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1 Circuitos de potencia Dispositivos y Circuitos básicos <<F. Franco>> III ContenidoContenidoContenidoContenido 1 Introducción ............................................................................................ 5 1.1 Electrónica de potencia ..................................................................... 5 1.2 Semiconductores de potencia ........................................................... 6 1.3 Circuitos básicos de la electrónica de potencia ............................... 7 2 Circuitos con diodos de potencia .......................................................... 9 2.1 Diodos de potencia ............................................................................ 9 2.2 Tipos de diodos de potencia ...........................................................11 2.3 Circuitos básicos con diodos ...........................................................12 2.3.1 Diodo con carga RC ..................................................................12 2.3.2 Diodo con carga RL ..................................................................16 2.3.3 Diodo con carga LC ..................................................................19 2.3.4 Diodo con carga RLC ................................................................24 2.3.5 Rectificador monofásico de media onda ................................28 2.3.6 Rectificador monofásico de onda completa ...........................34 Ejercicios propuestos ............................................................................40 3 Rectificadores Controlados ................................................................43 3.1 Tiristores ..........................................................................................43 3.1.1 Tipos de tiristores ....................................................................46 3.2 Convertidor monofásico controlado por fase ................................52 3.3 Semiconvertidor monofásico ..........................................................57 3.4 Convertidor Monofásico Completo .................................................64 Ejercicios propuestos ............................................................................69 4 Circuitos con tiristores ........................................................................71 4.1 Controladores de voltaje .................................................................71 4.1.1 Control ON-OFF ........................................................................71 4.1.2 Control por fase ........................................................................73 Introducción IV 4.1.3 Control bidireccional con cargas R, L y C .............................. 77 5 1 Introducción 1.11.11.11.1 Electrónica de potenciaElectrónica de potenciaElectrónica de potenciaElectrónica de potencia En el campo de desarrollo industrial se evidencian dos necesidades importantes que deben ser tratadas por la ingeniería electrónica. Por un lado se requiere sistemas electrónicos que permitan la conversión eficiente de energía eléctrica así como también sistemas capaces de controlar los procesos industriales que involucran energía eléctrica. La electrónica de potencia combina la energía eléctrica, la electrónica y el control. La energía tiene que ver con equipo eléctrico de energía estática y rotatoria en el campo de la transmisión, generación, conversión y distribución de energía eléctrica. La electrónica se encarga de los dispositivos y circuitos requeridos para el procesamiento de las señales que permitan cumplir las tareas del controlador. El control se encarga tanto de los transitorios como del estado estable de las variables eléctricas en el desempeño dinámico del sistema que componen. La electrónica de potencia se basa esencialmente en la conmutación de dispositivos semiconductores de potencia, los cuales manejan y distribuyen el flujo de energía eléctrica. Los desarrollos actuales en dispositivos semiconductores de la mano con los avances tecnológicos en la velocidad de conmutación y en la capacidad de manejo de energía eléctrica de los dispositivos semiconductores de potencia brindan un ilimitado campo de aplicación comercial y de soluciones a problemáticas en el sector industrial. Estos avances permiten un control más preciso e inteligente de los procesos con una eficiencia eléctrica superior. La tecnología moderna es base fundamental en el crecimiento de la sociedad actual, en este campo la electrónica de potencia a llegado a formar parte importante dada la amplia utilidad de productos de alta potencia, que incluyen control de variables físicas como temperatura, presión, nivel, etc., también se ve su uso en el control de iluminación, maquinas eléctricas, fuentes de tensión y de corriente entre muchas otras aplicaciones. Los sistemas electrónicos de potencia presentan una estructura básica similar en su aplicación compuesta por cinco bloques tal como se indica en la figura 1.1. El Introducción 6 circuito de control es el cerebro que desea controlar y puede ser un PC, circuito analógico o digital simple. Figura 1-1 Estructura bás El circuito de disparo es el enca circuito de control con el circui semiconductores que conforman el energía eléctrica hacia el sistema a c circuito que permite medir y acoplar de control. 1.21.21.21.2 Semiconductores de potenciaSemiconductores de potenciaSemiconductores de potenciaSemiconductores de potencia Luego del desarrollo del primer ha habido grandes avances en l ampliando su campo de acción sector industrial, en la actualidad s estos dispositivos de forma comerci eficientes. Dentro de la variedad de dispos se encuentran varios tipos de dispos � Los diodos de potencia. � Los tiristores. � Los transistores bipolar � MOSFET de potencia. � Transistores bipolares d � Transistores de inducció Los tiristores se subdividen en ocho 1 Digital Signal Processing 2 Field Programmable Gate Array rol es el cerebro que gobierna el comportamiento del si y puede ser un PC, un microcontrolador, un DSP co o digital simple. Estructura básica de un sistema electrónico de potenci de disparo es el encargado de acoplar las señales entre con el circuito de potencia activando o blo s que conforman el circuito de potencia controlando hacia el sistema a controlar. En el bloque del sensor se mite medir y acoplar la señal de potencia para realiment uctores de potenciauctores de potenciauctores de potenciauctores de potencia esarrollo del primer tiristor rectificador controlado de ndes avances en los dispositivos semiconductores ampo de acción dado que en un principio su uso era l, en la actualidad se encuentran disponibles una gran os de forma comercial con prestaciones de desempeño c a variedad de dispositivos semiconductores de potencia arios tipos de dispositivos entre los que se tienen: diodos de potencia. transistores bipolares de juntura de potencia (BJT SFET de potencia. nsistores bipolares de compuerta aislada (IGBT). nsistores de inducción estáticos (SIT). subdividen en ocho tipos distintos: Array mportamiento del sistema que se olador, un DSP1, una FPGA2 o un lectrónico de potencia lar las señales entregadas por el a activando o bloqueando los tencia controlando así, el flujo de bloque del sensor se encuentra el encia para realimentar el circuito controlado de silicio (SCR), s semiconductores de potencia rincipio su uso era exclusivo del isponibles una gran variedad de ones de desempeño cada vez más uctores de potencia comerciales que se tienen: BJT). islada (IGBT). Circuitos de potencia << F.Franco>> 7 � Tiristor de conmutación forzada. � Tiristor conmutado por línea. � Tiristor desactivado por compuerta(GTO). � Tiristor de conducción inversa (RCT). � Tiristor de inducción estático (SITH). � Tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT). � Rectificador controlado de silicio fotoactivado (LASCR). � Tiristores controlados por MOS (MCT). Un tiristor es un dispositivo de tres terminales: ánodo, cátodo y una compuerta. La activación del tiristor es decir cuando este entra en conducción se da en el instante en que aparece una corriente en la compuerta con dirección al ánodo, eso siempre que la diferencia de potencial entre ánodo y el cátodo sea mayor a cero. En los sistemas de conversión y distribución de energía eléctrica es importante considerar los semiconductores de potencia disponibles y sus características. La elección del dispositivo depéndala de la aplicación, algunos parámetros básicos de elección son: el nivel de tensión, la corriente máxima, la potencia que soporta y la frecuencia de conmutación. Además, se tienen algunas otras propiedades que afectan la elección del dispositivo como es la caída de tensión en conducción que representa las perdidas en conducción, los tiempos de conmutación que representan las perdidas por conmutación, la potencia requerida para el control del semiconductor (disparo y bloqueo) que determina la facilidad del control del dispositivo, el coeficiente de temperatura de la resistencia en conducción del dispositivo que determina la facilidad de conexión en paralelo para manejar grandes corrientes y también es importante considerar el costo del dispositivo. Una caracterización general de algunos dispositivos de potencia se indica en la Tabla 1.1. DISPOSITIVODISPOSITIVODISPOSITIVODISPOSITIVO MANEJO DE MANEJO DE MANEJO DE MANEJO DE POTENCIAPOTENCIAPOTENCIAPOTENCIA VELOCIDAD DE VELOCIDAD DE VELOCIDAD DE VELOCIDAD DE COMUNTACIONCOMUNTACIONCOMUNTACIONCOMUNTACION BJT MEDIA MEDIA MOSFET BAJA RAPIDA TIRISTOR ALTA LENTA IGBT MEDIA MEDIA Tabla 1.1 Características de algunos dispositivos de potencia. 1.31.31.31.3 Circuitos básicos de la electrónica de potenciaCircuitos básicos de la electrónica de potenciaCircuitos básicos de la electrónica de potenciaCircuitos básicos de la electrónica de potencia Para el control de la potencia eléctrica o para el acondicionamiento de la misma, se hace necesario convertir las diferentes formas de energía eléctrica, las características que presentan los semiconductores de potencia permiten dicha conversión. La tarea de conversión es realizada por circuitos llamados convertidores que parten de las características de conmutación que presentan los dispositivos de potencia que los conforman. Los siguientes convertidores se utilizan para ilustrar los Introducción 8 principios básicos; la acción de conmutación de los dispositivos es generalizada para el tratamiento en estos circuitos, es decir se tendrá en cuenta los estados de conducción y no conducción de los semiconductores dado que la selección de los dispositivos dependerá de los rangos de voltaje, corriente, potencia y velocidad del convertidor. Los circuitos electrónicos convertidores de potencia se pueden clasificar de la siguiente manera: � Rectificadores. Rectificadores. Rectificadores. Rectificadores. Circuito compuesto por diodos que convierte una señal AC a una señal con nivel de DC fijo. Este tipo de convertidor tiene aplicaciones en la alimentación de equipos electrónicos, en el control de motores de C.C., transporte de energía en C.C. y alta tensión. � Convertidores Convertidores Convertidores Convertidores ACACACAC----DCDCDCDC.... Este es un circuito convertidor (monofásico o trifásico) con tiristores donde el valor medio de la salida es controlado por el ángulo en el que se disparan los tiristores. Este tipo de circuito se conoce también como rectificadores controlados. Estos convertidores se utilizan generar niveles de DC variables. � Convertidores Convertidores Convertidores Convertidores ACACACAC----ACACACAC. . . . Estos convertidores son utilizados para obtener voltajes de AC variables a partir de una señal AC fija. Circuitos con estas características son conocidos como controladores de voltaje AC. Dentro de lagunas aplicaciones se tienen la variación de velocidad en motores de inducción, en el control de sistemas de iluminación y control de temperatura en hornos industriales. � CCCConvertionvertionvertionvertidores dores dores dores DCDCDCDC----DCDCDCDC.... Circuito que permite obtener un nivel de DC variable a partir de una señal DC fija, este tipo de circuitos son conocidos también como pulsadores o reguladores conmutados. En ocasiones son llamados troceadores o choppers y son comúnmente usados en vehículos eléctricos y en fuentes de alimentación a partir de baterías. � Convertidores Convertidores Convertidores Convertidores DCDCDCDC----ACACACAC.... Son mayormente conocidos como inversores (los cuales pueden ser monofásicos o trifásicos), estos circuitos permiten obtener una señal de alterna de frecuencia y amplitud variable a partir de una señal de tensión o corriente continua. Están basados en semiconductores de potencia que conmutan según una señal de control PWM que produce un comportamiento oscilatorio en la tensión de salida. � Interruptores estáticos.Interruptores estáticos.Interruptores estáticos.Interruptores estáticos. Circuitos de potencia operados como interruptores estáticos o contactares, estos circuitos pueden ser disparados por señales de AC o DC permitiendo manejar niveles de potencia media. 