ExerciciosResolvidosEA1_S4

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CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA 
 COMPONENTE: ELETRÔNICA ANALÓGICA I 
 RESOLUÇÃO DE EXERCÍCIOS 
1 Prof. Eng. Lúcio Rogério Júnior 
 
 
 4ª Semana - Exercícios com Resolução 
 
1 – A junção base-emissor de um transistor pode ser comparada a qual componente eletrônico? Como deve ser 
polarizada essa junção? 
A junção base-emissor pode ser comparada a um diodo de junção PN. Quando consideramos um transistor de 
silício teremos uma queda de tensão de aproximadamente 0,7V na polarização direta. Essa junção deve ser 
polarizada diretamente para que o transistor entre em operação (região ativa ou saturação). Uma desvantagem 
desta junção comparada ao diodo é a baixa tensão reversa (Veb max) suportada, tendo valores menores que 
10V para transistores de sinal. 
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2 – Considerando um transistor bipolar de junção com uma corrente de emissor Ie = 45mA e uma corrente de 
coletor Ic = 43,5mA, encontre o valor de αcc (alfa cc)? 
αcc = 
𝐼𝑐
𝐼𝑒
 αcc =
44,5𝑚
45𝑚
 αcc = 0,989 
 
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3 – Na configuração emissor comum, como estão polarizadas as junções de um transistor? 
 
Na configuração emissor comum, o terminal emissor do transistor é comum ao sinal de entrada e ao sinal de 
saída. Nesta configuração temos a junção base-emissor polarizada diretamente (como um diodo PN) e a junção 
base-coletor polarizada reversamente. 
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4 – Ao utilizar um multímetro na escala de resistência (Ohmímetro) para medir as junções de um transistor em 
boas condições, o ohmímetro irá indicar: 
 
 
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a) baixa resistência na junção BC e alta resistência na junção BE 
b) alta resistência na junção BC e baixa resistência na junção BE 
c) baixa resistência na junção BC e baixa resistência na junção BE 
d) alta resistência na junção BC e alta resistência na junção BE 
e) uma resistência de 10 ohms na junção BC e 100 ohms na junção BE 
 
A alternativa correta é a letra (b). Podemos utilizar um multímetro na escala de diodo ou um ohmímetro para 
medir um diodo. 
Quando utilizamos um ohmímetro, verificamos que ao medir a junção BC, um alto valor de resistência será 
mostrado ou teremos um valor que excede a resistência máxima medida, pois ao polarizar um transistor NPN 
com positivo na base e negativo no coletor estaremos polarizando esta junção reversamente. 
Ao aplicarmos positivo na base e negativo no emissor de um transistor NPN, estamos polarizando a junção BE 
diretamente, consequentemente uma baixa resistência é apresentada no multímetro. 
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5 – O que significa o ponto A no gráfico de operação de um transistor BJT (transistor bipolar de junção)? 
 
 
O ponto ‘A’ na curva representa o ponto de saturação de um transistor real. Veja que neste ponto, o valor da 
corrente será o máximo, não atingindo a extremidade superior da reta vermelha. Neste ponto temos um valor 
de VCE (tensão coletor-emissor) menor que 1V (nesta condição). 
Avalie que na primeira reta horizontal inferior (ponto B), temos uma corrente de base nula, nesta situação o 
transistor está em corte. Ao passo que aumentamos o valor da corrente de base, o transistor começa a conduzir, 
consequentemente mudamos o ponto de operação, deslocando o ponto ‘B’ para cima, aumentando a corrente 
de coletor (eixo y) e diminuindo a queda de tensão nos terminais coletor-emissor (eixo x). 
Se continuarmos aumentando o valor da corrente de base iremos alcançar a condição de saturação, ponto ‘A’, 
onde teremos o mínimo valor de queda de tensão nos terminais coletor-emissor e a máxima corrente de coletor. 
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6 – Para um transistor BJT com operando com o valor do βcc = 85, encontre o valor do αcc. 
αcc = 
β
β + 1
 αcc = 
85
85 + 1
 αcc = 0,988 
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7 – Para as configurações abaixo classifique informando o tipo de configuração e o tipo de transistor: 
 
Configuração Base comum, pois o terminal base é comum ao sinal de entrada 
(aplicado no coletor) e comum ao sinal de saída (derivado do coletor). 
Transistor PNP (Emissor Positivo, Base Negativo e Coletor Positivo). 
 
 
Configuração Emissor comum, pois o terminal emissor é comum ao sinal de 
entrada (aplicado na base) e comum ao sinal de saída (derivado do coletor). 
Transistor NPN (Emissor Negativo, Base Positivo e Coletor Negativo). 
 
 
 
Configuração Coletor comum, pois o terminal coletor é comum ao sinal de entrada 
(aplicado na base) e comum ao sinal de saída (derivado do emissor). 
Transistor NPN (Emissor Negativo, Base Positivo e Coletor Negativo). 
 
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8 – Para o circuito abaixo, encontre o valor da tensão emissor-coletor (Vec), da corrente de coletor (Ic) e da 
corrente de base (Ib). Considere o transistor de silício com um β de 100. 
 
𝐼𝑏 = 
10 − 5 − 0,7
150𝑘
 𝐼𝑏 = 
4,3
150𝑘
 𝑰𝒃 = 𝟐𝟖, 𝟔𝟕𝒖𝑨 
𝛽 =
𝐼𝑐
𝐼𝑏
 Ic = β ∗ Ib Ic = 100 ∗ 28,67u 𝐈𝐜 = 𝟐, 𝟖𝟔𝟕𝐦𝐀 
VRC = Ic * RC VRC = 2,867m * 2,2k VRC = 6,3VV 
Vec = 10 – VRC Vec = 10 – 6,3 Vec = 3,7 V 
 
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9 – Determine a corrente de saturação (Ic sat)para o circuito mostrado abaixo: (Considere um transistor ideal) 
 
 
 
Quando um transistor BJT ideal está operando na região de saturação, a queda de tensão de tensão entre seus 
terminais de potência (coletor-emissor) será nula, consequentemente toda a tensão de alimentação estará no 
resistor RC. Nesta situação o transistor opera como uma chave completamente fechada. Desta forma temos: 
𝐼𝑐 𝑠𝑎𝑡 =
𝑉𝑐𝑐
𝑅𝑐
 𝐼𝑐 𝑠𝑎𝑡 = 
15
1𝑘
 𝐼𝑐 𝑠𝑎𝑡 = 15𝑚𝐴 
 
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10 – Classifique o tipo de polarização e configuração da ilustração mostrada abaixo. 
 
 
 
 
Se observarmos o terminal emissor, temos as fontes de alimentação de entrada (Veb) e de saída (Vce) ligadas 
a ele. Desta forma podemos concluir que a configuração é emissor comum, pois temos os sinais de entrada e 
saída comum ao terminal de emissor. 
Se analisarmos as polaridades das fontes de alimentação ligadas aos três materiais (PNP), identificaremos que 
a junção emissor-base (EB) está polarizada diretamente e a junção emissor-coletor (EC) está polarizada 
reversamente. 
 
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