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aula_11_FET

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TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 
(FET)(FET)
Professor Wilian Soares Lacerda
Transistor bipolar ⇒ controlado por corrente (Ib)
FET ⇒ controlado por tensão (Vgs)
Tipos de FET:
– JFET– JFET
– MOSFET: 
• Depleção
• Indução (intensificação)
JFET
Construção do JFET (canal N):
Dreno
(D)
Região de
P P
N
Porta 
(G)
Fonte 
(S)
depleção
• Símbolo:
JFET canal N ⇒ G
D
S
JFET canal P ⇒
G
D
S
• Polarização do JFET canal N:
1 - Quando Vgs = 0V, Vds > 0V:
G
D
Id > 0A
Região de
depleção
A medida que Vds aumenta, aumenta a largura da região de depleção.
P P
N
G
S
VDD
Vgs = 0V
Vds
Id
Vgs = 0VIdss
Vp⇒ tensão entre dreno e fonte que faz as duas regiões de depleção se 
tocarem, mas sem estrangular totalmente o canal.
VdsVp
(Vgsoff)
2 - Quando Vgs < 0V, Vds > 0V:
P P
G
D
Id > 0A
Região de
depleção
A região de depleção aumenta quando é aplicada uma tensão negativa 
entre porta e fonte, estrangulando mais o canal. A medida que Vds
aumenta, então o canal fica cada vez mais fino.
P P
N
S
VDD
Vgs < 0V
Vds
VGG
Id
Vds
Vgs = 0VIdss
Vp
Vgs = -1V
Vgs = -2V
Vgs = -Vp
(Vgs=0V)
• Característica de transferência:
Obs.: para o JFET canal N, Vgs e Vp são negativos.
2
Vp
Vgs
1 Idss.Id 





−=
Idss
Id
Vgs
-Vp
Vgs = 0V ⇒ Id = Idss
Vgs = -Vp ⇒ Id = 0A
Vgs
-Vp
MOSFET: Transistor de Efeito de Campo Metal 
Óxido Semicondutor
MOSFET tipo depleção (canal N)
Construção:
S D
Isolante
Canal N
GContato
metálico
N N
P
N
SS Substrato
Isolante
SiO2
metálico
Símbolo: 
Canal N ⇒
G
D
S
Canal P ⇒
G
D
S
Operação: 
SS
D
�
�
G
VD
D
Vgs
Vds
Id
• O potencial negativo de porta (Vgs) tende a repelir os elétrons do canal N, 
diminuindo a corrente Id.
• O potencial positivo de porta tende a atrair os elétrons do substrato para o 
canal N, aumentando a corrente Id.
�
P
S
D
VG
G
• Curva característica de dreno:
Id
Vgs = 0VIdss
Vgs = +1V
Vgs = +2V
Vds
Idss
Vp
(Vgs=0V)
Vgs = -1V
Vgs = -2V
Vgs = -Vp
Curva característica de transferência:
2
Vp
Vgs
1 Idss.Id 





−=
Idss
Id
Obs.: Vgs pode ser negativo ou positivo
Vp é sempre negativo
Vgs -Vp Vgs0V
MOSFET tipo intensificação
Construção: 
NN
S D
Isolante
SiO2
GContato
metálico
Obs.: não há um canal entre as duas regiões N.
P
SS Substrato
Símbolo: 
Canal N ⇒
G
D
S
Canal P ⇒ G
D
S
Operação: 
SS
D
�
- -
- -
- -
- -G
Vds
Id
+
+
+
+
�
P
SS
S
- -
- -
- -
- -
- -
- -
- -
G
VDD
VGG
Vgs
+
+
+
+
+
+
+
• Se Vgs = 0V, então não há canal entre dreno e fonte, Id = 0A.
• Se Vgs > 0V, então o potencial positivo de porta irá repelir as 
lacunas do material P e atrair os elétrons livres (portadores 
minoritários) para a região próxima da porta (entre as duas regiões 
N).
• Se Vgs > Vt, então a quantidade de elétrons entre dreno e fonte é • Se Vgs > Vt, então a quantidade de elétrons entre dreno e fonte é 
suficiente para estabelecer um canal e permitir uma corrente Id > 
0A.
• Aumentando o valor de Vds para um Vgs > Vt, chega um momento 
que a corrente de dreno não aumenta mais devido a saturação do 
canal.
Curva característica de dreno:
Id
Vgs = +8V
Vds
Vgs = +6V
Vgs = +4V
Vgs ≤ Vt
Curva característica de transferência: 
Id
• Para Vgs < Vt ⇒ Id = 0A
• Para Vgs > Vt ⇒ Id = K.(Vgs – Vt)2
Vgs0V Vt

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