2.12.12.12.1 Diodos de potenciaDiodos de potenciaDiodos de potenciaDiodos de potencia Los diodos semicond circuitos de electrónica de interruptor ideal, cabe dec señales de unión p niveles de tensión y corrie con una velocidad de respu Un diodo de potencia cátodo) como se muestra ánodo y cátodo es mayo polarización directa y el d tensión directa relativame polarización depende del m Cuando la diferencia de po el diodo esta en polarizac puede ser expresada medi 2 Circuitos con diodos de Circuitos con diodos de Circuitos con diodos de Circuitos con diodos de odos de potenciaodos de potenciaodos de potenciaodos de potencia os diodos semiconductores de potencia tienen un pa tos de electrónica de potencia. En la mayoría de , cabe decir que los diodos de potencia son s pn, sin embargo los diodos de potencia s s de tensión y corriente mucho más elevados que los dio na velocidad de respuesta menor. n diodo de potencia es un dispositivo de unión ) como se muestra en la Figura 2-1, cuando la difere y cátodo es mayor que el valor de umbral zación directa y el diodo conduce. Un diodo en conduc n directa relativamente pequeña a través de sí zación depende del material semiconductor y de la te o la diferencia de potencial entre el ánodo y cátodo es m do esta en polarización inversa. La característica ser expresada mediante la ecuación Schockley de dio Figura 2-1 Símbolo y unión pn del diodo de p 9 cuitos con diodos de potenciacuitos con diodos de potenciacuitos con diodos de potenciacuitos con diodos de potencia tencia tienen un papel fundamental en los la mayoría de aplicaciones trabaja como un os de potencia son similares a los diodos de iodos de potencia son capaces de soportar elevados que los diodos de uso general pero ivo de unión pn de dos terminales (ánodo - , cuando la diferencia de potencial entre se dice que el diodo esta en Un diodo en conducción tiene una caída de mismo; el valor del voltaje de nductor y de la temperatura de la unión pn. cátodo es menor a cero se dice que característica v-i mostrada en la Figura 2-2 ockley de diodo dada por (2.1). del diodo de potencia Circuitos con diodos de potencia 10 Donde ID = Corriente a tra VD = Voltaje del dio IS = Corriente de fug n = coeficiente de e los diodos de silicioVT = es una constan por la expresión: Donde A una temperatura de unión También, a una temperatura especifi tipo de diodo. Por otro lado la curva se divide en tres regiones: RegiónRegiónRegiónRegión de polarización direde polarización direde polarización direde polarización dire diodo en esta zona es muy pequeña umbral o voltaje de activación que p silicio). El diodo conduce totalmente Figura os de potencia ( )1 V D nVT D sI I e= − = Corriente a través del diodo, = Voltaje del diodo, = Corriente de fuga o de saturación inversa (10 = coeficiente de emisión (n = 1, para los diodos de ge los diodos de silicio n = 2) = es una constante y es llamada voltaje térmico la cu por la expresión: kT T qV = q = carga del electrón (1.602 x 10-19 T = temperatura absoluta en Kelvins k = Constante de Boltzmann (1.38x10 eratura de unión pn de 25oC, la ecuación (2.2) daría que temperatura especificada la corriente de fuga IS es const or otro lado la curva característica del diodo indicada po de polarización directa:de polarización directa:de polarización directa:de polarización directa: es la zona donde el VD ona es muy pequeña si el voltaje del mismo es menor a de activación que por lo general de de 0.7 V (esto para totalmente si el voltaje VD es mayor al voltaje Figura 2-2 Curva característica v-i del diodo (2.1) ón inversa (10-6 a 10-15 A) ara los diodos de germanio y para voltaje térmico la cual está dada (2.2) 19 C), Kelvins (273 + 0C), 1.38x10-23 J/K) ación (2.2) daría que VT ≈ 25.8mV. es constante para cada el diodo indicada por la Figura 2-2 > 0, la corriente del el mismo es menor a un voltaje de (esto para los diodos de es mayor al voltaje de activación i del diodo Circuitos de potencia << F.Franco>> 11 con lo que la corriente ID crese permitiendo el manejo de niveles de corriente elevados. Región de polarización inversa:Región de polarización inversa:Región de polarización inversa:Región de polarización inversa: zona en la cual VD < 0, indicando que el diodo no conduce puesto que la corriente decae fuertemente a un IS constante de valor menor a cero. Región de ruptura:Región de ruptura:Región de ruptura:Región de ruptura: el diodo entra en esta zona cuando el voltaje inverso aplicado al mismo es alto, por lo general mayor a 1000V. La magnitud de ese voltaje inverso es conocida como VBR y la corriente inversa aumenta rápidamente ante un pequeño cambio más allá de VBR. La operación en la zona de ruptura no será destructiva siempre que el dispositivo sea capaz de soportar los niveles de potencia que se disiparan, estos niveles son especificados por cada fabricante. 2.22.22.22.2 Tipos de diodos de potenciaTipos de diodos de potenciaTipos de diodos de potenciaTipos de diodos de potencia Un aspecto importante a considerar en estos dispositivos semiconductores es el hecho de que en su accionar de conmutación los portadores minoritarios requieren un cierto tiempo para recombinarse con cargas opuestas y neutralizarse. Este tiempo es conocido como tiempo de recuperación inversa del diodo, de igual manera al aplicar un voltaje directo al diodo se lo obliga a conducir corriente en la dirección directa necesitándose un tiempo para ello conocido como tiempo de recuperación directa, antes del cual los portadores mayoritarios de toda la unión puedan contribuir al flujo de corriente. Estos tiempos de recuperación tienen efecto en la velocidad de conmutación y en la velocidad de elevación de la corriente directa. La velocidad de respuesta de los diodos y su capacidad de manejo de tensión y corriente junto a las técnicas de fabricación hacen que los diodos de potencia se clasifiquen en tres categorías: Diodos de uso general:Diodos de uso general:Diodos de uso general:Diodos de uso general: estos diodos tienen un tiempo de recuperación inversa alrededor de 25µs, y son comúnmente utilizados en aplicaciones de baja velocidad en las que el tiempo de recuperación no es crítico, manejan frecuencias de conmutación por debajo de 1 KHz. Estos dispositivos son capaces de soportar corrientes hasta los miles de amperios y voltajes con rangos entre los 50 y 5000 voltios. Además tienen la ventaja de ser de bajo costo. Diodos de recuperación rápida:Diodos de recuperación rápida:Diodos de recuperación rápida:Diodos de recuperación rápida: son dispositivos semiconductores en que los tiempos de recuperación son bajos, del orden de los 5 µs. Son comúnmente utilizados en circuitos convertidores DC-DC y DC-AC dado que en estos, los tiempos de recuperación son un parámetro critico. Estos diodos son capaces de soportar corrientes del orden de los cientos de amperios, con voltajes que van desde los 50 V hasta los 3000 V. Cabe notar que en este tipo de diodos de acuerdo al rango de Circuitos con diodos de potencia 12 potencia que soporten se fabrican con materiales y técnicas que ajustan los tiempos de conmutación, es decir a mayor potencia menor velocidad. Diodos Schottky:Diodos Schottky:Diodos Schottky:Diodos Schottky: los diodos Schottky son dispositivos de alta velocidad dado que el efecto de recuperación se debe únicamente a un fenómeno de autocapacitancia que este presenta en la unión semiconductora. Los diodos de este tipo manejan rangos de voltaje relativamente bajos, con valores menores a los 100 V y con corrientes no superiores a los 300 A. Este tipo de dispositivo es ampliamente utilizado en fuentes conmutadas de bajo voltaje y alta corriente, para altas eficiencias se recomienda utilizarlos en fuentes de mediana corriente del orden de los 20 – 30 A. 2.32.32.32.3 Circuitos básicos con diodosCircuitos básicos con diodosCircuitos básicos con diodosCircuitos básicos con diodos Son muchas las aplicaciones de los diodos semiconductores en la electrónica y en los circuitos eléctricos. Los diodos son piezas fundamentales en la electrónica de potencia para la conversión de energía eléctrica. A continuación se analizaran algunos tipos de circuitos que hacen uso de diodos de potencia, haciendo para ello el análisis matemático, mirando la respuesta en el tiempo y la simulación de circuito como tal. Para esto se hace uso de software que permite su tratamiento y análisis, para este libro se hizo uso de Maple, Matlab e Isis. Una consideración que se tuvo en cuenta para simplificar el análisis de los circuitos es que se tomo el diodo como un dispositivo ideal, es decir que el voltaje del diodo VD así como el tiempo de recuperación son cero. 2.3.12.3.12.3.12.3.1 Diodo con carga RCDiodo con carga RCDiodo con carga RCDiodo con carga RC El circuito de la Figura 2-3 indica un sistema con diodo y una carga RC, cuando el interruptor S se cierra en t = 0, una corriente i(t) fluye hacia la carga RC y su comportamiento se puede obtener a partir de la siguiente expresión la cual obedece a la ley de voltajes de Kirchhoff: 1 ( 0)CVs Ri idt Vc t= + + =∫ (2.3) Con la condición inicial de que Vc(t=0)=0, la solución de la ecuación (2.3) se obtiene derivándola y solucionando la ecuación diferencial resultante: 0 i i t i R t C RC i ∂ ∂ ∂= + ⇒ − = ∂ Integrando, ln( )t i RC − = Despejando, Circuitos de potencia << F.Franco>> 13 1( ) t RCi t ok ke − = + (2.4) Donde k0 y k1 son constantes de proporcionalidad las cuales se obtienen a partir de las condiciones iníciales. En este caso se tiene que la corriente en t=0 es máxima puesto que en ese instante el voltaje del capacitor es cero, indicando que todala tensión Vs cae en la resistencia (dado que se desprecia la caída de tensión en el diodo) por lo que: max ( 0) Vsi t i R = = = Ahora, cuando el tiempo tiende a infinito el capacitor se carga hasta el valor de la fuente con lo cual la caída de tensión en la resistencia es cero indicando que la corriente que pasa por ella es nula. Esto quiere decir: 1( ) 0 0i t k→∞ = ⇒ = Reemplazando estos resultados en (2.4) se tiene: ( ) t RCVs Ri t e − = (2.5) En la expresión (2.5) el término RC es conocido como constante de tiempo de una carga RC y es usualmente denominada tao (τ). Por otro lado, el voltaje en el capacitor esta dado por: 1 1( ) ( ) t RCVsV t RC Cc i t dt dte − = =∫ ∫ Resolviendo se llega a: ( ) (1 ) t RC cV t Vs e − = − (2.6) Figura 2-3 Diagrama del circuito RC Circuitos con diodos de potencia 14 Para el circuito RC de la Figu voltaje en el capacitor están dados en la Figura 2-4 se muestra el comp forma de solucionar el sistema de la de la transformada de Laplace el circuito RC de la Figura 2- (2.3) y considerando las condiciones Figura 2-4 Formas de onda pa b) La caída Figura EEEEJEMPLO JEMPLO JEMPLO JEMPLO 2.12.12.12.1 Para el circuito RC de la voltaje del capacitor en V. Si el interruptor S a) La corriente pico de b) La energía disipada c) El voltaje en el capa Solución/Solución/Solución/Solución/ a) En este punto la corri circuito. Por el comport visto en la Figura 2 os de potencia de la Figura 2-3, el comportamiento de la c pacitor están dados por las ecuaciones (2.5) y (2.6) res se muestra el comportamiento dinámico de estas do onar el sistema de la ecuación (2.3) es haciendo uso de la Laplace, en la Figura 2-5 se indica un diagrama en -3 luego de aplicar la transformada ando las condiciones iníciales. Formas de onda para un circuito RC, a) Corriente en el circ b) La caída de tensión en el capacitor Figura 2-5 Diagrama en bloques de un circuito RC de la Figura 2-3 se tiene que R = 10 del capacitor en t = 0 es de 170 V, el voltaje de la fuente S se cierra en t = 0, determinar: La corriente pico del diodo. La energía disipada en la resistencia. El voltaje en el capacitor en t = 5 µs este punto la corriente pico del diodo es la corrient . Por el comportamiento dinámico de la corriente e igura 2-4a) se puede establecer que la corr portamiento de la corriente y del nes (2.5) y (2.6) respectivamente, ámico de estas dos variables. Otra es haciendo uso de las propiedades ndica un diagrama en bloques para ransformada de Laplace al sistema a) Corriente en el circuito y e un circuito RC R = 10 Ω y C = 0.15 µF. El l voltaje de la fuente Vs es de 