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Fazer teste: Semana 4 - Atividade AvaliativaMicroeletrônica - EEE001 - Turma 001 Atividades Fazer teste: Semana 4 - Atividade Avaliativa PERGUNTA 1 Durante a etapa de implantação iônica, faz-se um passo de recozimento. A �nalidade desse passo é: recristalizar a rede cristalina e ativar as impurezas ocupando o lugar dos átomos de silício. amor�zar a rede cristalina e ativar as impurezas. reduzir a condutividade da região implantada. recristalizar a rede cristalina e ativar as impurezas liberando- as de ocupar o lugar dos átomos de silício. aumentar o número de impurezas na região implantada. 1 pontos PERGUNTA 2 A etapa de oxidação trata de criar óxidos de silício, que tem muitas aplicações como elemento constituinte de um circuito integrado (CI). Assinale a alternativa correta sobre a etapa de oxidação. O óxido de silício é empregado para a fabricação do dielétrico de porta em estruturas CMOS, sendo o mais fácil de se obter com qualidade. O óxido de silício é empregado como camada de proteção entre vários níveis metálicos. O óxido de silício é empregado como camada de isolação entre Si-Poli e regiões de dreno e fonte de transistores. O óxido de silício é empregado como barreira de difusão em processos de litogra�a. O óxido de silício é empregado como máscara em processos de corrosão. 1 pontos PERGUNTA 3 1 pontos ? https://ava.univesp.br/webapps/blackboard/execute/courseMain?course_id=_3645_1 https://ava.univesp.br/webapps/blackboard/content/listContent.jsp?course_id=_3645_1&content_id=_489167_1&mode=reset A etapa litográ�ca representa, tanto um custo elevado para fabricação de um CI quanto um tempo elevado no ciclo de produção. Assinale a alternativa correta. 60% do tempo total de fabricação de um CI, incluindo etapas de encapsulamento, e 35% de seu custo total de fabricação podem ser atribuídos à realização das etapas litográ�cas. 35% do tempo total de fabricação de uma lâmina e 60% de seu custo total de fabricação podem ser atribuídos à realização das etapas litográ�cas. 60% do tempo total de fabricação de uma lâmina e 35% de seu custo total de fabricação podem ser atribuídos à realização das etapas litográ�cas e de corrosão. 60% do tempo total de fabricação de uma lâmina e 35% de seu custo total de fabricação podem ser atribuídos à realização das etapas litográ�cas. 60% do tempo total de fabricação de um CI, incluindo etapas de encapsulamento, e 35% de seu custo total de fabricação podem ser atribuídos à realização das etapas litográ�cas e de corrosão. PERGUNTA 4 Considerando a tendência no tamanho de partículas matadoras (killer particles) em chips de memória ao longo dos anos, é correto a�rmar que: as partículas matadoras aumentam de tamanho a uma taxa aproximada de 4 vezes por década. as partículas matadoras para memórias DRAM de 1 Gb são 4 vezes maiores que as partículas matadoras para memórias de 4 Gb. as partículas matadoras mantiveram seu tamanho crítico ao longo dos anos. as partículas matadoras decrescem de tamanho a uma taxa aproximada de 4 vezes por década. as partículas matadoras mantiveram seu tamanho crítico nos últimos anos, mas ao longo de décadas anteriores reduziram de tamanho. 1 pontos PERGUNTA 5 A etapa de litogra�a está inserida dentro de uma sequência de etapas para fabricação do circuito integrado. Podemos a�rmar que: logo após a etapa de exposição, a lâmina (wafer) ainda sofre algumas subetapas antes de ir para a etapa de corrosão, seja ela úmida ou seca. 1 pontos a etapa de litogra�a se inicia pela deposição de fotorresiste, seguida da revelação e, depois, exposição. a fotomáscara é utilizada na etapa de litogra�a para transferir diretamente ao chip as geometrias desejadas, evitando assim a necessidade de fotorresiste. a etapa de fotogravação é