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UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JULIO 16, 2019 1
Práctica 1. Caracterı́sticas de CONMUTACION:
Diodos
Felipe Cano Buitrago
Código: 1031169233
{ fcanob}@unal.edu.co
Bogotá, Colombia
ÍNDICE
I. Comparación entre diodos de propósito general,
diodos de recuperación rápida y diodos Schotky 1
I-A. Diodos de propósito general . . . . . . 1
I-B. Diodos de recuperación rápida . . . . . 1
I-C. Diodos Schotky . . . . . . . . . . . . . 1
II. Triristores 2
II-A. SCR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
II-B. TRIAC . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
II-C. DIAC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
II-D. GTO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
II-E. MTC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
III. Relés de estado solido y módulos inteligentes
basados en triristores 3
III-A. Relé de estado solido (SSR) . . . . . . 3
III-B. Módulos inteligentes basados en tiristores 4
IV. Drivers para disparo de tiristores: acople directo. 4
V. Drivers para disparo de tiristores: transistor
monojuntura UJT 4
VI. Drivers aislados para disparo de tiristores: trans-
formadores de pulso 5
VII. Drivers aislados para disparo de tiristores: ópti-
cos (opto-triacs) 5
VIII. Drivers Integrados (IC) para control de tiristo-
res, funcionamiento, sincronización y ejemplos. 5
VIII-A. Control sı́ncrono . . . . . . . . . . . . . 5
VIII-B. Control proporcional al tiempo . . . . . 5
VIII-C. Recorte de fase . . . . . . . . . . . . . 6
VIII-D. Ejemplos . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
IX. Snubbers y Diseño de Snubbers, para tiristores 6
Referencias 7
I. COMPARACIÓN ENTRE DIODOS DE PROPÓSITO
GENERAL, DIODOS DE RECUPERACIÓN RÁPIDA Y DIODOS
SCHOTKY
Los diodos son comúnmente usados como un interruptor
electrónico, el mas simple posible puesto que no es posible
controlar ni el voltaje, ni la corriente propiamente en el diodo,
por lo tanto estos requieren de un sistema de control externo.
Generalmente se fabrican con materiales semiconductores con
una unión pn o un metal como unión dependiendo del tipo de
diodo.
I-A. Diodos de propósito general
Los diodos de propósito general son los diodos mas co-
munes en el mercado, tienen un tiempo de recuperación
inversa considerable, se suelen utilizar en aplicaciones que no
requieran demasiada velocidad.
Estos diodos normalmente se construyen con dos parte des
silicio, Germanio o Carburo de silicio de diferente polaridad,
dopados con impurezas como lo son el Galio, Fósforo, Boro
y Arsénico con el fin de formar dos cristales semiconductores.
Algunas de las caracterı́sticas de este tipo de diodos es que
en estado de conducción soportan alta caı́da de tensión, con
baja caı́da de voltaje, en inverso soportan una fuerte tensión
negativa de ánodo con pequeñas corrientes de fuga.[1]
Normalmente el voltaje umbral de este tipo de diodos se
encuentra entre 0.7 y 2.5V para los diodos de silicio y 0.3V
para los diodos de Germanio. Los diodos de propósito general
suelen operar a pequeña señal, (menos de 1kHz), el tiempo de
recuperación inversa de estos es cercano a los 25 µs
I-B. Diodos de recuperación rápida
Los diodos de recuperación rápida tienen un tiempo de re-
cuperación mucho menor que los diodos de propósito general,
cercano a 150 ns, también tienen una alta resistencia a las
sobre tensiones.[2]
Actualmente estos diodos trabajan con voltajes que van
desde los 50V hasta los 3KV y de menos de un amperio
hasta mas de cien amperios.
Son ampliamente utilizados en conmutadores o en sistemas
de rectificación de alta frecuencia, estos diodos son conside-
rablemente mas costosos que los diodos de propósito general
y presentan mayores perdidas de conducción.
I-C. Diodos Schotky
Se diferencian de los diodos normales por que estos no
cuentan con una unión P-N, en cambio tienen una unión
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Metal-N. Cuentan con caracterı́sticas como una alta velocidad
de conmutación y una baja caı́da de voltaje cuando esta
polarizado en directo (menos de 0.25v).
