Avaliação Final (Princípios de Eletrônica Analógica)

Prévia do material em texto

Avaliação Final: Princípios de Eletrônica Analógica- CT 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1. Considere o circuito da Figura abaixo e calcule o ripple Vrpp e a tensão média VL na carga RL. 
VP = 110 V 
VS1 = VS2 = 15 V 
RL = 100 Ω 
C = 1000 µF 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2. Qual é o valor do capacitor que, submetido a uma tensão de 100 V, armazena 10 µC de carga? 
3. Um capacitor de 100 nF está carregado com 50 µC. Qual é a tensão entre os seus terminais? 
 
 
Para achar a VRPP foi substituído os valores de Vp e C, e como é de onda completa f = 120Hz 
VRPP = 110V/(1000X10-6FX120HzX100Ω) = 9,17V 
 
Vmáx = 15 – 1,2 (onda completa) = 13,8V 
 
VL = 13,8 – 9,17/2 = 9,21V 
C = Q/V = 10x10
-6/100 = 100nF 
V = Q/C = 50x10
-6/100x10
-9 = 500V 
Princípios de Eletrônica Analógica - CT 
Aluno (a): KETILEN MICHELLY SARAIVA DA SILVA Data: 20 /07 / 2020. 
Avaliação Final NOTA: 
INSTRUÇÕES: 
 
❖ Esta Avaliação contém 08 questões, totalizando 10 (dez) pontos. 
❖ Você deve preencher dos dados no Cabeçalho para sua identificação 
o Nome / Data de entrega 
❖ As respostas devem ser digitadas abaixo de cada pergunta. 
❖ As questões que envolvem cálculo só serão avaliadas se constarem os mesmos. 
❖ Ao terminar grave o arquivo com o nome: Avaliação Final (nome do aluno). 
❖ Envie o arquivo pelo sistema. 
 
 
 Avaliação Final: Princípios de Eletrônica Analógica- CT 
4. Especifique os capacitores abaixo conforme os dados dos seus encapsulamentos: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
5. Esboce a curva característica do diodo 1N4004, sabendo que ele é de silício e que suas principais 
especificações, obtidas em um manual, são: 
 
IFmáx = 1 A 
VRmáx = 400 V 
 
 
 
 
 
6. O que é dopagem? 
 
 
 
 
 
7. Considere um transformador especificado para operar com tensão 110 V no primário e 15 V no 
secundário com capacidade de corrente de 1 A. Determine: 
 
a) A tensão eficaz no secundário (Vef) ao aplicar-se 127 V no primário. 
 
 
 
 
b) A corrente no primário quando o transformador estiver fornecendo a corrente máxima no 
secundário (1 A). 
 
 
 
 
 
a) 0,47µF ± 10% 250V 
b) 47000pF ± 10% 250V 
c) 47000pF ± 20% 50V 
É o processo pelo qual se introduzem impurezas (átomos diferentes do Si e do Ge) em uma 
rede cristalina de um semicondutor de maneira a modificar adequadamente suas propriedades 
físicas de forma controlada. Assim, são constituídos semicondutores tipo P e N. 
Vp/Vs = Is/Ip = Np/Ns 
110/15 = 127/Vs => Vs = 17,31V 
Vp/Vs = Is/Ip = Np/Ns 
110/15 = 1/Ip => Ip = 0,136A ou 136mA 
 
 Avaliação Final: Princípios de Eletrônica Analógica- CT 
8. Dados os sinais a seguir, determine os valores solicitados a partir dos valores fornecidos: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Vdc = 2 x Vmáx/π = 24/3,14 = 7,64V 
Vef = Vmáx/√2 = 12/√2 = 8,46V 
T = 50ms 
f = 1/T = 1/50m = 20Hz 
w = 2/ πf = 2/3,14x20 = 125,66 rad/s 
Vdc = 0 
Vmáx = Vef /√2 = 50/√2 = 35,35V 
T = 2µs 
f = 1/T = 1/2µ = 500Hz 
w = 2/ πf = 2/3,14x500 = 3141 rad/s 
Imáx = Idc x π = 1x3,14 = 3,14A 
Ief = Imáx/2 = 3,14/2 = 1,57A 
T = 1/f = 1/400k = 2,5µs 
w = 2/ πf = 2/3,14x400k = 2513rad/s