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Q13 - Questionário Aula 13
Pergunta 1
0,1 / 0,1 pts
O transistor é um componente eletrônico que revolucionou a indústria eletrônica a partir da década de 60. Ele é produzido através da dopagem de um semicondutor. O coeficiente de difusão do fósforo no silício é de 6,5×10-13cm2/s na temperatura de 1100 ℃. A fonte de fósforo fornece uma concentração de 1020 átomos/cm3 e o tempo de difusão é 2 horas. Em qual profundidade a concentração do wafer de silício será de 1019 átomos/cm3, considerando que inicialmente o silício não contém fósforo. Dados: erf(z) = 0,9; quando z = 1,2.
  
1,64 µm
 
  
3,28 µm
 
  
2,74 µm
 
  
5,19 µm
 
 
Pergunta 2
0,1 / 0,1 pts
Para uma certa liga, foi determinado que um tratamento térmico carbonetante com 10 h de duração, com atmosfera contendo 1,12%p, irá elevar a concentração de 0,0%p 0,45%p em um ponto a 2,5 mm da superfície. Estime o coeficiente de difusão do carbono nessa liga. Dado: erf(0,60)=0,60
  
0,4×10-7 m²/s
 
  
7,3×10-7 m²/s
 
  
4,3×10-7 m²/s
 
  
8,6×10-7 m²/s
 
Pontuação do teste: 0,2 de 0,2