La gran dificultad de este tipo de diodo es la poca capacidad
de corriente de conducción en directo, esta caracterı́stica evita
que sea utilizado como diodo rectificador e imposibilita su
aplicación en potencia. Otro gran problema de este tipo de
diodo es que no tiene una gran tolerancia a los voltajes de po-
larización en inverso. Los diodos Schotky también suelen ser
considerablemente mas costosos que los diodos de propósito
general y los diodos de recuperación rápida.
II. TRIRISTORES
Los triristores o rectificadores controlados son dispositivos
de potencia de estado solido, que poseen la capacidad mas alta
de manejo de potencia. Son interruptores de bloqueo que se
encienden por la compuerta de control, pero no se apagan por
la misma.[3]
II-A. SCR
Son dispositivos semiconductores biestables formados por
tres uniones P-N con la disposición pnpn. son interruptores
casi ideales controlados por la corriente de la compuerta. Tie-
nen la caracterı́stica de poder ser utilizados como amplificador
y como rectificador al mismo tiempo.
Figura 1: Modelos SCR. Tomado de [4]
En la figura 1 se muestran los sı́mbolos usados para el
triristor tipo SCR.
II-B. TRIAC
Este dispositivo posee tres terminales y se usa para
controlar el flujo de corriente promedio a una carga, pero este
tipo de dispositivos pueden conducir en ambos sentidos, lo
cual también puede ser bloqueado por inversión de la tensión
o disminución de la corriente por debajo del valor mı́nimo
requerido. Este dispositivo puede ser activado por medio de
valores negativo o positivos de corriente.
Los TRIAC pueden ser encendidos por medio de una
corriente de pulso, pero no se pueden apagar por el mismo
método, pero pueden apagarse por medio de un pulso negativo.
Parlamente son usados por aplicaciones de potencia intermedia
alta, capaz de soportar entre 4000A y 7000A. Funcionan
únicamente a bajas frecuencias pues estos dispositivos sacri-
fican velocidad con el fin de obtener una caı́da menor en la
conducción; normalmente funcionan a la frecuencia de la red.
Figura 2: Modelos TRIAC. Tomado de [4]
En la figura 2 se muestran los modelos comúnmente usados
para el TRIAC.
II-C. DIAC
Los diodos de disparo bidireccional para corriente alterna o
DIAC por sus siglas en ingles son dispositivos bidireccionales
simétricos, es decir que no cuentan con polaridad, con dos
electrodos principales y ningún electrodo de control, por lo
tanto el dispositivo puede conducir en ambos sentidos siempre
y cunado se supere su tensión de disparo, la cual normalmente
son 30V. Normalmente este triristor se usa para disparar un
TRIAC pues se comporta como dos diodos Zener conectados
en paralelos pero orientados en direcciones opuestas, los
cuales conducen cuando se supera la tensión Zener en sentido
contrario. Su corriente de fuga es muy pequeña.
Figura 3: Modelos DIAC. Tomado de [4]
En la figura 3 se muestran los sı́mbolos usados para el
triristor tipo DIAC.
II-D. GTO
Los GTO son triristores con capacidad externa de bloqueo,
por medio de una puerta se pueden controlar las dos fases,
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bloqueo conducción y viceversa.[5]
Este tipo de dispositivos se comportan de manera similar
a al SCR, la corriente se inyecta por la puerta y esto causa
que circule una corriente entre puerta y cátodo. Al mantener
la corriente desde el ánodo superior a la de mantenimiento
el GTO puede conducir sin compuerta dando origen al efecto
conocido como corriente ánodica.
Figura 4: Modelos GTO. Tomado de [4]
En la figura 6 se muestran los sı́mbolos usados para el GTO.
II-E. MTC
Un MTC cuenta con las propiedades de un tristor regenera-
tivo de cuatro capas, con una estructura de compuerta MOS.
Estos cuentan con un tristor par MOSFER que los activa y
lo desactiva, existen varias configuraciones para este tipo de
dispositivo, pero el mas común es el tipo P.
Figura 5: Modelos MTC. Tomado de [4]
Para el encendido de este dispositivo se puede aplicar un
pulsonegativo respecto al ánodo; al realizar esto se conducir
una corriente a través de el MOS canal p de manera que sus
terminales drain source, inyectando una corriente en la base
del transistor que inicia la alimentación del mismo y de los
otros transistores al interior del dispositivo.
