Amplificador com JFET

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INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DE 
SANTA CATARINA 
Curso de Graduação em Engenharia Elétrica 
 
 
 
 
Fabricio Simões Fonseca Hermes 
Matheus Meinerz Antunes 
Nefi Estork 
 
 
 
 SIMULAÇÕES DURANTE PERÍODO DE AULAS EAD: 
Simulação do Amplificador com JFET 
 
 
 
 
 
Relatório com o objetivo de reproduzir, 
simular e analisar o JFET BF245B contendo 
gráficos ilustrando os resultados das 
simulações e demonstrando o que é 
explicado na teoria para cada circuito e 
simulação. 
 
 
 
 
 
ITAJAÍ 
04 de Maio de 2020 
 
1. INTRODUÇÃO 
 
 Nesta simulação, foi proposto utilizar o circuito exemplificado em aula a seguir 
(figura 1). Sendo necessário realizar a montagem e a simulação deste circuito por 
meio de software de simulação. Tal circuito está apresentado abaixo (figura 2), feito 
isso foram calculados o ponto de operação, a reta de carga e ganho do circuito. 
 
 
 
Figura 1 - Circuito Base Figura 2 - Circuito montado no Protheus 
 
 
2. OBJETIVO 
 
Calcular o ponto de operação do transistor JFET, calcular o seu ganho e 
aplicar um sinal alternado a fim de comparar os resultados obtidos. 
 
 
 
3. MATERIAIS 
 
- Proteus Design Suite; 
- Microsoft Exel; 
- Datasheet BF245B Datasheet (PDF) - Siemens Semiconductor Group. 
 
 
 
 
 
 
 
 
. 
 
 
 
4. EXECUÇÃO E RESULTADOS 
 
4.1 Parte 1 
 
Com o circuito montado, calculou-se os valores de Vgs e Id, os pontos da reta de 
carga e o ponto de operação do transistor. 
 
Figura 3 - Circuito montado no Protheus 
Através dos dados: Vcc= 9V; Vbe= 0,7V ; RD = 2.11kΩ ; RG = 2,2MΩ , iniciou-se os 
cálculos: 
 Primeiro obteve-se os pontos da reta de carga: 
- Ponto 1: sendo Vds = 0 
Id = (Vcc / RD), 
Id = (9 / 2.11k), 
Id = 4,26mA. 
- Ponto 2: sendo Id = 0 
Vgs = Vcc, 
Vgs = 9V. 
 Primeiro foi calculado Ib: 
Ib = (Vcc - Vbe)/RG, 
Ib = (9 - 0,7)/2,2M, 
Ib = 3,77µA. 
 Em seguida aferiu-se Id, como mostra a figura acima: 
Id = 3,79mA. 
 Com Id e Ib aferidos no programa podemos achar o valor de 𝛽: 
𝛽 = Id / Ib, 
𝛽 = 3,79m / 3,77µ, 
𝛽 = 1005,30. 
 Com os valores de 𝛽 e Ic podemos calcular o Vgs: 
Vgs = (Vcc -Id * RD), 
Vgs = 9 - (3,79m . 2,11k), 
Vgs = 0,9973 V. 
 Feito isso, calculou-se o valor de Id através dos valores obtidos a fim de 
comparar com os valores obtidos no Protheus: 
Id = 𝛽 * Ib, 
Id = 1005,30 * 3,77µ, 
Id = 3,79mA. 
Como mostrado nos cálculos acima obtivemos o mesmo valor que o software. Logo, 
o ponto de operação do transistor são Id = 3,79mA e Vgs = 0,9973V. Como mostra a 
imagem abaixo: 
 
Figura 4 – Ponto de Operação 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
0; 4,26
9; 0
0,9973; 3,79
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Vgs x Id
 4.2 Parte 2 
Partindo do circuito exemplificado passado em aula, foi feita uma simulação do 
mesmo a fim de retirar sua tensão de saída. Como mostra na imagem abaixo: 
 
Figura 4 – Circuito base 
Em seguida foi realizada uma nova simulação, que consistia em adicionar uma fonte 
de tensão alternada de 10mA na entrada do circuito. 
 
Figura 4 – Circuito com Sinal Alternado na Entrada 
Na primeira simulação obteve-se em sua saída 2V, enquanto que na segunda 
simulação teve como resultado em sua saída 6,82V. Tendo isso em vista foi 
calculado o ganho do circuito. 
Ganho (V) = Vf – Vi 
Ganho (V) = 6,82 – 2 
Ganho (V) = 4,82 V 
OU 
Ganho (%) = (6,82 . 100) / 2 
Ganho (%) = 341% 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
5. REFERÊNCIAS 
 
● https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/44473/SIEMENS/BF245B.html 
● Material do SIGAA. 
● https://slideplayer.com.br/slide/1594741/ 
● https://pt.slideshare.net/GustavodeAzevedo/fet-completo 
 
 
https://slideplayer.com.br/slide/1594741/
https://pt.slideshare.net/GustavodeAzevedo/fet-completo