350 diodo es la corriente máxima del ico de la corriente en este circuito tablecer que la corriente máxima ocurre al inici serie con la ca ley de voltajes b) La energía di equivalente a condensador s c) Para determin de la ecuación con lo que la e Calculando el Evaluando en del voltaje como Figura Circuitos de p ocurre al inicio de la carga del capacitor. Ahora, serie con la carga se calcula la corriente del circui ley de voltajes de Kirchhoff se tiene: max m ( 0)Vs Ri Vc t i= + = ⇒ 350 170 max 10 i −= = La energía disipada en la resistencia en el circu equivalente al cambio de energía en el cap condensador se carga por medio de la resistencia, 21 1( ( )) (0.15 10 2 2 W C Vs Vc t o x= − = = Para determinar el voltaje en el capacitor en fun de la ecuación (2.3) en la cual el parámetro con lo que la expresión (2.5) queda: ( ( ( ) Vs Vc t i t R − = = Calculando el voltaje en el capacitor con esta corri ( ) ( ( 0)Vc t Vc t V= = − Evaluando en t = 5 µs, se tiene que Vc = 343V del voltaje como el de la corriente se indican en la Figura 2-6 a) Corriente en la resistencia y b) Voltaje Circuitos de potencia << F.Franco>> 15 l capacitor. Ahora, dado que el diodo esta en el circuito en t = 0. Aplicando la max ( 0)Vs Vc t i R − == 0 18 A= sistencia en el circuito de la Figura 2-3 es energía en el capacitor, puesto que el la resistencia, de esto se puede decir: 6 2 10 )(350 170) 2.43mJ − − = el capacitor en función del tiempo se parte al el parámetro Vc(t=0) es diferente de cero, )0) t RCt e −= pacitor con esta corriente se obtiene: ) t RCVs Vse − − + Vc = 343V, el comportamiento tanto en la Figura 2-6. sistencia y b) Voltaje en el capacitor Circuitos con diodos de potencia 16 2.3.22.3.22.3.22.3.2 Diodo con carga RLDiodo con carga RLDiodo con carga RLDiodo con carga RL Otro tipo de circuito común es el que maneja una carga RL tal como se indica en la Figura 2-7, en este circuito dada la presencia de un dispositivo almacenador de energía como lo es un inductor, la corriente se incrementa hasta su valor máximo cuando el interruptor S se cierra en t = 0. Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff al circuito se tiene: iV s R i L t ∂= + ∂ (2.7) Figura 2-7 Esquema de un circuito RL Para la solución de la ecuación diferencial (2.7) se aplica las propiedades de la transformada de Laplace, para ello se deriva la expresión (2.7) y posteriormente se aplica la transformada de Laplace de forma: 2 2 20 0i iR L RSi LS i t t ∂ ∂= + ⇒ = +∂ ∂ El polinomio obtenido en el dominio de Laplace se puede reorganizar quedando, 2 0 ( ) 0R RS S S S L L + = ⇒ + = (2.8) Las raíces de la ecuación cuadrática son reales por lo que el sistema es sobreamortiguado y su solución es de la forma: 1 2 ( ) R Lt i t A A e−= + (2.9) Donde A1 y A2 son constantes de proporcionalidad las cuales dependen de las condiciones iníciales del circuito. Con la condición inicial i(t=0)=0, se tiene que en t = 0 toda la tensión de la fu tiene: Luego, Para el voltaje en l La constante de t Las formas de onda p aparecen en la Figura 2 tiende a su valor máximo circuito de la Figura 2 Figura 2-8 Formas de on Circuitos de p a la tensión de la fuente Vs cae en la bobina con lo qu 1 2 ( 0) 0 0i t A A= = ⇒ = + 2 R L i L Vs A R t t o e −∂ = ⇒ ∂ = (( ) 1 R LtVs Ri t e− = − Para el voltaje en la bobina se hace la operación: ( ) L Ri V t L Vs t e−∂ = =∂ La constante de tiempo para un circuito con rmas de onda para el voltaje en la bobina y para l Figura 2-8, si t >> τ el voltaje en el inductor tie a su valor máximo Vs/R. La Figura 2-9 muestra un d de la Figura 2-7 en el dominio de Laplace. Formas de onda para un circuito RL, a) Corriente en en el inductor Figura 2-9 Diagrama en bloques del circu Circuitos de potencia << F.Franco>> 17 la bobina con lo que evaluando en (2.9) se 1 2 A A⇒ =− 0 R L t Vs t e − = = )t (2.10) e la operación: R L te− (2.11) carga RL está dada por τ=L/R. la bobina y para la corriente del circuito aje en el inductor tiende a cero y la corriente muestra un diagrama en bloques del o RL, a) Corriente en el inductor y b) Voltaje en bloques del circuito RL Circuitos con diodos de potencia 18 EEEEJEMPLO JEMPLO JEMPLO JEMPLO 2.22.22.22.2 El circuito de la Figura 2-10 tiene una resistencia R = 25 Ω y una inductancia L = 80 mH, el inductor almacena una corriente de 30 A. Si el interruptor S se cierra en t = 0 determinar: a) El valor final de la corriente en el inductor b) El voltaje en la resistencia en t = 10 ms c) Graficar el comportamiento de la corriente del circuito. Figura 2-10 Esquema de un circuitoRL Solución/Solución/Solución/Solución/ a) Para determinar el valor al que tiende la corriente en el circuito se debe expresar el comportamiento temporal de la misma, aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito se tiene, 0 iR i L t ∂= + ∂ Reorganizando, i iR Ri ttL L i ∂ ∂− = ⇒ − ∂ =∂ Integrando y por las propiedades de los logaritmos se llega a: 10 ( ) R L t i t k ke −= + Donde k0 y k1 son constantes que dependen da las condiciones dinámicas del circuito, las cuales son: el valor de la corriente en t = 0 debe ser de 30 A y por otro lado la corriente cuando t→∞ estado en el cual la corriente del inductor es cero dado que al cerrar el interruptor S la bobina se descarga por la resistencia consumiendo toda la energía almacenada en el inductor. Bajo estas consideraciones la expresión para la corriente en el circuito es: b) La tensión sob 10 ms c) De acuerdo a que su en estabilizars puede observa 2.3.32.3.32.3.32.3.3 Diodo con carga LCDiodo con carga LCDiodo con carga LCDiodo con carga LC En la Figura 2 se cuenta con dos element de corriente y voltaje. Cu circuito queda expresada Circuitos de p 312 30( )i t e −= La tensión sobre la resistencia está dada por se obtiene: 312.5 (1 750VR e − = De acuerdo a la expresión encontrada para la c que su comportamiento es exponencial decrecien en estabilizarse en su estado final es de aproxima puede observar en la Figura 2-11 Figura 2-21 Comportamiento de la corriente en Diodo con carga LCDiodo con carga LCDiodo con carga LCDiodo con carga LC En la Figura 2-12 se puede ver un circuito de diodo co nta con dos elementos almacenadores de energía con co rriente y voltaje. Cuando el interruptor S se cierra en to queda expresada según la ley de voltajes de Kirchhoff 1 CC i Vs L idt V t ∂= + +∂ ∫ Figura 2-12 Circuito con carga LC Circuitos de potencia << F.Franco>> 19 2 .5 t dada por VR = Ri(t), evaluando en t = (10 ) 33 ms V= ncontrada para la corriente se puede decir decreciente y el tiempo que tarda es de aproximadamente 15ms como se nto de la corriente en el circuito circuito de diodo con carga LC, en este caso res de energía con comportamiento no lineal se cierra en t = 0 la dinámica del Kirchhoff por la ecuación: ( 0)C tV =∫ (2.12) ircuito con carga LC Circuitos con diodos de potencia 20 Una forma de dar solución a la ecuación diferencial (2.12) es derivando y aplicando la transformación de Laplace de la forma: 2 2 2 0 0 CC LS iiiL i t ∂= + ⇒ = + ∂ Factorizando la corriente se llega al polinomio en el dominio de Laplace (2.13) el cual tiene raíces complejas indicando que el sistema es subamortiguado y su solución es de la forma (2.14) en donde las constantes A1 y A2 dependen de las condiciones iníciales de los elementos almacenadores de energía. 2 1 0 LC S + = (2.13) 1 2 ( ) cos( ) s n( )o oi t A w t A e w t= + (2.14) Dónde 1wo LC = . Ahora, si las condiciones iníciales para el circuito son i(t=0)=0 y Vc(t=0)=0 , entonces para que se cumpla que i(t=0)=0 se debe tener que A1 = 0. Para determinar A2 se parte del voltaje en el inductor en t = 0, el cual es Vs dado que el Vc(t=0)=0 por lo tanto: 2 2 2 0 0 cos( ) 1 o oL t t C LLC LA w i V L Vs w t Vs t LA Vs A Vs = = ∂= = ⇒ = ∂ = ⇒ = Remplazando este valor en (2.14) se tiene: ( ) s n( )o C Li t Vs e w t= (2.15) En (2.15) se pude ver que la corriente pico es C LVs . Ahora, para el voltaje en el capacitor se tiene la expresión: 1 1( ) ( cos( ))oCVc i t d t V s w t= = −∫ (2.16) Las ecuaciones (2.15) y (2.16) muestran el comportamiento de la corriente en el circuito y del voltaje en el capacitor mientras el diodo conduce en el circuito de la Figura 2-12. El diodo solo permite el paso de una tensión directa, es decir que solo permite el paso del semiciclo positivo de la señal (2.15) con lo que el comportamiento del voltaje en el cap condición del diodo está determinado por el Haciendo uso de la ecuac conducción estaría dado p Convirtiendo la expresión en un diagrama de bloques EEEEJEMPLO JEMPLO JEMPLO JEMPLO 2.32.32.32.3 El circuito de compuesto por capacitores tienen Circuitos de p ltaje en el capacitor es de la forma indicada en la del diodo tc establece la duración del flujo de corri eterminado por el comportamiento dinámico de la c ndo uso de la ecuación (2.15) y de la Figura 2- estaría dado por la expresión t LCc π= rtiendo la expresión (2.12) al dominio de Laplace diagrama de bloques como el indicado en Figura 2 Figura 2-13 Formas de onda para el circu Figura 2-14 Diagrama en bloques para el circu 2.32.32.32.3 El circuito de la Figura 2-15 es alimentado por una compuesto por una carga LC donde: L = 95mH capacitores tienen un voltaje inicial Vo = 40V Circuitos de potencia << F.Franco>> 21 en la Figura 2-13. El tiempo de ión del flujo de corriente por el diodo el cual to dinámico de la corriente en el circuito. -13 se llega a que el tiempo de Laplace se puede expresar el circuito Figura 2-14. de onda para el circuito LC bloques para el circuito LC alimentado por una fuente de 240 V y está L = 95mH, C1 = 0.2 µF y C2 = 0.7 µF. Los y la corriente almacenada en el Circuitos con diodos de potencia 22 inductor es nula, es decir determinar: a) La corriente pico en b) El tiempo de conduc c) El valor del voltaje e Solución/Solución/Solución/Solución/ a) En el circuito de la paralelo, implicando elementos. Los capacit capacitor cuya capacita de la Figura 2-15 Figura 2-12 en el cual Ahora, para determin condiciones iníciales corriente estaría expres Donde 1 o L w = natural del circuito. comportamiento del v tensión en el inductor os de potencia es nula, es decir i(t=0) = 0. Si el interruptor La corriente pico en el diodo El tiempo de conducción del diodo El valor del voltaje en régimen permanente del condens Figura 2-15 Circuito con carga LC el circuito de la Figura 2-15 los capacitores C1 y implicando que la caída de tensión es la mis mentos. Los capacitores C1 y C2 en paralelo confor acitor cuya capacitancia está dada por C = C1+C 15 tiene de la misma estructura que la del el cual la corriente esta expresada por la ecu ara determinar las constantes A1 y A iníciales Vc(t=0)=Vo e i(t=0)=0, obteniendo riente estaría expresada por: 2( ) s n( )oi t A e w t= 1 2( )L C C+ que se conoce también como tural del circuito. Para calcular el valor de ento del voltaje en el inductor en t=0 en el inductor es VL = Vs-Vo en t=0, de esto S se cierra en t = 0, anente del condensador C2 y C2 se encuentran en tensión es la misma en ambos en paralelo conforman un solo +C2, con esto el circuito que la del circuito de la expresada por la ecuación (2.14) A2 se consideran las obteniendo que A1 = 0 y la ce también como la frecuencia el valor de A2 se parte del t=0. Luego, la caída de esto: Circuitos de potencia << F.Franco>> 23 2 1 2 2 2 1 2 0 0 cos( ) 1 ( ) ( ) ooL t t i V L Vs Vo LA w w t Vs Vo t C C LA Vs V A Vs Vo o LL C C = = ∂= = − ⇒ = − ∂ += − ⇒ = − + La corriente pico del diodo está dada por A2, dado que es el valor máximo que circula por el diodo, luego: 1 2 6 3 (0.2 0.7) 10 (240 40) 615 95 10 ( )p x mA x C C I Vs Vo L − − + = − = += − b) El tiempo de conducción del diodo viene dado por la expresión t LCc π= que corresponde al tiempo que dura el semiciclo positivo de la corriente. Para el caso del circuito de la Figura 2-15 seria: 3 6 1 2( ) 3.1415 95 10 (0.2 0.7) 10 918 St L C C x xc µπ − −=+ = + = c) Como se menciono anteriormente el voltaje en los capacitores es el mismo, por consiguiente se calcula el voltaje en el capacitor resultante C de la forma: 1 ( ) ( ) ( ) ( ) cos( ) 1 C i t dt Vs Vo sen w t dtC oL V Vs Vo w t kc o CVc = − = − − + = ∫ ∫ El valor de k depende de las condiciones iníciales del voltaje en el capacitor, dado que Vc(t=0)=Vo el valor que debe tomar k = Vs. Ahora, el voltaje en el capacitor C2 en régimen permanente seria luego de transcurrido el tiempo de conducción del diodo, es decir Circuitos con diodos de potencia 24 ( (2 V Vc = − = − Las formas de capacitor C2 Figura 2-16 a) Comportamie 2.3.42.3.42.3.42.3.4 Diodo Diodo Diodo Diodo con carga RLCcon carga RLCcon carga RLCcon carga RLC Un circuito de diodo con car Cuando el interruptor S se cierra en aplacando la ley de voltajes de