício sobre o substrato de silício, são elas:
1 ptsPergunta 5
Somente as afirmativas I e II estão corretas.
Somente a afirmativa II está correta.
Somente a afirmativa III está correta.
Todas as afirmativas estão corretas.
Somente a afirmativa I está correta.
Em relação ao processo de dopagem, podemos afirmar que:
A camada de óxido de silício pode ser utilizada como máscara no processo de
dopagem.
I.
Os semicondutores utilizados no processo de dopagem são também chamados de
semicondutores extrínsecos.
II.
A dopagem pode ser obtida através do processo de oxidação térmica.III.
1 ptsPergunta 6
As (arsênio).
B (boro).
Ga (gálio).
In (indio).
Si (silício).
Dos elementos químicos abaixo (referenciados pelos seus símbolos químicos), qual se
constitui de uma impureza doadora no processo de dopagem?
1 ptsPergunta 7
de dreno, dopagem, reação
iônica, profundidade, aceleração
elétrica, lacuna, ativação
alternada, tensão aplicada, carga
intrínseca, dopagem, ativação
Na dopagem por implantação iônica, a concentração de dopante inserido depende da corrente
__________ e do tempo de implantação. Ao passo que a ___________ depende da energia
de __________ do íon.
1 ptsPergunta 8
Somente a afirmativa I está correta.
Somente as afirmativas I e II estão corretas.
Somente as afirmativas II e III estão corretas.
Quando comparamos os processos de dopagem por difusão e dopagem por implantação
iônica, podemos afirmar que:
A dopagem por implantação iônica apresenta melhor uniformidade dopante e
reprodutibilidade.
I.
A dopagem por difusão apresenta baixo risco de contaminação, ao passo que a
dopagem por implantação iônica apresenta alto risco de contaminação.
II.
A implantação iônica pode ser realizada à temperatura ambiente (25ºC), ao passo que
a dopagem por difusão requer altas temperaturas.
III.
Salvo em 20:34 
Todas as afirmativas estão corretas.
Somente as afirmativas I e III estão corretas.
1 ptsPergunta 9
P e B.
B e Sb.
Ga e In.
P e As.
Sb e As.
Quais dos elementos químicos abaixo podem ser utilizados para obter regiões dopadas do tipo
N e do tipo P, respectivamente?
1 ptsPergunta 10
O ou H O.
CO ou NO .
vácuo ou SO
vácuo ou O .
gás ionizado ou plasma.
No processo de oxidação térmica dentro do forno de oxidação, para produção da atmosfera
oxidante a que a lâmina de silício será exposta provocando o crescimento do óxido de silício
(SIO ), são normalmente utilizados:2
2 2
2 2
3
3
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