Exercício de Fixação - Transistor de efeito de campo MOS (MOSFET) características físicas

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Questão 1
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Texto da questão
Qual é a razão da sensibilidade elevada dos MOSFETs e qual é o risco envolvido?​​​​​​​
Escolha uma opção:
a. O material utilizado no isolamento poderá oxidar facilmente na presença de umidade.
b. A proximidade dos contatos entre os terminais que reduzem o isolamento desses.
c. Falta de conexão direta entre a porta e o substrato, podendo ocasionar um efeito capacitivo que resulte em descargas elevadas, que poderão danificar o transistor.
d. A espessura da camada de isolamento é muito fina e não pode ser exposta a picos de tensão, mesmo que de natureza eletrostática. 
e. A sensibilidade à elevação de corrente, que causará uma redução na resistência de entrada aumentando ciclicamente ainda mais a temperatura.
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A resposta correta é: A espessura da camada de isolamento é muito fina e não pode ser exposta a picos de tensão, mesmo que de natureza eletrostática..
Questão 2
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Texto da questão
Tanto o MOSFET quanto o JFET são transistores de efeito de campo. Qual é a diferença estrutural básica entre os dois tipos?​​​​​​​
Escolha uma opção:
a. O JFET possui o terminal da porta isolado do restante.
b. Somente o MOSFET pode operar na região ôhmica.
c. O JFET somente atua com tensão negativa e o MOSFET pode funcionar tanto com tensão negativa quanto positiva.
d. O MOSFET possui uma região de material diferente da região do canal, que será ajustada para obstruir ou liberar a corrente por entre esse canal.
e. O MOSFET possui o terminal da porta isolado do restante. 
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A resposta correta é: O MOSFET possui o terminal da porta isolado do restante..
Questão 3
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Texto da questão
Circuitos digitais utilizam transistores como chaves para criar as operações lógicas necessárias. A demanda por circuitos cada vez menores e com consumo reduzido fez com que os resistores que eram utilizados em conjunto com os transistores para criar a lógica necessária fossem substituídos por outros transistores, componentes de menor volume. Estes transistores, fazem o papel de carga ativa como é o caso do transistor Q1 da imagem abaixo. 
​​​​​​​Qual o comportamento esperado para o terminal de saída Vout desse circuito, considerando o gráfico, a seguir,​​​​​​​ do comportamento dos MOSFETs para um Vdd = 15V?​​​​​​​
Escolha uma opção:
a. Entrada baixa, saída alta. 
b. Entrada baixa, saída baixa.
c. Entrada e saída aterradas.
d. Entrada baixa, saída aterrada.
e. Entrada alta, saída alta.
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A resposta correta é: Entrada baixa, saída alta..
Questão 4
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Texto da questão
Existem dois tipos básicos de MOSFET com diferentes estruturas internas; o MOSFET-D pode ser usado tanto com tensões positivas quanto negativas na porta, todavia, o MOSFET-E somente irá tolerar uma polaridade a depender do tipo de canal. O que justifica essa diferença?
Escolha uma opção:
a. O MOSFET-D tem uma camada de dopagem a mais que o MOSFET-E.
b. O MOSFET-E tem uma camada de dopagem a mais que o MOSFET-D.
c. Somente os terminais dreno e fonte do MOSFET-D são intercambiáveis.
d. MOSFET-D se encontra normalmente em corte, enquanto o MOSFET-E está naturalmente em condução.
e. O MOSFET-E só poderá reduzir a região do substrato, enquanto o MOSFET-D pode tanto aumentar quanto diminui-la. 
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A resposta correta é: O MOSFET-E só poderá reduzir a região do substrato, enquanto o MOSFET-D pode tanto aumentar quanto diminui-la..
Questão 5
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Texto da questão
Considerando um MOSFET-D que atenda às seguintes especificações: VGS(corte) =-4V, I DSS =5mA. Determine corrente do dreno ID quando VGS for 2V e -2V, respectivamente.
Escolha uma opção:
a. 12,50 mA e 1,00 mA.
b. 11,25 mA e 1,25 mA. 
c. 11,25 mA e 1,50 mA.
d. 9,50 mA e 1,25 mA.
e. 10,50 mA e 1,50 mA.
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A resposta correta é: 11,25 mA e 1,25 mA..
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