Vs = Definiendo las condiciones Vc(t=0)=Vo se deriva la ecuación (2 la expresión (2.18) la cual es una ecu os de potencia ( )cos( ) 6918 10(240 40) cos 395 10 (0.2 0.7) 10 Vs Vo w t Vso x x x t tc − − +  − − −  − − + = Las formas de onda tanto para la corriente como para e del circuito de la Figura 2-15 se indican en Comportamiento de la corriente, b) comportamiento capacitor C2 on carga RLCn carga RLCon carga RLCn carga RLC uito de diodo con carga RLC es como el que aparece en l se cierra en t = 0 el comportamiento del c de voltajes de Kirchhoff obteniendo: 1 ( 0)C iRi L i t Vc tt ∂= + + ∂ + =∂ ∫ iníciales para el circuito de la forma la ecuación (2.17) respecto al tiempo y reorganiza 18) la cual es una ecuación diferencial de segundo orden 2 2 0 C i i iR L tt ∂ ∂= + +∂∂ 240 422 60 V   + = −   orriente como para el voltaje en el se indican en la Figura 2-16 b) comportamiento del voltaje en el o el que aparece en la Figura 2-17. ortamiento del circuito se describe ) (2.17) de la forma i(t=0)=io y reorganizando se llega a ial de segundo orden. (2.18) Circuitos de potencia << F.Franco>> 25 Figura 2-17 Circuito RLC En régimen permanente el voltaje en el capacitor es constante e igual a Vs, en este estado la corriente del circuito es cero. El comportamiento de la corriente en el transitorio dependerá de los valores de R, L y C del circuito, pues estos parámetros rigen el comportamiento dinámico del sistema. La ecuación característica en el dominio de Laplace de (2.18) es: 2 1 0R L LCS S+ + = (2.19) Las raíces de este polinomio de segundo orden se obtienen de la forma: ( )2 1,2 1 2 2 R R L L LCS = − ± − (2.20) Dos características importantes en un circuito de segundo orden son el factor de amortiguamiento α y la frecuencia natural ωo definidas como: 1 , 2 o R L LC α ω= = Expresando a (2.20) en términos de α y ωo queda: 2 2 1,2 o S α α ω= − ± − (2.21) Ahora, la ubicación de las raíces (2.21) del polinomio (2.19) establecen la solución para la ecuación diferencial (2.18). Luego, son tres los casos posibles para la ubicación de dichas raíces. Circuitos con diodos de potencia 26 Caso 1.Caso 1.Caso 1.Caso 1. Se da cuando α=ωo en donde las raíces son reales e iguales es decir s1=s2=-α. Esto implica que el sistema es críticamente amortiguado y su solución es de la forma: 1 2 ( ) ( ) ti t A A t e α−= + (2.22) Donde A1 y A2 son constantes que dependerán de las condiciones iníciales del circuito. Caso 2.Caso 2.Caso 2.Caso 2. Este ocurre cuando α > ωo con lo cual las raíces son reales y el comportamiento del sistema es sobreamortiguado cuya solución está dada por la siguiente expresión: 1 2 1 2 ( ) s t s ti t A Ae e= + (2.23) Con A1 y A2 como constantes que están determinadas por las condiciones iníciales del circuito. Caso 3.Caso 3.Caso 3.Caso 3. Este caso se da si α < ωo con lo cual las raíces serán complejas por lo que el circuito se comportara como un sistema subamortiguado y presenta una solución de la forma: ( )1 2( ) cos( ) ( )r r ti t A t A sen te α ω ω−= + (2.24) Donde ωr se denomina frecuencia de resonancia y está dada por 2 2 r oω ω α= − , A1 y A2 son las constantes que dependen de las condiciones iníciales del circuito. EEEEJEMPLO JEMPLO JEMPLO JEMPLO 2.42.42.42.4 Para un circuito RLC como el de la Figura 2-17 que es alimentado por una fuente de 310 V, con una carga inductiva L = 25 mH, una capacitancia C = 0.027 µF y una resistencia R = 680 Ω. Determinar: a) La expresión para la corriente si el inductor tiene una carga inicial de 30 mA y el capacitor presenta un voltaje inicial de cero. b) El tiempo de conducción del diodo. c) Graficar el comportamiento de la corriente para diferentes valores de R. Circuitos de potencia << F.Franco>> 27 Solución/Solución/Solución/Solución/ a) Para este circuito el comportamiento dinámico esta dado por la ecuación (2.17), la determinación de la expresión para la corriente dependerá del comportamiento del sistema. Evaluando el factor de amortiguamiento y la frecuencia natural se establece la solución que tendrá la ecuación diferencial (2.18) que gobierna el comportamiento del circuito, de esto: 3 3 6 680 1 13600, 40000 2(25 10 ) (25 10 )(0.027 10 ) ox x x α ω− − − = = = = Puesto que ωo > α el sistema es subamortiguado y su solución es de la forma (2.24). Para determinar el valor de las constantes, A1 y A2 se parte de las condiciones iníciales, es decir i(t=0) = 30 mA y Vc(t=0)=0. ( cos( ) s n( ))1 2 10 ( 0) t A t A e t Ar r t ti e α ω ω − + = = = = De esto se tiene que A1 = 30 mA, para determinar el valor de A2 se parte de la condición inicial de tensión tanto en el capacitor como en el inductor. En t = 0 la corriente del circuito es 30 mA y puesto que Vc(t=0) = 0 toda la tensión de la fuente caerá en el inductor, de esto se tiene que 0 ( 0) ( 0)L t i V L Vs Vc t Ri t t = ∂= = − = − = ∂ 1 2 0 1 2 0 ( cos( ) ( )) ( 0) ( ( ) cos( )) t t t t e A t A sen ti r rL Vs Ri t t e A sen t A tr r r r α α α ω ω ω ω ω ω − − = = − + +∂ = = − = ∂ − + Evaluando queda: 1 1 2 2 3 3 2 20.4 20.4 310 20.4 13600(3 10 ) 18.5 10 37617 r r Vs A A A Vs A x A x αα ω ω − − − +− + = − ⇒ = − += = Ahora, la expresión para la corriente queda: 13600 37617 37617( ) (3 cos( ) 18.5 s n( ))ti t e t e t mA−= + Circuitos con diodos de potencia 28 b) El tiempo de conducción del diodo es el tiempo en que fluye corriente por el circuito, es decir que es el tiempo en i(t) = 0. Despejando el tiempo de la expresión para la corriente del punto a) se tiene: 13600 3 37617 18.5 37617( cos( ) s n( )) 0te t e t− + = Despejando, ( )1 3 18.5 3 1 37617 18.5 37617 tan( ) tan 0.24t t m s−= ⇒ = = c) El comportamiento de la corrientes está dada por la ecuación (2.24) en donde el termino que depende de R es α , entonces el efecto de variar R se observa en la Figura 2-18 . Figura 2-18 Comportamiento de la corriente del circuito para diferentes valores de R 2.3.52.3.52.3.52.3.5 Rectificador monofásico de media ondaRectificador monofásico de media ondaRectificador monofásico de media ondaRectificador monofásico de media onda Un circuito rectificador de media onda es un circuito convertidor de señal dado que transforma una señal de corriente alterna en una señal unidireccional. Los diodos son los dispositivos encargados de hacer la transformaciónde la forma de onda y es una de sus aplicacion con carga resistiva donde positivo de la señal de ent carga. Durante el medio ci permite el flujo de corrien formas de onda de tensión Dado que los conv DC con cierta cantidad de energía en estos circuitos armónico en la tensión y determinado por parámetr � Valor promed Circuitos de p aplicaciones más comunes. En la Figura 2 arga resistiva donde Vs es de la forma Vs = Vmcos(wt) vo de la señal de entrada el diodo conduce y el voltaje d medio ciclo negativo el diodo está en su co ite el flujo de corriente a la carga por lo que el voltaje s de onda de tensión en los dispositivos del circuito se ve Figura 2-19 Circuito rectificador de media o Figura 2-20 Formas de onda Dado que los convertidores son procesadores de n cierta cantidad de componentes armónicas. La calid ía en estos circuitos es medible y su rendimiento hace en la tensión y corrientes que entregan a la car minado por parámetros tales como: Valor promedio del voltaje de salida o voltaje en la 1 0 ( ) T d c oTV V t d= ∫ Circuitos de potencia << F.Franco>> 29 Figura 2-19 se muestra un circuito cos(wt), durante el medio ciclo onduce y el voltaje de entrada es visto en la en su condición de bloqueo y no or lo que el voltaje en la carga es cero. Las del circuito se ven la Figura 2-20. ctificador de media onda ormas de onda rocesadores de señal que entregan una señal . La calidad de la conversión de u rendimiento hace referencia al contenido e entregan a la carga, este rendimiento es salida o voltaje en la carga Vdc )d t∫ (2.25) Circuitos con diodos de potencia 30 � Valor promedio de la corriente de salida (la cual dependerá del tipo de carga) Idc � La potencia de salida en DC dc dc dcP V I= (2.26) � El valor medio cuadrático (rms) del voltaje de salida, Vrms 1 2 21 0 ( ) T r m s oTV V t d t   =      ∫ (2.27) � El valor medio cuadrático (rms) de la corriente de salida, Irms (la cual depende del tipo de carga) � La potencia de salida en CA ac rm s rm sP V I= (2.28) � La eficiencia del rectificador, parámetro que determina la efectividad del rectificador dc ac P P η = (2.29) � El valor efectivo (rms) de la componente CA de la tensión de salida 2 2 c a r m s d cV V V= − (2.30) � El factor de forma, parámetro que determina la forma de la señal de salida rm s d c V F F V = (2.31) � El factor de componente ondulatoria, parámetro para determinar el contenido de la componente ondulatoria Circuitos de potencia << F.Franco>> 31 2 1ca dc V R F F F V = = − (2.32) � El factor de utilización del transformador dc s s P TUF V I = (2.33) Donde Vs e Is son el valor medio cuadrático (rms) de la tensión y la corriente en el secundario del transformador. � El factor de potencia es la relación de fase entre en voltaje y la corriente en un sistema eléctrico en función de la componente fundamental de la corriente 1 coss s I PF I φ= (2.34) Donde Is1 es la componente fundamental de la corriente Is y φ es la fase entre la tensión y la corriente. � El factor de cresta, la cual es una medida de la relación entre la señal pico y el valor medio cuadrático de la misma señal ( )s p ico s I C F I = (2.35) EEEEJEMPLO JEMPLO JEMPLO JEMPLO 2.52.52.52.5 El rectificador de la Figura 2-21 tiene una carga puramente resistiva conformada por R1 + R2 y es alimentada por Vs = Vmsen(wt + ϕ). Determinar: a) El valor promedio del voltaje de salida b) La eficiencia c) El factor de forma d) El factor de utilización del transformador Circuitos con diodos de potencia 32 Figura Solución/Solución/Solución/Solución/ a) Las formas de onda obte 2-22 tanto para la te comportamiento de la c de salida de forma: 1 2dcV π= dcV = − Evaluando, b) Para calcular la se hace nec tanto de la corriente como d os de potencia Figura 2-3 Diagrama del circuito formas de onda obtenidas para este circuito me muestra tanto para la tensión de salida que cae en R portamiento de la corriente. Aplicando la ecuación (2 de forma: 2 1 2 2 ( ) 0 2 mV R sen wt dwtR R π ϕ π ϕ π ϕ − ++ −   +   ∫ ∫ (2 1 2 1 cos( ) cos(02 mV R wtR R π ϕ ϕπ − ++− + 2 1 2 1 mV R dc R RV π += Figura 2-22 Formas de onda lcular la se hace necesario determinar los valores medi e la corriente como de la tensión, dado que se determina circuito me muestran en la Figura da que cae en R2 así como el ando la ecuación (2.25) al voltaje ( )sen wt dwt π ϕ ϕ + −     ∫ )2 os( ) 2wt π ϕ π ϕ+ − nar los valores medios cuadráticos do que se determinara la eficiencia Circuitos de potencia << F.Franco>> 33 del rectificador los voltajes de salida serán los que entrega el rectificador y no el punto de VL tomado del circuito. El valor medio del voltaje de salida y el de la corriente en la carga son de la forma: 2 1 2 0 2 ( ) ( )dc mV V sen wt dwt sen wt dwt π ϕ π π π ϕ ϕ ϕ − −    = + + +     ∫ ∫ m dc V V π = 1 2 1 2( ) d c m d c V V I R R R Rπ = = + + Según (2.27) el valor medio cuadrático de tensión es: 1 22 2 2 2 21 2 0 2 ( ) ( )rm s m mV V sen w t d t V sen w t d t π ϕ π π π ϕ ϕ ϕ − −      = + + +       ∫ ∫ 1 2 ( ) 1 2 2 4 0 2( ) 1 2 4 2 (2 ( )) 2 (2 ( )) w t m rm s w t sen w tV V sen w t π ϕϕ πϕ π ϕ ϕ π ϕ −+ + −   − + +  =    − +      ( ) 1 22 1 1 2 2 4 4(2 ) (4 2 ) 2 m rm s V V sen senϕπ ϕ π π ϕ π π   = − + + − + −    2 m rm s V V = 1 2 1 22 ( ) rm s m rm s V V I R R R R = = + + Ahora evaluando la ecuación (2.29) con (2.28) y (2.26) se tiene que la eficiencia es: 2 2 1 2 2 1 2 ( ) 2 4 ( ) 4 40% m m V R Rdc dc dc V ac rm s rm s R R P I V P I V πη π + + = = = = = c) De la ecuación (2.31) se tiene que: 2 1.57 2 m m V rm s V dc V FF V π π= = = = Circuitos con diodos de potencia 34 d) Para evaluar la ecuación 2 2 0 1 2s mV V π π   =    ∫ P TU F V = 2.3.62.3.62.3.62.3.6 Rectificador monofásico de oRectificador monofásico de oRectificador monofásico de oRectificador monofásico de o Un circuito rectificador de o permite el paso de los dos medios ci una sola polaridad para la señal d transformador utilizado en este circ en los diodos cuando estos no están Figura 2-24. Figura 2-23 Diagram os de potencia la ecuación (2.33) se debe calcular el valor 1 2 2 2 ( ) , 2 m m V sen w t d tϕ  + =    ∫ 2 2 1 2 1 2 ( ) 2 2 ( )2 2 2 0. m m m V R Rdc V V s s R R P V I π π + + = = = dor monofásico de onda completador monofásico de onda completador monofásico de onda completador monofásico de onda completa uito rectificador de onda completa se indica en la de los dos medios ciclos de la señal que entra al rectific la señal de salida, esto se observa en la