Para un MCT de canal n, la activación se hace con un
pulso positivo aplicado a la compuerta, respecto al cátodo y
la desactivación, se realiza aplicando un pulso a la compuerta
de polaridad negativa, respecto al cátodo. [5]
El MCT puede ser operado como dispositivo controlado
por compuerta si la corriente controlada, no supera el valor
especificado. Para corrientes mayores, el apagado de un MCT,
debe realizarse de la misma manera que un SCR normal (por
conmutación de la tensión en sus extremos o conmutación
forzosa).
Los triristrores MCT tienen una baja caı́da de tensión en
directo durante su conducción y bajas perdidas por conmu-
tación; por lo tanto suelen ser usados como convertidores de
energı́a eléctrica.
III. RELÉS DE ESTADO SOLIDO Y MÓDULOS
INTELIGENTES BASADOS EN TRIRISTORES
III-A. Relé de estado solido (SSR)
Los relé de estado solido o SSR por sus siglas en
ingles son dispositivos conmutadores o interruptores con
la misma filosofı́a de los relés electromecánicos, pero con
la gran diferencias de que estos funcionan por medio de
una conmutación electrónica lo cual les da, entre otra
caracterı́sticas, una velocidad mucho mayor de respuesta.
Las diferentes partes que lo conforman son:
Circuito de entrada
Aislamiento, está asegurado generalmente por un acopla-
miento óptico
Detector de paso por cero
Circuito de salida
Protección frente a transitorios
Una de las principales caracterı́sticas de estos dispositivos
es que entra la corriente de control y la corriente del circuito
de potencia no existe ningún tipo de conexión, lo cual genera
una protección para el circuito de control.
Los terminales de control se suelen alimentar entre los
1.5V y los 50V mientras que los terminales de potencia
pueden trabajar con tensiones de hasta 480V en corriente
alterna.
La gran ventaja sobre los dispositivos electromecánicos es
su rápido tiempo de respuesta, el cual oscila entre 50 a 100
milisegundos. Estos dispositivos se basan en uno o varios
MOSFET, los cuales implementan un diodo que conduce en
un solo sentido, lo cual evita que se que el MOSFET pueda
bloquear las corrientes en ambas direcciones.
A continuación se presenta el esquema circuital de un SSR.
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Figura 6: SSR diagrama. Tomado de [6]
III-B. Módulos inteligentes basados en tiristores
Los circuitos basados en triristores son dispositivos de
control/potencia basados en la posibilidad de usar un circuito
de control para excitar dispositivos individuales o módulos; el
modulo de potencia es implementado junto con un periférico
de control, el cual se encuentra aislado, tanto entrada como
salida del circuito de potencia y cuenta una interfaz de
activación con el sistema de señal y el sistema de alto voltaje.
IV. DRIVERS PARA DISPARO DE TIRISTORES: ACOPLE
DIRECTO.
Para generar el pulso necesario para encender un triristor es
necesario permitir un gran didt suministrado en un pulso y ası́
encender la compuerta, posterior al encendido es necesario
mantener esta corriente un corto periodo de tiempo para
evitar el apagado del dispositivo.
El acople directo se utiliza cuando el circuito del triristor
esta al mismo nivel del circuito de compuerta, entre 12 y 30V.
En caso de que no se cumpla esta condición es necesario
realizar un acoplamiento a través de un mecanismo óptico o
magnético.
Este acople se basa en un par de transistores que amplifican
los pulsos de la corriente que envı́a la unidad de control y ası́
activar el SCR sin afectaran la juntura del triristor.
A continuación se muestra un esquema de un circuito de
acople directo.
Figura 7: Acople directo esquemático . Tomado de [7]
V. DRIVERS PARA DISPARO DE TIRISTORES: TRANSISTOR
MONOJUNTURA UJT
Se utilizan para generar señales de disparo para los triris-
tores, los UJT tienen tres terminales, emisor, base uno y base
dos; entre las bases se presenta una unión monounión la cual
tiene las caracterı́sticas de una resistencia, que tiene rango de
valores entre 4.7 y 9.1 kω.
Figura 8: UJT esquema . Tomado de [8]
Cuando se aplica el voltaje de alimentación Vs en cd, se
carga el capacitor C a través de la resistencia R.
La forma de onda del voltaje de disparo VB1 es la misma
que la corriente de descargar del capacitor; el voltaje de
disparo VB1 debe diseñarse con el periodo oscilante T.
T =
1
f
= RCln
1
1− n
donde n es la relacion de equilibrio que se encuentra entr
0.51 y 0.82.
En el circuito ?? la resistencia R está limitada por valores
entre 3kω y 3Mω.
