Exercícios de Circuitos com Diodos

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Exercício 1:
Para os circuitos abaixo, assinale a alternativa que indique em quais circuitos à
lâmpada está acesa. Considere os diodos ideais e a lâmpada de 12V.
A)
a, d, f, g.
B)
a, b, e, g.
C)
b, c, e, f.
D)
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b. d. f, g.
E)
c, d, e, f.
O aluno respondeu e acertou. Alternativa(A)
Comentários:
A) 
Exercício 2:
Analise as frases abaixo e assinale a alternativa correta:
I – Em um material semicondutor intrínseco, a elevação da temperatura provoca
agitação térmica que rompe as ligações covalentes e forma pares elétron-lacuna.
 
II – Um semicondutor tipo P possui impurezas pentavalentes possuindo mais
lacunas do que elétrons livres. Já o semicondutor tipo N possui impurezas
trivalentes ficando com mais elétrons livres do que lacunas.
 
III – Uma junção PN é a união de um material tipo P com um material tipo N. Os
elétrons livres da região N se deslocam para a região P e as lacunas da região P
se deslocam para a região N originando uma corrente chamada de corrente de
difusão.
 
IV – Durante a movimentação dos elétrons livres e das lacunas ocorrem
recombinações que anulam suas cargas. Ao redor da junção aparece uma região
sem carga elétrica (neutra) chamada de barreira potencial (BP)
A)
Todas as frases são verdadeiras.
B)
Apenas uma das frases é verdadeira.
C)
Duas frases são verdadeiras e duas são falsas.
D)
Apenas uma das frases é falsa.
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E)
Todas as frases são falsas.
O aluno respondeu e acertou. Alternativa(D)
Comentários:
E) 
A) 
B) 
C) 
D) 
Exercício 3:
Um diodo é ligado em série a uma fonte de tensão contínua e a um resistor de
220 ohms. Utilize sua curva característica e determine a reta de carga e o ponto
quiescente para E = 6V
A)
0,7 V e 10 mA
B)
0,9 V e 24 mA
C)
1,0 V e 32 mA
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D)
1,1 V e 40 mA
E)
1,3 V e 50 mA
O aluno respondeu e acertou. Alternativa(B)
Comentários:
E) 
D) 
C) 
A) 
B) 
Exercício 4:
Um circuito série é formado por uma fonte de tensão contínua de 5 V, um resistor
de 470 ohms e um diodo em polarização direta com tensão de 0,6 V. Assinale a
alternativa que indica, em valores aproximados, a corrente que atravessa o diodo
e a potência dissipada pelo diodo.
A)
12 mA e 7,2 mW
B)
10,5 mA e 6,3 mW
C)
9,4 mA e 5,6 mW
D)
8,2 mA e 4,9 mW
E)
7,5 mA e 4,5 mW
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O aluno respondeu e acertou. Alternativa(C)
Comentários:
B) 
C) 
Exercício 5:
Um circuito série é formado por uma fonte de tensão contínua de 50 V, um
resistor Rs, uma lâmpada de 6V/200 mA e um diodo em polarização direta com
tensão direta de 0,6V. Assinale a alternativa que indica o valor aproximado
do resistor para que a lâmpada funcione de acordo com suas especificações:
A)
152Ω
B)
217Ω
C)
247Ω
D)
315Ω
E)
505Ω
O aluno respondeu e acertou. Alternativa(B)
Comentários:
D) 
E) 
A) 
B) 
Exercício 6:
Um Engenheiro recebeu um circuito série formado por uma fonte de tensão
contínua de 9 V, um diodo com tensão direta de 0,2V (Germânio) / corrente
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máxima de 50 mA e um resistor de 47 ohms, porém, antes de ligá-lo desconfiou
que ele estaria mal dimensionado. Analise o circuito e assinale a alternativa
correta:
A)
O Engenheiro não tem razão, o circuito está dimensionado de forma correta.
B)
O Engenheiro tem razão, não se usa diodo com fonte de tensão contínua, apenas
com tensão alternada.
C)
O Engenheiro tem razão pois diodos de germânio não usam resistores limitadores
de corrente.
D)
O Engenheiro tem razão pois nesta configuração a corrente que circula no diodo é
de 187 mA.
E)
O Engenheiro tem razão pois todo circuito elétrico obrigatóriamente deve conter
um fusível de proteção.
O aluno respondeu e acertou. Alternativa(D)
Comentários:
E) 
B) 
C) 
D) 
Exercício 7:
Calcule o fluxo de corrente numa barra de Silício que possui um comprimento L =
10 um e uma secção transversal de área A = 5um x 5 um, para uma tensão
aplicada de 1V com uma densidade de elétrons de 105 / cm3 e de lacunas de
1015 / cm3 :
A)
1,3 uA
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B)
13,3 uA
C)
9,3 uA
D)
19,3 uA
E)
39,3 uA
O aluno respondeu e acertou. Alternativa(D)
Comentários:
A) 
B) 
D) 
Exercício 8:
Numa barra de Silício dopado com impurezas doadoras, de 10 um, determine
qual deve ser a concentração de doadores de forma a obtermos uma densidade
de corrente de 1mA / um2 em resposta a um campo aplicado de 0.5V. Utilize o
valor da mobilidade dos elétrons para Silício puro.
A)
n = 2,1 x 1015 / cm2
B)
n = 9,2 x 1015 / cm2
C)
n = 21 x 1015 / cm2
D)
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n = 92 x 1015 / cm2
E)
n = 921 x 1015 / cm2
O aluno respondeu e acertou. Alternativa(E)
Comentários:
A) 
B) 
C) 
D) 
E)