utilizado en este circuito tiene derivación central por lo ando estos no están polarizados es de -2Vm tal como se Diagrama del rectificador de onda completa Figura 2-24 Formas de onda calcular el valor rms de Vs e Is , s rm sI I= 0.28 se indica en la Figura 2-23 el cual l que entra al rectificador pero con se observa en la Figura 2-24. El ación central por lo cual el voltajetal como se muestra en la de onda completa Una configuración ampliam que se muestra en la conocido como puente rec pasa por dos de los diod circuito de la Figura 2 EEEEJEMPLO JEMPLO JEMPLO JEMPLO 2.62.62.62.6 Para el rectifica transformador es a) El voltaje de s b) La eficiencia d Circuitos de p onfiguración ampliamente utilizada en los rectificadores muestra en la Figura 2-25 en donde se hace uso de cua ido como puente rectificador en el cual cada medio cicl por dos de los diodos con formas de onda similares igura 2-23 tal como se puede apreciar en la Figura 2-25 Rectificador de onda completa en p Figura 2-26 Formas de onda 2.62.62.62.6 Para el rectificador de la Figura 2-27 el volta transformador es de la forma Vs=-Vmcos(wt). Determi El voltaje de salida promedio La eficiencia del rectificador Circuitos de potencia << F.Franco>> 35 en los rectificadores de onda completa es la e se hace uso de cuatro diodos en un arreglo cual cada medio ciclo de la señal de entrada s de onda similares a las obtenidas con el de apreciar en la Figura 2-26. e onda completa en puente ormas de onda el voltaje del secundario del Determinar: Circuitos con diodos de potencia 36 c) El factor de componente d) Expresar la corriente en Solución/Solución/Solución/Solución/ a) Dado que la carga comportamiento de las la forma indicada en l obtiene a partir de (2.25 1 2dcV π= os de potencia actor de componente ondulatoria resar la corriente entregada por el rectificador en series o que la carga en el circuito es puramente portamiento de las señales de tensión y corriente en la forma indicada en la Figura 2-28. El voltaje promedio iene a partir de (2.25) 3 2 3 2 3 2 cos( )2mV R R R w t dw t π π +    − =     ∫ Figura 2-27 Rectificador con carga resistiva Figura 2-28 Formas de onda rectificador en series de Fourier ito es puramente resistiva el sión y corriente en la carga son de El voltaje promedio de salida se 3 2 3 2 mV R R Rπ +   =   resistiva Circuitos de potencia << F.Franco>> 37 b) La eficiencia del rectificador está dada por la expresión (2.29) para lo cual es necesario calcular el valor medio cuadrático tanto para la tensión como para la corriente y el valor medio entregado por el rectificador en tensión y corriente 3 2 2 21 2 cos( ) 2 m dc m V V V w t dw t π ππ π    = − =     ∫ La corriente Idc depende de la carga y está dada por 1 2 3 1 2 3 1 2 3 2 ( ) ( ) ( ) d c m d c V V R R R I R R R R R Rπ + += = + + El valor rms del voltaje de salida es 1 23 2 2 22 ( co s( )) 2rm s mV V w t d t π ππ    = −     ∫ ( ) 1 2 3 2 2 2 1 2 4 ( 2 ) 2 m mw t rm s V V V s e n w t π ππ   = − =    ( ) 1 2 3 1 2 3 1 2 3 ( ) ( ) 2 ( ) r m s m r m s V V R R R I R R R R R R + += = + + De la ecuación (2.29) se tiene: 2 1 2 3 2 2 3 1 2 1 2 3 2 3 1 4 ( ) ( ) 2( ) 2( ) 8 81% m m V R R R R R Rdc dc dc V R R R ac rms rms R R R P I V P I V πη π + + + + + + = = = = = c) De la ecuaciòn (2.32) 2 2 2 1 48.3% 8 rm s dcca dc dc V VV RF V V π− = = = − = d) La corriente consumida por toda la carga del rectificador se puede escribir mediante una serie de Fourier de la forma: Circuitos con diodos de potencia 38 ( ) 1 ( ) ( ) cos( )dc n i t I a sen wt b w t n n ∞ = = + +∑ 2 ( )1 2 3 ( )( ) 1 2 31 2 3 V V R R Rdc m dc R R RR R R I π + + = ++ = 3 2 1 2 3 1 2 3 2 0 2 ( ) ( ) ( ) ( ) c o s ( ) ( ) 2 1 m T n V R R R R R R i t s e n n w t d t w t se n n w t d w t a T π π π + + + = = − ∫ ∫ ( ) 3 2 1 2 3 1 2 3 2 3 2 1 2 3 1 2 3 2 2 ( ) ( ) ( ) cos((1 ) ) cos((1 ) ) ( ) 1 1 cos( ) ( )m m V R R R n R R R V R R R n wt n wt R R R n n wt sen nwt dwta π π π π π π + + + + + + − + + − = − = + ∫ 2 1 2 3 1 2 3 2 2 ((1 ) 2 ) ((1 ) ) 1( ) ( ) 2 ((1 ) 2 ) ((1 ) ) 1 m sen n sen n nV R R R n R R R sen n sen n n a π π π π π − + + ++ + + − − − −  +  =     0,n para todo na = 3 2 1 2 3 1 2 3 2 2 ( ) 0 2 ( )1 ( ) cos( ) cos( ) cos( )m T tn T V R R R R R R nw t dt w t nw t dw t b i π π π + + + = = − ∫ ∫ ( ) 3 2 1 2 3 1 2 3 2 3 2 1 2 3 1 2 3 2 2 ( ) ( ) ( ) ((1 ) ) ((1 ) ) ( ) (1 ) (1 ) cos( )cos( )m m V R R R n R R R V R R R sen n wt sen n wt n R R R n n wt nwt dwtb b π π π π π π + + + + + + − + + − = − = − + ∫ nb 0,nb = Sustituyendo los v ( )i t = Para verificar el ejemplo 2.6 se ha electrónicos ISIS dieron valores a l comportamiento d muestra el circuito corriente y voltaje Figura 2-4 Circuitos de p 1 2 3 1 2 3 cos((1 2 ( ) ( ) cos((1 m n V R R R R R R nπ + + + + −  = −   (1 2 3 1 2 3 ((1 )2 ( ) ( ) (1 ) m sen nV R R R n R R R nb π ++ + + += − , para n impar Sustituyendo los valores de Idc, �n y bn la serie de Four (1 2 3 1 2 3 ((1 )2 ( ) ( ) (1 ) 2 ) 1m sen nV R R R R R R n n π ∞ ++ + + + =  = −  ∑ Para verificar el comportamiento del rectificador ejemplo 2.6 se hace uso del software de simulación electrónicos ISIS en el cual se implemento el circuito dieron valores a los elementos y señales de entrada c comportamiento de la tensión y la corriente en la car muestra el circuito implementado en el simulador y la corriente y voltaje. 4 Comportamiento de la simulación del circuito Circuitos de potencia << F.Franco>> 39 2 2 ) 2 ) ((1 ) ) (1 ) ) 2 ) ((1 ) ) (1 ) n sen n n n sen n n π π π π + + + − − − +    )2 2) ) ((1 ) ) ) (1 ) n sen n n n π π− −+ la serie de Fourier para la corriente es: )2 2) ) ((1 ) ) cos( )) (1 ) n sen n wtn π π− −  +   to del rectificador de onda completa del ware de simulación de circuitos eléctricos y plemento el circuito de la Figura 2-27 y se señales de entrada con el fin de observar el la corriente en la carga. En la Figura 2-28 se simulador y las respectivas salidas de mulación del circuito del ejemplo 2.6 Circuitos con diodos de potencia 40 2-1 Para el circuito de la Figura E 2 determinar (a) La expresión para corriente y (b) La expresión para voltaje en el capacitor si Vc(t=0)= Vo cuando el interruptor S se cierra. 2-2 El capacitor en el circuito de la E 2-1 tiene un valor inicial y una capacitancia de 0.23 resistencia en el circuito es Si S se cierra en t =0 calcular: (a) tiempo de conducción del diodo, El voltaje en el capacitor en (c) Graficar el comportamiento de corriente en el tiempo. Figura E Figura E Figura E Figura E 2222----1111 2-3 En el circuito RL de la Figura E 2 inductor tiene una carga inicial determinar: (a) La expresión para corriente en función del tiempo, El voltaje en el inductor como func del tiempo y (c) Graficar las form de onda. 2-4 Los valores de L y R en el circuito la Figura E 2-2 son 45mH respectivamente. Si i(t=0) calcular: (a)La corriente pico en diodo, (b) El tiempo de conducc del diodo y (c) Expresar la corrie i(t) como una serie de Fourier. 2-5 La Figura E 2-3 presenta un circu RL en donde fluye una corriente 15 A por el diodo en t=0 también el instante que se cierra interruptor S. La inductancia 79mH y R=8Ω. Determine: (a) os de potencia Ejercicios propuestosEjercicios propuestosEjercicios propuestosEjercicios propuestos Figura E 2-1 a expresión para la a expresión para el (t=0)= Vo se cierra. el circuito de la Figura valor inicial Vo= 250 V 0.23µF, la el circuito es R = 20 Ω. calcular: (a) El ducción del diodo, (b) l capacitor en t = 3 µs y l comportamiento de la Figura E 2-2 el e una carga inicial Io, a expresión para la unción del tiempo, (b) l inductor como función raficar las formas en el circuito de mH y 12Ω i(t=0)= 30A a corriente pico en el tiempo de conducciónxpresar la corriente serie de Fourier. presenta un circuito fluye una corriente de t=0 que es stante que se cierra el . La inductancia L = Determine: (a) La expresión para la corr expresión para el volta Figura E Figura E Figura E Figura E 2-6 En el rectificador de on E 2-4 el voltaje en el se la forma Vs = 180 cos(75t carga del circuito e Calcular: (a) rectificador, (b) (c) El factor de ondulatoria, (d) utilización del transfor factor de cresta. Figura EFigura EFigura EFigura E 2-7 Para el circuito de determinar la expresió Fourier para la corrie Vs = Vmcos(wt+ 2-8 Al circuito RLC alimenta una fuente carga la componen µF y R = 15 capacitor en t = 0 corriente almacenada de 2 A, calcular: (a) la corriente en el circu presión para la corriente y (b) La presión para el voltaje si Vs=190 V. Figura E Figura E Figura E Figura E 2222----2222 el rectificador de onda de la Figura el voltaje en el secundario es de Vs = 180 cos(75t + π/4) y la rga del circuito es de 50 Ω. lcular: (a) La eficiencia del ctificador, (b) El factor de forma, l factor de componente dulatoria, (d) El factor de ilización del transformador y (e) El ctor de cresta. Figura E Figura E Figura E Figura E 2222----3333 ra el circuito de la Figura E 2-4 expresión en series de urier para la corriente de carga si cos(wt+ϕ). RLC de la Figura E 2-5 lo imenta una fuente Vs = 340 V, la a la componen L = 10 mH, C = 20 R = 15 Ω. Si el voltaje en el t = 0 es de 50 V y la rriente almacenada en la bobina es , calcular: (a) La expresión para corriente en el circuito, (b) El tipo de comportamiento corriente, (c) capacitor, (d) E y (e) Graficar el comp voltaje en la resisten interruptor S se cierra Figura E Figura E Figura E Figura E 2-9 Si el interruptor Figura E 2-5 se cierra Vc(t=0)= Vo y i(t=0)=0 las expresiones para conducción del dio corriente pico del diod es críticamente amorti Figura E Figura E Figura E Figura E 2-10 Un rectificador de m indica en la Figura E 2 un voltaje Vs = Expresar el voltaje Fourier y (b) D del primer armónico d carga. 2-11 En el circuito de la 12 Ω y Vs = 230 sen (40 Calcular: (a) El tiempo de los diodos, (b) rectificador, (c) (d) El factor de transformador, (e) Circuitos de p e comportamiento dinámico de la rriente, (c) El voltaje en el El voltaje en el inductor raficar el comportamiento del ltaje en la resistencia cuando el se cierra. Figura E Figura E Figura E Figura E 2222----4444 el interruptor S en el circuito de la se cierra en t = 0 con 0)= Vo y i(t=0)=0 determinar s expresiones para: (a) El tiempo de nducción del diodo y (b) La rriente pico del diodo si el sistema críticamente amortiguado. Figura E Figura E Figura E Figura E 2222----5555 n rectificador de media onda se Figura E 2-6 el cual tiene Vs = -Vmcos(wt-ϕ), (a) xpresar el voltaje VL en series de Determinar el valor rms el primer armónico del voltaje en la n el circuito de la Figura E 2-6 R = y Vs = 230 sen (400t - π/3) V. l tiempo de conducción e los diodos, (b) La eficiencia del ctificador, (c) El factor de forma, l factor de utilización del ansformador, (e) El voltaje de salida pro pico en los 2-12 Determina (b) del voltaj Figura E 2 Asen(wt) + (A 2-13 Para el cir = V en expresión por en el ca corrien condensad (d) capacitor. 