También posee un voltaje de alimentación recomendado
entre 10 y 35V para que los valores de n se mantengan
estables.
Vp = nVBB + VD(0,5V ) = nVs + VD
Generalmente RB1 se limita valores inferiores a 100 ω
aunque es posible obtener valores de 2 a 3 k kω segun sea
la aplicacion requerida; RB2 debe compensar la caida de Vp
debido al aumento en la temperatura y a la curva de perdidas
termicas, tiene un valor superior a 100 ω y se puede calcular
por medio de la siguiente ecuacion.
RB2 =
10
nVs
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VI. DRIVERS AISLADOS PARA DISPARO DE TIRISTORES:
TRANSFORMADORES DE PULSO
Un arreglo de aislamiento simple con transformadores de
pulso como se ve en la figura mostrada a continuación.
Si se aplica un pulso de voltaje adecuado en la base del
transistor de conmutación, el transistor entra en el estado de
saturación y el voltaje Vcc se ve a través del primario del
transformador, el cual se aplica a la compuerta triristor, a su
cátodo lo cual genera la activación de la misma.
Al eliminar el pulso de la base del transistor, este se
desactiva, lo cual refleja un voltaje de polaridad inversa
inducido en el primario del transformador, por lo cual
la tensión en el diodo puede caer libremente hasta; cero
efecto que se presenta para pulsos entre 50µsa100µs. Este
fenómeno causa que el transformador genere una corriente
unidireccional saturando el núcleo magnético de este, lo cual
limita el ancho del pulso.
Es muy común que en los convertidores de potencia el
periodo de conducción del triristor dependa de del factor de
potencia de la carga, por lo que su conducción no queda
bien definida. Debido a esto es necesario disipar los triristores
en forma continua, lo cual puede generar que las perdidas
del triristor aumenten. Una alternativa ante este fenómeno es
generar un tren de pulsos.
VII. DRIVERS AISLADOS PARA DISPARO DE TIRISTORES:
ÓPTICOS (OPTO-TRIACS)
Otro método muy utilizado es el circuito acoplador óptico,
conformado por un fototransistor o un foto SRC, en la figura 9
se muestra el circuito usado para un SRC. En el cual un pulso
de baja intensidad en la entrada del diodo emisor infrarrojo,
lo cual activa el foto SCR y dispara el triristor. Cabe resaltar
que para aplicar este método es necesario alimentar el circuito
de acople por medio de una fuente de energı́a separada del
circuito principal.
Las salidas de los cirduitos de compuertas normalmente
se conectan entre compuerta y cátodo. En estos circuitos se
conecta la compuerta a circuitos de protección de compuertas.
Cuenta con una resistencia que aumenta la capacidad de
variación del voltaje en función del tiempo del triristor, lo cual
reduce el tiempo de desactivación y aumenta las corrientes
de mantenimiento y enganches. Cuenta un con filtro RC lo
cual elimina los componentes de alta frecuencia y aumenta la
capacidad de la variación del voltaje y el tiempo de retraso de
la compuerta. Dependiendo del tipo de SCR se ocupa el voltaje
negativo en la compuerta, en caso de no ser un SCR asimétrico
es necesario poner un diodo para proteger la compuerta de
dichos voltajes en lugar de aprovecharlos.
Figura 9: SCR Óptico. Tomado de [9]VIII. DRIVERS INTEGRADOS (IC) PARA CONTROL DE
TIRISTORES, FUNCIONAMIENTO, SINCRONIZACIÓN Y
EJEMPLOS.
La unidades embebidas son supremamente populares
hoy en dı́a, por lo tanto, muchos fabricantes diseñan estas
unidades con el fin de facilitar el control de los triristores;
dichas unidades cuentan con sistemas de disparo de potencia
media para sistemas monofásicos, los cuales cuentan con
un sistema de control relativamente bueno por lo que no
necesitan aislamiento, la parte mas costosa de la fabricación;
lo que permite abaratar costos.
Existen diferentes técnicas de control diseñadas para el
uso de estos dispositivos con control sı́ncrono, proporcional
y recorte de fase. Cada forma de control cuenta con un diseño
especifico y una aplicación especifica pues cuentan con venta-
jas y desventajas sobre las otras dependiendo de la situación.
Estos métodos de control cuentan con una caracterı́stica en
común, la frecuencia de la tensión aplicada sobre la carga
nunca cambia y cuentan con el mismo propósito, controlar la
aplicación de tensión a la red.