extremamente custosa, por essa razão, ela é utilizada apenas uma vez durante todo o processamento da lâmina (wafer). logo após a etapa de exposição, a lâmina (wafer) vai diretamente para a etapa de corrosão, seja ela úmida ou seca. PERGUNTA 6 Em um material semicondutor como o silício, a condutividade devido às impurezas é dada pela expressão: σ = qNµ , em que σ é a condutividade, q é a carga do elétron, N é o número de impurezas ionizadas por volume e µ é a mobilidade dos elétrons que geram a corrente. µ = σ /qN, em que µ é a condutividade, σ é a mobilidade dos portadores de corrente, q é a carga do elétron e N é o número de impurezas ionizadas por volume. σ = qNµ , em que σ é a condutividade, q é a carga do elétron, N é densidade de impurezas ionizadas e µ é a mobilidade das lacunas que geram a corrente. σ = qNµ , em que σ é a condutividade, q é a densidade de impurezas ionizadas, N é a carga do elétron, e µ é a mobilidade das lacunas que geram a corrente. σ = qNµ , em que σ é a condutividade, q é a carga do elétron, N é densidade de impurezas ionizadas e µ é a mobilidade das impurezas que geram a corrente. 1 pontos PERGUNTA 7 No processo de oxidação térmica, a lâmina de silício é exposta a um ambiente contendo oxigênio em abundância e a altas temperaturas. Através desse processo, observa-se que: ocorre a formação de óxido de silício sobre a superfície e ele avança dentro da lâmina em cerca de 1/3 de sua espessura. ocorre a formação de óxido de silício sobre a superfície e totalmente acima da interface original do silício. ocorre a formação de óxido de silício sobre a superfície e totalmente abaixo da interface original do silício. 1 pontos ocorre a formação de óxido de silício sobre a superfície e ele avança dentro da lâmina em cerca de 2/3 de sua espessura. ocorre a formação de óxido de silício sobre a superfície e ele �ca 54% de sua espessura acima da interface original do silício. PERGUNTA 8 No processo de fotorrepetição ilustrado na aula, temos que: os traçados do retículo são transferidos para a máscara preservando as mesmas dimensões. os traçados da fotomáscara são transferidos para a lâmina com redução das dimensões. os traçados do retículo são transferidos para a lâmina preservando as mesmas dimensões. os traçados do retículo não são transferidos diretamente para a lâmina, sempre precisando de uma máscara. os traçados da fotomáscara são transferidos para a lâmina preservando as mesmas dimensões. 1 pontos PERGUNTA 9 Resistes litográ�cos recebem esse nome porque resistem à etapa de corrosão. Esses resistes podem ser classi�cados como positivos ou negativos. Assinale a alternativa correta. Resistes positivos são aqueles que durante o passo de ataque químico (revelação), têm removidas suas partes expostas à radiação. Resistes positivos são aqueles que durante o passo de ataque químico (revelação), mantêm suas partes expostas à radiação. Resistes positivos são aqueles que durante o passo de ataque químico (revelação), têm removidas suas partes não expostas à radiação. Resistes negativos são aqueles que durante o passo de ataque químico (revelação), têm removidas suas partes expostas à radiação. Resistes negativos são aqueles que durante o passo de ataque químico (revelação), mantêm suas partes não expostas à radiação. 1 pontos PERGUNTA 10 Sobre “partícula” em salas limpas, assinale a alternativa que contém a melhor de�nição para ela. Partícula é um corpo coeso de dimensão atômica. Partícula é um corpo coeso de dimensão molecular ou menor. Partícula é uma porção de matéria com propriedades químicas bem de�nidas. Partícula é um corpo coeso de qualquer dimensão desde que inerte quimicamente. Partícula é uma diminuta porção de matéria com limites físicos de�nidos. 1 pontos
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