Avaliação Final (Objetiva) - Individual de Eletrônica Analógica I

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26/04/2021 UNIASSELVI - Centro Universitário Leonardo Da Vinci - Portal do Aluno - Portal do Aluno - Grupo UNIASSELVI
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Nota da Prova: 9,00
Legenda: Resposta Certa Sua Resposta Errada 
1. O nome MOSFET é a abreviação do termo Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor (Transistor de Efeito de Campo - Metal Óxido Semicondu
Por possuir uma porta isolada do substrato, a impedância de entrada deste componente se torna altíssima (muito maior que a do JFET), fazendo com 
corrente de entrada da porta seja praticamente nula. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
 
I- Existem dois tipos de MOSFET, o MOSFET de Depleção e o MOSFET de Acumulação.
 II- Existem dois tipos de MOSFET, o MOSFET de Irrigação e o MOSFET de Acumulação.
 III- Existem dois tipos de MOSFET, o MOSFET de Depleção e o MOSFET de Revelação.
 
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) As sentenças I e II estão corretas.
 b) As sentenças I e III estão corretas.
 c) As sentenças II e III estão corretas.
 d) Somente a sentença I está correta.
2. O transistor é um dispositivo feito de material semicondutor que é largamente utilizado em circuitos eletrônicos e em chips de computador. Com base n
contexto, analise as sentenças a seguir:
 
I- A adequada polarização do transistor é extremamente importante e necessária, de modo que a troca de um transistor npn por um pnp não é possíve
circuitos eletrônicos, pois cada um dos tipos possui uma polarização característica. 
 II- Para que o transistor opere corretamente, a junção coletor-base deve ser mantida reversamente polarizada, deste modo tem-se que o coletor em um
transistor npn deve ser positivo em relação à base e em um transistor pnp o coletor deve ser negativo em relação à base.
 III- Os TBJs - do inglês "tetrapolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores tetrapolares de junção pois têm quatro pernas.
 
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) As sentenças II e III estão corretas.
 b) As sentenças I e III estão corretas.
 c) Somente a sentença II está correta.
 d) As sentenças I e II estão corretas.
3. Para podermos utilizar de forma correta os dispositivos semicondutores, é necessário o conhecimento de algumas características específicas que são
disponibilizadas pelo fabricante em um arquivo. Esse arquivo fornece dados que podem ser apresentados através de breve descrição (normalmente um
página, no máximo) ou através de uma análise completa (apresentando tabelas, gráficos etc.). Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA
 a) O nome desse arquivo fornecido pelo fabricante é chamado de datasheet ou folha de dados.
 b) O nome desse arquivo fornecido pelo fabricante é chamado de bigdata ou folha de dados.
 c) O nome desse arquivo fornecido pelo fabricante é chamado de deeplearning ou folha de dados.
 d) O nome desse arquivo fornecido pelo fabricante é chamado de datamining ou folha de dados.
4. Tendo determinado o circuito equivalente do JFET, é possível investigar várias configurações fundamentais de pequenos sinais. Sendo uma análise sim
desenvolvida ao TBJ, com a determinação de Z_i,Z_o e A_v. A configuração com polarização fixa inclui capacitores de acoplamento, C_1 e C_2, que
servem para isolar o circuito de polarização do sinal aplicado e da carga, atuando como curto-circuitos na análise CA. Com base no exposto, assinale 
alternativa CORRETA:
 a) Uma vez determinados os valores de gm e rd é possível substituir, entre os terminais apropriados, o modelo CA equivalente.
 b) Uma vez determinados os valores de gy e de é possível substituir, entre os terminais apropriados, o modelo CA equivalente.
 c) Uma vez determinados os valores de gn e rd é possível substituir, entre os terminais apropriados, o modelo CA equivalente.
 d) Uma vez determinados os valores de gm e rd é possível substituir, entre os terminais apropriados, o modelo CC equivalente.
5. As principais diferenças entre o FET e o transistor BJT são: tipo de controle da corrente: no FET é por tensão e no tradicional por corrente; a impedânc
entrada: no FET é muito alta (mais alta ainda no MOSFET) e no tradicional é baixa (devido à junção PN polarizada diretamente); o tipo de portador: no
um tipo (elétron livre ou lacuna) e no tradicional são elétron e lacuna (por isso é chamado de bipolar); ganho de tensão: Nn FET é menor do que no BJ
base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
 
I- A corrente de ganho no FET é nula, enquanto as correntes de fonte e de dreno são iguais.
 II- A corrente de dreno no FET é nula, enquanto as correntes de fonte e de ganho são iguais.
 III- A corrente de fonte no FET é nula, enquanto as correntes de ganho e de dreno são iguais.
 
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) As sentenças II e III estão corretas.
 b) As sentenças I e II estão corretas.
 c) Somente a sentença I está correta.
 d) As sentenças I e III estão corretas.
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6. O efeito do transistor foi mais tarde observado e explicado por John Bardeen e Walter Houser Brattain enquanto trabalhava para William Shockley no B
Labs em 1947, logo após o vencimento da patente de 17 anos. Shockley inicialmente tentou construir um FET funcional, tentando modular a condutivid
de um semicondutor, mas não teve sucesso, principalmente devido a problemas com os estados da superfície , a ligação pendente e os materiais com
de germânio e cobre. No decorrer da tentativa de entender as razões misteriosas por trás de seu fracasso em construir um FET funcional, isso levou B
e Brattain a construir um transistor de ponto de contato em 1947, que foi seguido pelo transistor de junção bipolar de Shockley em 1948. A frequência
aplicada a um circuito com transistores influencia no comportamento dos componentes que estão soldados nele. Com base nesse contexto, classifique
para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
 