VIII-A. Control sı́ncrono
Permite poner bajo tensión una carga alterna para su paso
por cero. Esta técnica es empleada para el control.
Por lo tanto se generan pulsos únicamente cuando hay un
paso por cero, independientemente de la orden de control,
entonces la apertura de la compuerta del triristor se genera
al paso por cero de el interruptor sı́ncrono. Solamente cuando
la corriente de carga sea nula.
VIII-B. Control proporcional al tiempo
Este método de control modula la potencia consumida
por la carga proporciónale grupos de perı́odos enteros, es
decir controla la cantidad de semiciclos de la tensión de
linea aplicados, en base a un perdió de tiempo especifico
preestablecido.
El sistema esta constituido por un interruptor sı́ncrono, un
generador de señales de diente de sierra y un comparador, el
cual mientras la tensión del generado sea inferior a la tensión
de control la carga es alimentada, cuando se supera dicha
tensión el generador dejara de suministrar impulsos de manera
paulatina teniendo en cuenta la potencia máxima aplicable a
la carga.
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VIII-C. Recorte de fase
Un controlador por recortes de fase permite disminuir la
tensiona eficaz después de medio ciclo de la onda, este método
no activa el triristor al paso de tensión por el cero sino, que
se retarda más o menos la activación según la tensión eficaz
deseada sobre las terminales de la carga.
Figura 10: Recortador de fase. Tomado de [10]
En este caso el valor eficaz de la tension se clacula en fun-
cion del angulo de activacion como se muestra a continuacion
Vef = 220 ∗
√
(180− φ)
180
− sin(2φ)
2π
Es común que un recortador de fase pueda controlar tanto el
ancho del pulso como el ángulo de activación.
VIII-D. Ejemplos
EL dispositivo mas usado en ele mercado actualmente es el
TCA 785, fabricado por Siemens.
Figura 11: TCA785 esquema. Tomado de [11]
El cual funciona como un dispositivo de sincronización y
control para triristores, se acciona por medio de una señal
sincrónica que es obtenida a través de una resistencia de alto
valor desde la linea del voltaje de la terminal; posteriormente
se evalúa el cruce por cero por parte de un detector y este
lo informa al driver de control, posee un rectificador RC para
mantener constante la corriente y revisar que esta no exceda
los valores permitidos para el bloque de control lógico, luego
este en base a los valores obtenidos de corriente y al cruce
por cero proporciona un ángulo desfase (φ) que puede ser de
0 a 180.
La duración de los pulsos es aproximadamente 30 micro
segundos con un retraso máximo de 180 grados.
IX. SNUBBERS Y DISEÑO DE SNUBBERS, PARA
TIRISTORES
A la hora de diseñar circuitos en electrónica de potencia
es necesario tener en cuenta las peores condiciones bajo
las cuales se espera que trabaje dicho circuito, por lo que
deben sobredimensionar los cálculos de los valores de voltaje,
corriente y potencia que se espera soporte dicho circuito.
Los snubbers son circuitos de ayuda de conmutación, los
cuales se incorporan al circuito para reducir el estrés eléctrico
en los dispositivos semiconductores durante las conmutaciones
y asegurar la duración de los circuitos conmutadores.
Una de las principales aplicaciones de estos circuitos es la
absorción de la energı́a reactiva proveniente de los circuitos
que controlan el proceso de conmutación. Otra aplicación de
estos sistemas es la limitación de los niveles máximos de
tensión que puede soportar el sistema. Al reducir la potencia
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reactiva que los demás dispositivos consumen, alargan la vida
útil de los Semiconductores que conforman el sistema por lo
que alarga la vida útil del mismo, para lograr esto se emplean
diferentes métodos:
Limitando el pico máximo de tensión aplicado al inte-
rruptor durante el transitorio que aparece en el proceso
de apagado.
Limitando el pico máximo de corriente a través del
iterruptor durante proceso de encendido.
Limitando la pendiente de la corriente didt que circula por
el interruptor en el proceso de encendido.
Limitando la pendiente de la tensión dvdt en el interruptor
durante el proceso de apagado.[12]
Los snubbers se dividen en tres grandes clases:
Amortiguadores RC no polarizados en serie con que se
protegen los diodos y tiristores mediante la limitación de
tensión máxima y dvdt en la recepción inversa.
Amortiguadores RC polarizados. Con estos amortiguado-
res se modela la parte de apagado de la trayectoria de
conmutación de interruptores controlables para enclavar
tensiones aplicadas a los dispositivos a niveles seguros o
para limitar dvdt durante la desconexión del dispositivo.