2-14 Si circuito d 450cos(450t) compuesta calcular: voltaje en (b) AC en los diod 2-15 En el circ elementos tienen sus el interru determina Circuitos de potencia << F.Franco>> 41 salida promedio y (f) La corriente pico en los diodos. Figura E Figura E Figura E Figura E 2222----6666 Determinar (a) El voltaje promedio y (b) El valor rms del primer armónico del voltaje VL en el circuito de la Figura E 2-6 si Vs es de la forma Vs = Asen(wt) + (A/3)sen(3wt). Para el circuito de la Figura E 2-7 Vs = Vmsen(wt) y el voltaje del capacitor en t=0 es cero. Determinar: (a) La expresión para la corriente que pasa por R, (b) La expresión para el voltaje en el capacitor, (c) Graficar la corriente y el voltaje en el condensador en función del tiempo y (d) El valor promedio del voltaje en el capacitor. Si el voltaje en el secundario del circuito de la Figura E 2-7 es Vs = 450cos(450t) y la carga RC está compuesta por R = 80Ω y C=30µF, calcular: (a) La expresión para el voltaje en el capacitor si Vc(t=0)=0, (b) El factor de forma, (c) La potencia AC en la carga y (d) La corriente pico en los diodos. Figura E Figura E Figura E Figura E 2222----7777 En el circuito de la Figura E 2-8 los elementos almacenadores de energía tienen sus valores iníciales en cero, si el interruptor S se cierra en t =0 determinar: (a) El comportamiento Circuitos con diodos de potencia 42 dinámico de la corriente en el inductor, (b) El comportamiento dinámico en el voltaje del capacitor, (c) Graficar el comportamiento del voltaje en la resistencia y (d) El voltaje en el capacitor en t = 3 µs. 2-16 Los valores de los parámetros en el circuito de la Figura E 2-8 son R = 35 Ω, L = 67 mH, C = 27 µF, Vs = 190 V y las condiciones iniciales son Vc(t=0)=Vs e i(t=0)=0. Calcular: (a) La corriente pico en el diodo, (b) El voltaje en el capacitor en t= 2µs y (c) Graficar el comportamiento del voltaje y la corriente en la resistencia. Figura E Figura E Figura E Figura E 2222----8888 43 3 Rectificadores ControladosRectificadores ControladosRectificadores ControladosRectificadores Controlados 3.13.13.13.1 TiristoresTiristoresTiristoresTiristores Los tiristores son dispositivos semiconductores de potencia compuestos por cuatro capas de estructura pnpn donde se tienen tres barreras de potencial entre las uniones. Un tiristor funciona como un conmutador biestable donde sus posibles estados son el de conducción y el de no conducción siendo controlado su estado por medio de una señal de disparo en el terminal de compuerta. El tiristor es un dispositivo de tres terminales: ánodo, cátodo y compuerta. En la Figura 3-1 se indica el símbolo del tiristor de potencia y sus terminales. Figura 3-1 Símbolo y dispositivo del tiristor En un tiristor cuando la diferencia de potencial entre el ánodo y el cátodo es positiva se dice que tiene una polarización directa o positiva con lo que le tiristor se encuentra en estado de bloqueo directo o estado inactivo sin embargo existirá una corriente de fuga o corriente de estado inactivo. Si la caída de tensión entre el ánodo y el cátodo VAK se incrementa hasta un valor nominal VBO dependiente de cada tipo de tiristor llamado voltaje de ruptura directa se produce un fenómeno conocido como ruptura por avalancha haciendo que fluya una corriente de ánodo y entonces el dispositivo cambie al estado de conducción o activo. Rectificadores Controlados 44 En el estado activo la corriente d alimentando, la corriente de conocido como corriente de engan los terminales, es decir, IL conducción luego de haber sido activ entre ánodo y cátodo. Cabe decir qu el dispositivo, esta se retira y este qu tiristor en estado de conducción se c se reduce la corriente de ánodo corriente de mantenimiento el comportamiento de la corriente de Figura 3-2, donde se observa los dife la conmutación de un tiristor. Figura Un tiristor se puede activar incr VBO, pero esta forma de activ destructiva. Normalmente de VBO y activar el tiristor med positiva entre la compuerta compuerta la cual al aumentar h tal como se observa en la corriente de ánodo sea mayor a corriente en la compuerta queda ctivo la corriente de ánodo dependerá de la carga a corriente de ánodo debe ser mayor al valor del p corrientede enganche, a fin de mantener el flujo de elec es la corriente mínima para mantener e o de haber sido activado por la señal de compuerta o po . Cabe decir que en un tiristor la señal de compuer sta se retira y este queda enganchado en su estado de co o de conducción se comporta como un diodo en conduc ánodo por debajo del valor del parámetr mantenimiento el dispositivo pasa al estado de o de la corriente de ánodo IT respecto al voltaje V e se observa los diferentes estados y los parámetros qu de un tiristor. Figura 3-2 Característica V-I del tiristor se puede activar incrementado el voltaje VAK por sta forma de activación no es aconsejable ya que Normalmente lo que se hace es mantener el voltaje tivar el tiristor mediante la aplicación de una diferenci tre la compuerta y el cátodo, este voltaje genera una la cual al aumentar hacer que el voltaje de bloqueo direc la Figura 3-3, una vez activado el disposit sea mayor a la corriente de enganche se suspend la compuerta quedando el tiristor enganchado. derá de la carga a la que este al valor del parámetro IL tener el flujo de electrones entre para mantener el tiristor en al de compuerta o por alto voltaje la señal de compuerta solo activa o en su estado de conducción. Un un diodo en conducción, ahora si valor del parámetro IH llamado sa al estado de bloqueo. El VAK se muestra en la parámetros que influyen en por encima del valor de consejable ya que tiende a ser antener el voltaje VAK por debajo ión de una diferencia de tensión voltaje genera una corriente de taje de bloqueo directo sea menor activado el dispositivo y que su enganche se suspende la señal de Circuitos de potencia << F.Franco>> 45 Figura 3-3 Activación del tiristor por corriente Un aspecto importante es el tiempo de respuesta del tiristor, este hace referencia al tiempo que tarda el tiristor en cambiar de estado. Existe un retraso en la respuesta conocido como tiempo de activación, este es el tiempo que tarda el tiristor en activarse y se define como el intervalo de tiempo que toma llegar al 90% del valor de le corriente de tiristor desde el 10% de la corriente de compuerta, también se define como la suma del tiempo de retraso mas el tiempo de elevación. El tiempo de retraso se define como el intervalo de tiempo que toma llegar al 10% de la corriente de tiristor o de ánodo después de haber alcanzado el 10% de la corriente de compuerta. El inérvalo de tiempo para alcanzar el 90% de la corriente de tiristor desde el 10% de la misma es lo que se conoce como tiempo de elevación. De lo expuesto anteriormente queda claro que la activación de un tiristor se hace por medio del incremento de la corriente de compuerta y esto se puede llevar a cabo por medio de excitación térmica: en donde una elevada temperatura hace que el número de portadores se incremente y la corriente de fuga se eleve hasta alcanzar la corriente de enganche; también está la activación por luz: en esta la influencia de fotones sobre las uniones del tiristor hace que los electrones de valencia se agiten generando una corriente capaz de vencer las barreras de potencial y permitir el libre flujo de electrones; otro método de activación es un alto voltaje VAK, esto hace que el tiristor pase a su estado de conducción; adicionalmente un cambio brusco en el voltaje ánodo - cátodo puede hacer que el tiristor se active, este método de activación puede generar daños en el dispositivo, por lo general el fabricante especifica el máximo cambio permisible en el tiristor. Es común hacer uso de un arreglo RC en paralelo entre en ánodo y cátodo del tiristor para protección contra cambios bruscos de tensión. Es importante tener en cuenta los siguientes aspectos a la hora de implementar un circuito con tiristores: • Luego de activar el tiristor la señal de compuerta debe eliminarse para disminuir las pérdidas de potencia. Rectificadores Controlados 46 • Si el tiristor se llega a encontrar en polarización inversa es decir que la diferencia de potencial entre el ánodo y es cátodo sea negativa no puede haber una señal de corriente en el compuerta. • El tiempo que permanezca la señal de activación en la compuerta de un tiristor debe ser mayor o igual al tiempo de activación del dispositivo. 3.1.13.1.13.1.13.1.1 Tipos de tiristoresTipos de tiristoresTipos de tiristoresTipos de tiristores Las características físicas y eléctricas de un tiristor de potencia dependen directamente del proceso de fabricación y del dopaje de los semiconductores que los componen. Luego, dependiendo de la construcción física y del comportamiento en la conmutación de estados los tiristores se pueden clasificar generalmente en las siguientes categorías: a. Tiristores de control de fase o de conmutación rápida (SCR) Es dispositivo más importante de la familia de los tiristores, conocido también como el rectificador controlado de silicio o SCR. Lo que hace al SCR especialmente útil para el control de motores o cargas en general es que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin señal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la aplicación de una corriente a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo permanece así hasta que su corriente caiga por debajo de IH. Además, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin que afecte su estado activo. En este estado, la caída de voltaje directo a través del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la caída de voltaje a través de un diodo común. Figura 3-4 Símbolo y esquemático del SCR En la Figura 3-4 se indica el símbolo y el esquemático de un SRC, en estos dispositivos una característica importante es que soportan altos voltajes y Circuitos de potencia << F.Franco>> 47 corrientes y su velocidad de conmutación es inversamente proporcional a la potencia que soportan, es decir que los SCR de conmutación rápida pueden soportar menos potencia pero presentan la ventada de la alta velocidad de respuesta la cual es muy útil en circuitos convertidores. b. Tiristores de desactivación por compuerta (GTO) Un tiristor GTO es un SCR que puede desactivarse por un pulso corto de tensión negativo suficientemente grande en su compuerta, de igual manera se activa por medio de un pulso corto de voltaje positivo en la compuerta. Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron prácticos para las aplicaciones de control de motores, al final de los años setenta. Estos dispositivos se han vuelto más y más comunes en las unidades de control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos para desactivar los SCR en circuitos de corriente continua. Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un SCR común. Para grandes cargas de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del orden de 10 A o más. Para apagarlos se necesita una gran pulsación de corriente negativa que puede ir desde los 20 hasta los 30 ms. La magnitud de la pulsación de corriente negativa debe ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el dispositivo. Los GTO se simbolizan de distintas formas en la Figura 3-5 se indican los más comunes y el dispositivo como tal. Figura 3-5 Tiristor de desactivación por compuerta c. Tiristores de tríodo bidireccional (TRIAC) Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposición, con una compuerta de paso común; puede ir en cualquier dirección desde el momento en que el voltajede ruptura se sobrepasa. El símbolo del TRIAC se ilustra en la Figura 3-6. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los impulsos positivos como a Rectificadores Controlados 48 los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece así hasta que su corriente cae por debajo de IH. Dado que el TRIAC es bidireccional no se tiene un ánodo y un cátodo definido, si la diferencia de potencial entre las terminales MT2 y MT1 es positiva se debe aplicar una corriente positiva a la compuerta para su activación, pero si la diferencia de tensión es negativa la corriente para su activación deberá ser también negativa. Figura 3-6 Tiristor de triodo bidireccional d. Tiristores de conducción inversa (RCT) En muchos circuitos convertidores se hace necesario conectar un diodo en antiparalelo a través de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva y para mejorar el requisito de desactivación de un circuito de conmutación. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 ó 2V por debajo de las condiciones de régimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo. Un RCT es un intercambio entre características del dispositivo y requisitos del circuito; puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se muestra en la Figura 3-7. Un RCT se conoce también como tiristor asimétrico (ASCR). El voltaje de bloqueo directo varía de 400 a 2000V y la especificación de corriente llega hasta 500 A. El voltaje de bloqueo inverso es típicamente 30 a 40V. Figura 3-7 Esquema de un RCT Circuitos de potencia << F.Franco>> 49 e. Tiristores de inducción estática (SITH) Generalmente los tiristores SITH se activan al aplicárseles un voltaje positivo de compuerta como los tiristores normales y es desactivado al aplicársele un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios, como consecuencia el SITH tiene una baja resistencia en estado activo así como una baja caída de potencial y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente más altas. Un SITH tiene velocidades de conmutación muy rápidas y capacidad de soportar altas variaciones de tensión en el tiempo. El tiempo de conmutación es del orden de 1 a 6 ms. La especificación de voltaje puede alcanzar hasta 2500V y la de corriente está limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricación, por lo que pequeñas variaciones en el proceso de manufactura pueden producir cambios de importancia en sus características. Figura 3-8 Tiristor de inducción estática f. Tiristores controlados por FET (FET-CTH) Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo como se muestra en la Figura 3-9. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje aproximado de 3V se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Este dispositivo presenta una alta velocidad de conmutación, adicionalmente soporta fuertes cambios en la corriente y en la tensión que pasan por él. Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales pero no se puede desactivar mediante control de compuerta. Esto serviría en aplicaciones en las que un disparo óptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento eléctrico entre la señal de entrada o de control y el dispositivo de conmutación del convertidor de potencia. Rectificadores Controlados 50 Figura 3-9 Tiristor controlado por FET g. Tiristores controlados por MOS (MCT) Un tiristor controlado por MOS combina las características de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El símbolo correspondiente al dispositivo se muestra en la Figura 3-10. El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico nominal, puede provocar la destrucción del dispositivo. Para valores más altos de corriente el MCT debe ser conmutado como un SCR estándar. Además, durante la desactivación la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones incluyendo inversores y pulsadores se requiere de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del período de conmutación a fin de evitar ambigüedad en el estado. Figura 3-10 Tiristor MCT EEEEJEMPLO JEMPLO JEMPLO JEMPLO 3.13.13.13.1 El circuito de la Figura 3-11 muestra la alimentación de una carga por medio de un tiristor. Analizar el comportamiento del circuito en cada estado según la posición los pulsadores. Circuitos de potencia << F.Franco>> 51 Solución/Solución/Solución/Solución/ a) Lo primero es analizar el circuito con los pulsadores P1 y P2 abiertos tal como se observa en la Figura 3-11. En este estado el tiristor T1 se encuentra desactivado puesto que el voltaje en el capacitor es cero y por lo tanto la corriente de compuerta es nula. Luego en este caso el circuito de la carga está abierto y esto se observa al medir el voltaje en el tiristor. b) La Figura 3-12 muestra el comportamiento del circuito cuando se cierra el pulsador P1, en este estado se alimenta el capacitor por medio del diodo D1 y por el divisor de tensión entre R3 y R2, esto genera una corriente de compuerta que hace activar el tiristor y este permite el flujo de corriente a la carga al cerrar el circuito. Como se observa en la Figura 3-12 cuando el tiristor esta activo su comportamiento es el de un diodo normal y su caída de tensión es de 0.64V. Figura 3-11 Circuito para activación de un tiristor Figura 3-12 Activación del tiristor Rectificadores Controlados 52 c) Ahora al soltar el pulsador P1 el tiristor queda enganchado con lo cual sigue fluyendo corriente a la carga tal como se observa en la Figura 3-13, en este punto se le suprime la tensión al condensador C que alimenta la compuerta del tiristor, en este estado el tiristor consume 0.65V y el voltaje en R2 es cero. d) Para desenganchar el tiristor se usa el pulsador P2, al presionar este pulsador la corriente por el tiristor cae a cero con lo que estaría por debajo del valor de IH y hace que el dispositivo cambie su estado a inactivo o de no conducción. Luego de esto el circuito pasa al estado que se muestra en la Figura 3-11. Figura 3-13 Enganche del tiristor 3.23.23.23.2 Convertidor monofásico controlado por faseConvertidor monofásico controlado por faseConvertidor monofásico controlado por faseConvertidor monofásico controlado por fase Como se menciono en el capítulo 2 los circuitos rectificadores son sistemas convertidores de señal, puesto que alteran la forma de la señal misma y con esto modifican las características eléctricas de dichas señales. En este capítulo trataremos los rectificadores controlados en los cuales se hace uso de las características y ventajas que presentan los tiristores para controlar y conmutar entre sus estados de conducción o no conducción. Los tiristores permiten controlar y modificar tanto la tensión como la corriente que va hacia la carga, esto por medio de una señal de disparo la compuerta del dispositivo. En la Figura 3-14 se indica un circuito convertidor monofásico controlado por fase, en este la activación del tiristor T1 se puede controlar según una fase o ángulo de disparo α. En el circuito de la Figura 3-14 se dice que la tensión Vs se ve en la carga RL cuando el tiristor T1 se dispara en el ángulo α. La señal de Vs es de la formaVs = Vmsen(wt). En estos circuitos la magnitud y la forma de la corriente en la carga dependen directamente d es puramente resistiva p Figura 3-15. La tensión comportamiento se mue carga cae en el tiristor y s Figura Los valores de tensión pr el valor promedio de vol carga RL. Para calcular aparece en la carga aplicar la ecuación (2.25) Circuitos de p nden directamente del tipo de carga, para el circuito de uramente resistiva por lo que las formas de onda son c . La tensión Vo en la carga está controlada portamiento se muestra también en la Figura 3- a cae en el tiristor y su forma puede verse en la Figura 3 Figura 3-14 Circuito rectificador controla Figura 3-15 Formas de onda en el rectificador co valores de tensión procesados o convertidos por el circu lor promedio de voltaje Vdc y el valor medio cuadrátic calcular Vdc se hace uso de la expresión (2.25 ece en la carga cuyo su comportamiento es como se ind ar la ecuación (2.25) se tiene: Circuitos de potencia << F.Franco>> 53 a, para el circuito de la Figura 3-14 la carga ormas de onda son como las indicadas en la a está controlada por el tiristor T1 y su -15, la tensión que no pasa a la Figura 3-15. rectificador controlado a en el rectificador controlado vertidos por el circuito de la Figura 3-14 son alor medio cuadrático Vrms que se ven en la de la expresión (2.25) sobre la señal Vo que iento es como se indica en la Figura 3-15, al Rectificadores Controlados 54 1 ( ) cos( )2 2 VmV sen wt dt wtdc mV π π π π α α −= =∫ ( )1 cos( ) 2 V mV dc α π = + (3.1) De acuerdo a la expresión (3.1) el valor máximo que puede tomar Vdc es Vm/π que se da cuando α = 0, 0≤α≤π. Normalmente se habla del valor normalizado del voltaje promedio de salida, para el caso de este circuito el valor normalizado es: 1 (1 co s( )) (m ax ) 2 V d cV n V d c α= = + (3.2) EEEEJEMPLO JEMPLO JEMPLO JEMPLO 3.23.23.23.2 Para el circuito convertidor monofásico controlado por fase de la Figura 3- 16 se tiene una carga compuesta por un diodo de silicio y un par resistivo R1 y R2. El ángulo de disparo para el tiristor es α = π/3, la señal de entrada es de la forma Vp = Vmsen(wt-π/6) Vol. Donde Vm = 230 y w = 100π. La relación del transformador monofásico es 1:1. Determinar: a) La eficiencia del rectificador. b) El factor de forma c) El factor de componente ondulatoria d) El factor de utilización del transformador e) El voltaje pico inverso en el tiristor T1 Figura 3-16 Circuito Convertidor Solución/Solución/Solución/Solución/ a) Para determinar la eficiencia del rectificador se hace uso de las expresiones (2.25) a (2.29). Considerando el voltaje del diodo ideal es decir VD ≈0 las formas de onda para el convertidor de la Figura 3-16 se muestran en la Figura 3-17 (dado que el transformador TR1 tiene una relación 1:1 el voltaje que cae en el sec Para evaluar la e tensión como de Según (2.25) se t d cV El nivel DC como la carga es Para calcular el ecuación (2.27), Circuitos de p que cae en el secundario Vs es el mismo Vp, es deci Para evaluar la eficiencia se debe calcular los valor tensión como de la corriente en la carga el convertid Figura 3-17 Formas de onda para el c Según (2.25) se tiene que el voltaje Vdc en la salida es 7 / 6 6 1 ( ) 2c mV sen w t d w t π π α π = − =∫ 1 cos( ) 2 6 Vm dcV παπ  + −  = DC para la corriente depende de la carga, como la carga es puramente resistiva Idc se calcula de 1 2 6 8 .3 8 .1 d c d c V I R R = = Para calcular el voltaje rms en la salida del rectific ecuación (2.27), luego: Circuitos de potencia << F.Franco>> 55 , es decir Vs = Vmsen(wt-π/6) ). be calcular los valores DC y rms tanto de la la carga el convertidor. mas de onda para el circuito en la salida es: 7 / 6 6co s( ) 2 mV w t π π απ = − − ) 68.3 6 V    = epende de la carga, en circuito rectificador se calcula de ley de Ohm: 3 8 .4 3 A= la salida del rectificador se hace uso de la Rectificadores Controlados 56 ( ) 1 27 6 2 6 1 ( ) 2rms mV V sen wt dwt π π α π    = −      ∫ 1 27 2 6 6 1 4 6 ( ) (2( )) 2 2 m rm s w tV V sen w t π π π απ   −  = − −       1 22 7 6 1 4 6 113.3(2( )) 2 2 m rms V V V sen ππ α α π  − = + − =      Para la corriente Irms se tiene: 1 2 113.3 13.4 8.1 rms rms A V I R R == = Evaluando la ecuación (2.29) con los valores de tensión y corriente encontrados, se tiene que la eficiencia es: 575.7 0.37 1518.2 dc dc dc ac rms rms P I V P I V η == = = Luego, la eficiencia del rectificador monofásico de media onda con un ángulo de disparo de π/3 es de η=37% b) De la ecuación (2.31) se tiene para el factor de forma: 1 .6 5rm s d c V F F V = = c) El factor de componente ondulatoria se obtiene de (2.32): 2 1.321ca dc V RF FF V = = − = d) Para el factor de utilización del transformador se debe tomar los valores rms de Vs e Is entregados por el secundario del transformador. El valor rms para la corriente es el valor calculado Irms del punto a) puesto que es la corriente que pide la carga. El valor rms de Vs es el valor medio cuadrático de la señal Circuitos de potencia << F.Franco>> 57 que entrega el secundario del transformador que tiene la forma Vmsen(wt- π/6) cuyo valor medio cuadrático es: ( ) 1 1 2 22 221 1 2 6 0 0 ( ) ( ) T rm s s mTV V t dt V sen w t dwt π π π     = = −           ∫ ∫ 1 2 2 2 6 1 2 4 6 0 ( ) (2( )) 2 2 mV m rm s w t V V sen w t ππ π π   −  = − − =       ( ) 162.6 2 m s rms V V V = = Ahora, de acuerdo a (2.33) el factor de utilización del transformador para el circuito de la Figura 3-16 será: 575.7 0.26 2178.8 dc s s P TUF V I == = e) De acuerdo a la Figura 3-17 el voltaje pico inverso que cae en el tiristor T1 es –Vm, luego el voltaje pico inverso del tiristor es -230 V. 3.33.33.33.3 Semiconvertidor monofásicoSemiconvertidor monofásicoSemiconvertidor monofásicoSemiconvertidor monofásico Un semiconvertidor monofásico es un circuito como el indicado en la Figura 3-18 en el cual es posible controlar el flujo de potencia hacia la carga modificando la fase de activación de los tiristores T1 y T2. Normalmente estos semiconductores de potencia se controlan desde un mismo dispositivo de control con igual fase de disparo, pero en aplicaciones muy específicas se hace control de activación con ángulos distintos. El circuito de la Figura 3-18 es un rectificador de onda completa el cual permite controlar la potencia entregada a la carga por el convertidor. Para estos circuitos el comportamiento de la corriente depende del tipo de carga. En la Figura 3-18 la carga es un circuito RL y su comportamiento dinámico dependerá de los parámetros R y L tal como se estudio en la sección 2.3 del capítulo 2. Si consideramos que en este caso la dinámica del circuito RL es alta, es decir la carga del inductor se hace muy rápidamente se tendría una corriente máxima y constante. Ahora, si la activación de los tiristores T1 y T2 se hace a un ángulo α y la señal de Vs es de la forma Vs = Vmsen(wt) el comportamiento de Vo y de la corriente Io en la carga es como se indica en Figura 3-19. Cabe notar que la forma y el nivel de la corriente en la carga es Rectificadores Controlados 58 dependiente del tipo de carga, la forma de la corriente mostrada en la Figura 3-19 es considerando una dinámica de respuesta muy alta debido a una alta inductancia. Figura 3-18 Semiconvertidor monofásico Figura 3-19 Formas de onda semiconvertidor De igual forma que para el convertidor monofásico controlado por fase es posiblecalcular y determinar los valores de tensión y corriente en la carga. De acuerdo a la Figura 3-19 el nivel de tensión DC en la carga seria: / 2 2 ( ) T d c oTV V t d t α = ∫ (3.3) La ecuación (3.3) representa el promedio de la señal de tensión en la carga, tal como se observa la señal Vo se tienen dos señales de igual proporción, por lo tanto se hace la integral de una de ellas y se multiplica por dos. Luego, resolviendo (3.3) se tiene: Circuitos de potencia << F.Franco>> 59 1 ( ) cos( ) Vm dc mV V sen wt dwt wt π π π π α α = = −∫ (1 cos( ))m dc V V α π = + (3.4) De acuerdo a las formas de onda de la tensión de salida en el semiconvertidor el valor medio cuadrático del voltaje de salida es de la forma: 1 2/ 2 22 ( ) T r m s oV V t d t T α   =      ∫ (3.5) ( ) 11 22 2 2 (2 )1 ( ) 2 4 m rms m V wt sen wt V V sen wt dwt ππ αα π π     = = −            ∫ 1 2 (2 )1 22 rms V senmV α π α π − +   =      (3.6) Para el caso del circuito de la Figura 3-18 los valores de corriente máxima son: (max) (max),dc rms dc rms V V I I R R = = (3.7) EEEEJEMPLO JEMPLO JEMPLO JEMPLO 3.33.33.33.3 El circuito de la Figura 3-20 alimenta una inductancia de 6.9 