( ) Podemos notar que na faixa de 10 Hz a 10 kHz, a reatância é grande o suficiente para ter impacto sobre a resposta do sistema. 
 ( ) Para frequências mais elevadas que 10 kHz, as reatâncias são mais baixas e podem ser considerados curto-circuito. 
 ( ) Podemos concluir que capacitores maiores de um sistema exercerão um impacto importante sobre a resposta de um sistema na faixa de baixa
frequência e não podem ser ignorados para a região de alta frequência.
 ( ) Para frequências mais elevadas, as reatâncias não podem afetar gravemente a resposta do circuito. Deste modo, os capacitores menores do siste
exercerão um impacto importante sobre a resposta de um sistema na faixa de alta frequência e não podem ser ignorados para a região de baixa frequê
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) F - V - V - F.
 b) V - F - V - F.
 c) F - V - F - V.
 d) V - V - F - F.
7. Uma das principais diferenças entre o enviesamento direto e reverso é que na polarizaçãodireta o terminal positivo da bateria está conectado ao
semicondutor tipo p material e terminal negativo está ligado ao semicondutor do tipo n material. Considerando que na polarização reversa material do t
está ligado ao terminal positivo da oferta e do material do tipo p está ligado ao terminal negativo da bateria. O termo polarização significa que a alimen
elétrica ou diferença de potencial está conectada ao dispositivo semicondutor. A diferença de potencial é dada de dois tipos, através da polarização dir
da polarização reversa. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
 
I- O diodo "desligado" ou com polarização reversa ocorre quando se aplica uma diferença de potencial entre os terminais do diodo de modo que o term
positivo esteja conectado ao material semicondutor do tipo p e o terminal negativo esteja conectado ao material semicondutor do tipo n.
 II- O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material semicondutor do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacunas do m
semicondutor do tipo n para o material semicondutor do tipo p) não foi alterado em magnitude (uma vez que o controle da condução ocorre, principalm
devido ao pequeno número de impurezas adicionadas ao material).
 III- Um método alternativo para descobrir se o diodo está em polarização direta ou reversa é analisar que em polarização reversa o terminal positivo es
conectado ao material semicondutor do tipo n e o terminal negativo está conectado ao material semicondutor do tipo p.
 
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) Somente a sentença II está correta.
 b) As sentenças I e II estão corretas.
 c) As sentenças I e III estão corretas.
 d) As sentenças II e III estão corretas.
8. Ao aplicarmos um potencial de V volts a junção pn de modo que o terminal negativo seja ligado ao material do tipo p e o terminal positivo ao material d
n, ocorrerá um aumento na região de depleção, pois o número de elétrons livres no material tipo n irá aumentar devido à atração pelo polo positivo con
ao terminal do material do tipo n, de maneira análoga ocorrerá um aumento de lacunas no material do tipo p devido à conexão do polo negativo ao term
do material do tipo p. Devido a essas condições, a região de depleção irá aumentar dificultando a movimentação de portadores majoritários, e desta fo
reduzindo o fluxo a praticamente zero, portanto, a corrente é aproximadamente nula. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
 
I- Chamamos de corrente de saturação reversa a corrente existente em condição de polarização reversa, Is, vale a pena observar que o sentido da co
de saturação reversa é oposto ao sentido da corrente convencional do diodo.
 II- O valor de Is normalmente tem alguns microampères, sendo normalmente expressa em nanoampères, tendo como exceção dispositivos de alta pot
III- Se VD<0 V é possível perceber que o nível de corrente reversa é rapidamente alcançado e sem mantem praticamente inalterado com a variação da
tensão, daí o termo corte.
 
Assinale a alternativa CORRETA:
 a) As sentenças II e III estão corretas.
 b) As sentenças I e III estão corretas.
 c) Somente a sentença II está correta.
 d) As sentenças I e II estão corretas.
9. O dispositivo eletrônico mais desenvolvido e recrutado grande interesse entre 1904 e 1947 foi a válvula (diodo criada por J. A. Fleming em 1904). Algo
importante a ser citado é que impulsionado pelo rádio e a televisão, tendo uma ampliação de aproximadamente 1 milhão de válvulas em 1922 para cer
10 milhões de válvulas em 1937. Este setor ao passar dos anos apresentou grandes avanços em diversos setores, sendo projeto, técnica de fabricaçã
miniaturização além de aplicações em alta potência e alta frequência. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
 a) Em 25 de novembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de
amplificação do primeiro transistor.
 b) Em 23 de dezembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de
amplificação do primeiro transistor.
 c) Em 23 de dezembro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de
amplificação do primeiro transistor.
 d) Em 27 de janeiro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de ampli
do primeiro transistor.
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10.O transistor NPN possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, o tra
de junção bipolar (TJB) NPN. Esse é acionado com carga positiva em relação ao emissor. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças
verdadeiras e F para as falsas:
 
( ) A aplicação de transistores não se limita somente à amplificação de sinais, realizando um projeto apropriado, podem ser utilizados como chaves d
computadores e aplicações de controle.
 ( ) Os transistores PNP operam com valores positivo - negativo - positivo, o transistor PNP possui duas junções PN, acomodadas uma voltada para 
os cristais negativos ficam um em contato com o outro, sendo assim, temos a formação do transistor de junção bipolar (TJB) PNP.
 ( ) Um projeto apropriado para o transistor atuar como um PNP exige que o ponto de operação alterne do ponto de corte ao ponto de saturação sobr
mesma reta tangente do coletor e do emissor.
 ( ) O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, 
transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com carga positiva em relação ao emissor.
 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
 a) F - V - V - F.
 b) F - V - F - V.
 c) V - V - F - F.
 d) V - F - V - F.
Prova finalizada
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