Amortiguadores LR polarizados. Con estos amortiguado-
res se modela la parte de apagado de la trayectoria de
conmutación de encendido de interruptores controlables
y/o se limita didt durante el encendido del dispositivo.[12]
Una configuración muy común son los snubbers capacitivos,
para diseñar este tipo de snubber se toma un Rs=0, lo cual
no se usa en la practica, pero es un buen punto de partida
para analizar a partir de conceptos básicos, para obtener el
circuito mostrado en la figura 12. Se debe realizar un bloqueo
de la corriente pico de recuperación inversa Iπ en t=0, la
corriente del inductor es equivalente a Iπ y el voltaje inicial
del amortiguador es cero. Para establecer un circuito de lı́nea
de base, suponemos que la resistencia del amortiguador R,es
cero. El voltaje del condensador se puede obtener a partir de
la siguiente expresión.
V Cs = Vd − VdCos(w0t) + Iπ
√
L0
Cs
sen(w0t)
Donde
w0 =
1√
L0Cs
[13] Si se introduce una capacitancia de lı́nea de base dada
por
Cbase = L0[
Iπ
Vd
]2
es posible expresar el voltaje del condensador como
V Cs = Vd[1− cos(w0t) +
√
Cbase
Cs
sen(w0t)]
Por lo tanto
V csmax = Vd[1 +
√
1 +
Cbase
Cs
]
Figura 12: Snubber capacitivo esquema. Tomado de [13]
REFERENCIAS
[1] HART, Electrónica de Potencia: Circuitos. Prentice-Hall.
[2] HART, Electrónica de Potencia: Circuitos. Prentice-Hall. Pagı́na 88.
[3] (Septiembre de 2012), Diodos de potencia, [Online]. http :
//www.iuma.ulpgc.es/ roberto/asignaturas/EI/transparencias/EIT ema3,1.Diodospotencia.pdf
[4] Domingo C. Guarnaschelli, ”TIRISTORES,ÜTNREG. SANTA FE,.
[5] (Enero de 2013), Fabián López, Scr, triac y diac [Online]. https :
//es.slideshare.net/fabian910120/scr − triac− y − diac
[6] Siemens, GUÍA RÁPIDA RELÉS DE ESTADO SÓLIDO SSRs.
[7] OMRON ELECTRONICS, S.A, RELÉS DEESTADO SÓLIDO ,”.
[8] Muhammad Rashid, .Electrónica de Potencia,ı̈n: Prentice Hallmericana,
1995, pp. 120-122.
[9] Juan Andrés Gualda Gil Salvador Martı́nez Garcı́a,Electrónica de po-
tencia: componentes, topologı́as y equipos. Madrid: Thomson, 2006, pp.
105-106.
[10] (Agosto 2008), Triac, SCR – Control de potencia en AC, [Online].
https : //unicrom.com/triac − scr − control − de − potencia−
en− ac/
[11] Siemens, TCA785 Datasheet.
[12] R. Gibbons, Electrónica de Potencia.: Facultad de Ciencias exactas
Ingenieria y Agrimesura. Universidad Nacional de Rosario.
[13] Ned Mohan, Electrónica de potencia.: Mac GrawHill, 2009.
	I Comparación entre diodos de propósito general, diodos de recuperación rápida y diodos Schotky
	I-A Diodos de propósito general
	I-B Diodos de recuperación rápida
	I-C Diodos Schotky
	II Triristores
	II-A SCR
	II-B TRIAC
	II-C DIAC
	II-D GTO
	II-E MTC
	III Relés de estado solido y módulos inteligentes basados en triristores
	III-A Relé de estado solido (SSR)
	III-B Módulos inteligentes basados en tiristores
	IV Drivers para disparo de tiristores: acople directo.
	V Drivers para disparo de tiristores: transistor monojuntura UJT
	VI Drivers aislados para disparo de tiristores: transformadores de pulso
	VII Drivers aislados para disparo de tiristores: ópticos (opto-triacs)
	VIII Drivers Integrados (IC) para control de tiristores, funcionamiento, sincronización y ejemplos.
	VIII-A Control síncrono
	VIII-B Control proporcional al tiempo
	VIII-C Recorte de fase
	VIII-D Ejemplos
	IX Snubbers y Diseño de Snubbers, para tiristores
	Referencias