mH y a una resistencia de 2.2 Ω. En la carga aparece una fuente constante E = 12 V y la fase de disparo del semiconvertidor es α=120o. Si el voltaje de entrada es de 115 V(rms) y 60 Hz, calcular: a) La corriente de carga en wt = 0 b) La corriente de carga cuando wt = α c) La corriente promedio en el tiristor d) la corriente promedio de salida e) Graficar el comportamiento de la corriente. Rectificadores Controlados 60 Figura 3-20 Circuito semiconvertidor con carga Solución/Solución/Solución/Solución/ a) Para determinar la corriente en la carga es necesario encontrar las expresiones para la corriente en los estados activo e inactivo del semiconvertidor que alimenta la carga. Las formas de onda para la tensión en el circuito semiconvertidor de la Figura 3-20 se muestran en la Figura 3- 21, donde Vs = Vmsen(wt)=115(2)1/2sen(120πt) Figura 3-21 Formas de onda Luego, la operación del convertidor se puede dividir en dos modos: modo 1 y modo 2. Modo 1. Es el estado en el cual los tiristores están inactivos es decir cuando 0≤wt≤α, durante este estado el diodo Dm está conduciendo y de acuerdo a LVK se tiene que la corriente de carga i1 se describe por: Circuitos de potencia << F.Franco>> 61 1 1 0 i L R i E t ∂ + + = ∂ (3.8) La solución de la ecuación (3.8) es de la forma trabajada en el capítulo 2, con la condición inicial i1(t=0)=Io queda: ( / ) ( / ) 1( ) (1 )R L t R L tE o Ri t I e e− −= − − (3.9) Evaluando la expresión (3.9) en wt = α, que sería cuando conmuta al modo 2 se tendría: ( / )( / ) ( / )( / ) 1( / ) (1 )R L w R L wE o Ri t w I e eα αα − −= = − − (3.10) El valor de (3.10) es la condición inicial para el estado de conducción del convertidor, es decir cuando se pasa al modo 2. Esta condición inicial se denominara I2 Modo 2. En este estado los tiristores del semiconvertidor están activos por lo tanto la expresión para la corriente es válida cuando α≤wt≤π. La corriente de carga i2 en este estado se determina a partir de LVK con lo cual: 2 2 ( )m i L Ri E V sen w t t ∂ + + = ∂ (3.11) Aplicando Laplace a (3.11) se tiene: 2 2 2 2m E w LSi R i V S S w + + = + Despejando la corriente y reorganizando se llega: 2 2 2 2 2 ( ) 1 1 ( ) mV w E S w i s S w L S R S  − +    =      + +     (3.12) Convirtiendo (3.12) a fracciones parciales y aplicando la transformada inversa de Laplace se obtiene la solución de la ecuación diferencial (3.11), la cual tiene la forma: ( / ) 2 ( ) ( ) R L tmV E i t sen wt Ae Z R θ −= − + − (3.13) Rectificadores Controlados 62 Donde Z = [R2 + (wL)2]1/2, θ= tan-1(wL/R) y A es una constante que depende de las condiciones iníciales del sistema. Cuando el circuito pasa al modo 2 la corriente inicial es I2, esto es cuando wt=α. Evaluando esta condición en (3.13) se obtiene el valor de la constante A: 2 2 2( / ) ( )mVE i t w I A I sen R Z α α θ = = ⇒ = + − −    Sustituyendo el valor de A en la ecuación (3.13) quedaría: ( ) ( / ) 2 2( ) ( ) ( )m mV V R L tE E Z R R Zi t sen wt I sen eθ α θ −= − − + + − − Al conmutar entre el modo 2 y el modo 1 el valor de la corriente de carga tendrá el mismo valor de Io, esta condición se da cuando wt = π en la ecuación (3.13). Evaluando esta condición en (3.13) y haciendo uso de (3.10) se encuentra que el valor de Io es: ( / )( ) / ( / )( / ) ( ) ( ) 1 R L w m o R L w V sen sen e E I Z e R α π π π θ α θ − −  − − − = −   −    (3.14) Evaluando (3.14) se encuentra el valor de la corriente de carga en wt = 0, de esto se tiene: 0.885 2 5 18 3 18 2.65 ( ) ( )2 (115) 5.45 3.4 1o sen sen e I e π π ππ − −    − − − = −     −   9.15oI A= b) Para calcular la corriente cuando wt=α se hace uso de (3.10) quien entrega el valor de I2. Reemplazando los valores en la ecuación (3.10) se tiene que I2 = 6A c) La corriente promedio en el tiristor se encuentra integrando la corriente que pasa un tiristor cuando este está activo, en este caso la corriente promedio es: 2 1 ( ) 2TI i t d w t π α π = ∫ (3.15) Circuitos de potencia << F.Franco>> 63 ( / )( / ) 2 cos( ) 1 2 ( ) m T R L w tm V E w t w t Z R I VE I sen w e e R Z π α α θ π α θ −  − − − +   =   + − −     5.7TI A= d) La corriente promedio de salida se encuentra a partir de las ecuaciones (3.9) y (3.13) como: 1 2 0 1 ( ) ( )d cI i t d w t i t d w t α π α π   = +     ∫ ∫ (3.16) Evaluando (3.16) se tiene que la corriente Idc = 9.4A e) El comportamiento de las corrientes en régimen permanente para cada modo del circuito se indican en la Figura 3-22. En la Figura 3-22 a) se muestra el comportamiento de la corriente en el modo 1 representada por la ecuación (3.9). En el modo 2 el comportamiento de la corriente en régimen permanente se modela por la ecuación (3.13) la cual se indica en la Figura 3- 22 b). El comportamiento de la corriente de carga cuando el convertidor esta conmutando se muestra en la Figura 3-23. Figura 3-22 Comportamiento de la corriente en régimen permanente Figura 3-23 Corriente de carga Rectificadores Controlados 64 3.43.43.43.4 Convertidor Monofásico CompletoConvertidor Monofásico CompletoConvertidor Monofásico CompletoConvertidor Monofásico Completo Un convertidor monofásico completo se representa en la Figura 3-24 en el cual la activación de los tiristores se hace a un mismo ángulo de disparo α. En el semiciclo positivo de la señal de entrada encuentran en polarización directa T1 y T4, luego del disparo de los tiristores la señal es rectificada y el voltaje de salida Vo tiene la forma indicada en la Figura 3-25, cabe notar que este comportamiento depende del tipo de carga, en este caso se supone una carga altamente inductiva que genera una respuesta dinámica rápida haciendo que la corriente sea constante tal como lo indica la Figura 3-25. Para el semiciclo negativo de la señal de entrada se encuentran en polarización directa T2 y T3 al ser activados rectifican la señal de entrada y su comportamiento se muestraen la Figura 3-25. La corriente de entrada al rectificador dada la alta impedancia de la carga tiene la forma mostrada en la Figura 3-25. En este tipo de convertidor el voltaje promedio de salida se puede determinar a partir de: 22 ( ) cos( ) cos( ) 2 m m dc m V V V V sen wt dwt wt π α π α αα α π π π + + = = − =∫ (3.17) El valor rms para la tensión de salida está dado por: ( ) 1/ 2 1/ 2 2 22 ( ) (1 cos(2 )) 2 m rms m V V V sen wt dwt wt dwt π α π α α α π π + +    = = −           ∫ ∫ (3.18) ( ) 1/ 2 2 2 (2 ) 4 2 m m rms V V V wt sen wt Vs π α απ +   = − = =    Figura 3-24 Circuito convertidor monofásico completo Cuando al convertidor se es similar solo que la se negativo se rectifica e comportamiento de la co corriente es proporciona EEEEJEMPLO JEMPLO JEMPLO JEMPLO 3.43.43.43.4 El circuito conv altamente inductiva hac rápidamente. La corrient tiristores se disparan a un la forma Vs = Vmcos(wt a) Las formas de on b) La corriente inst Fourier. c) El valor rms d) El factor armónic e) El factor de pote Circuitos de p Figura 3-25 Formas de onda do al convertidor se le conecta una carga puramente re imilar solo que la señal iría hasta π en el semiciclo po se rectifica entre π+α y 2π. Con cargas p portamiento de la corriente es similar al de la tensión iente es proporcional a la carga. 3.43.43.43.4 El circuito convertidor monofásico de la ente inductiva haciendo que la corriente llegue a damente. La corriente en estado estacionario que entreg tores se disparan a un ángulo α y el voltaje entregado po cos(wt-θ), donde θ es una fase constante. De Las formas de onda tanto del voltaje como de la corr La corriente instantánea de entrada al convertidor rms de la fundamental de la corriente de ent El factor armónico de la corriente. El factor de potencia. Circuitos de potencia << F.Franco>> 65 Formas de onda carga puramente resistiva la forma de onda en el semiciclo positivo y en el semiciclo Con cargas puramente resistivas el lar al de la tensión Vo, pero la magnitud de la fásico de la Figura 3-26 tiene una carga corriente llegue a su valor máximo muy acionario que entrega el convertidor es Ia, los voltaje entregado por el transformador es de na fase constante. Determinar: ltaje como de la corriente de carga. trada al convertidor expresada en series de e la corriente de entrada al convertidor. Rectificadores Controlados 66 Solución/Solución/Solución/Solución/ a) Las formas de onda para el convertidor de la Figura 3-26 con un ángulo de disparo α se muestran en la Figura 3-27. Figura 3-26 Circuito convertidor. Figura 3-27 Formas de onda para el convertidor. b) La corriente de entrada al convertidor es como se indica en la Figura 3-27, es decir Is quien toma valores constantes de Ia y –Ia debido a la alta impedancia de la carga. Esta corriente instantánea se puede expresar en series de Fourier de la forma: ( ) 1 ( ) cos( ) ( )s dc n n n i t I a nwt b sen nwt ∞ = = + +∑ Circuitos de potencia << F.Franco>> 67 Donde, 2 2 1 1 ( ) 2 2d c s a aI i t d w t I d w t I d w t π α π α π α α α π α π π + + + +   = = −     ∫ ∫ ∫ 21 0 2dc a aI I w t I w t π α π α α π απ + + +  = − =   ( ) 2 2 2 4 0 1 ( ) co s ( ) 1 co s( ) co s ( ) ( ) ( )1 2 co s( ) ( ) ( ) ( ) n s a a a a a n I aa p a ra n im p a rn n a p a ra n p a rn a i t n w t d w t I n w t d w t I n w t d w t I sen n w t I sen n w t n n I a n sen n sen n n sen n π α α π α π α α π α π α π α α π α π π π π π α α π α + + + + + + + = − = =   = −       = −     = − ∫ ∫ ∫ ( ) 2 2 2 4 0 1 ( ) ( ) 1 ( ) ( ) c o s ( ) c o s ( )1 2 c o s ( ) c o s ( ) c o s ( ) c o s ( ) n s a a a a a n I ab p a r a n im p a rn n b p a r a n p a rn b i t s e n n w t d w t I s e n n w t d w t I s e n n w t d w t I n w t I n w t n n I b n n n n n π α α π α π α α π α π α π α α π α π π π π π α α π α + + + + + + + = = =   = −       = − −     = − + ∫ ∫ ∫ De lo anterior la corriente de entrada se puede escribir en la forma: Rectificadores Controlados 68 1,3 ,5 ... 1,3 ,5 ... 4 ( ) co s( ) co s( ) ( ) ( ) 4 ( ) ( ) a s n a s n I sen n n w t n sen n w t i t n I sen n w t n i t n π π π α π ∞ = ∞ = − + =     − =     ∑ ∑ c) El valor rms de la corriente de entrada en el armónico de orden n es: ( )1/ 22 2 2 21 2 a sn n n I i a b nπ = + = El valor rms de la componente fundamental de la corriente de entrada es: 1 2 2 a s I i π = d) Para el factor armónico es necesario determinar el valor rms de la corriente de entrada Is, partiendo del comportamiento de la corriente que se muestra en la Figura 3-27 Is se puede determinar directamente de: 1/ 2 22 2s a ai I dwt I π α α π +  = =     ∫ El cálculo del factor armónico se pude hacer mediante la expresión (3.19) de forma: 1/ 22 1 1s s I HF I     = −      (3.19) 1/ 22 1 0.48 48% 2 2 a a I HF I π         = − = →          Circuitos de potencia << F.Franco>> 69 e) El factor de potencia se determina a partir de (2.34) donde φ es en este caso el valor de α dado que: 1tan n n n a n b φ α−   = = −    Con lo cual el factor de potencia es: 1 2 2 cos( ) cos( )s s I PF I α α π = = Este factor de potencia es atrasado puesto que ángulo entre el voltaje y la corriente es negativo. Ejercicios propuestosEjercicios propuestosEjercicios propuestosEjercicios propuestos 3-1 En el convertidor monofásico de la Figura E 3-1 la señal de Vs tiene la forma Vs = Vmcos(wt) y el tiristor se dispara a un ángulo α. Determine: a) El voltaje Vdc en la carga, b) El valor rms de la corriente de salida, c) La eficiencia del convertidor y d) el factor de forma. 3-2 Graficar las formas de onda para el circuito de la Figura E 3-1 si el voltaje de entrada es Vp=-Vmsen(wt-π/7) con el transformador presentando una relación de 2:1. El ángulo de activación del convertidor es π/3. Figura E Figura E Figura E Figura E 3333----1111 3-3 El circuito de la Figura E 3-2 opera a partir de una alimentación de 115 V y 60 Hz. Si la carga resistiva es R = 15Ω y R1 = 20Ω, además el angulo de disparo del convertidor es α = π/5, calcular: a) La eficiencia del rectificador, b) El factor de componente ondulatoria, c) El factor de utilización del transformador y d) El voltaje pico inverso del tiristor T1. 3-4 El convertidor monofásico de media onda de la Figura E 3-2 es alimentado con una señal sinusoidal de 115 V y 50 Hz. El convertidor alimenta una carga compuesta por R = 18Ω y R1= 14Ω. Si el voltaje promedio de salida es 30% del voltaje promedio máximo posible, calcular: a) El ángulo de disparo del tiristor T1, b) La corriente rms en R, c) El valor promedio de la corriente en R1 y d) El factor de potencia. Figura E Figura E Figura E Figura E 3333----2222 3-5 El circuito de la Figura E 3-3 presenta una carga con una dinámica bastante lenta, la tensión de entrada al convertidor es Vs = Vmsen(wt) y un Rectificadores Controlados 70 ángulo de disparo α. a) Exprese el voltaje Vo que ve la carga en series de Fourier, b) Grafique las formas de onda tanto de tensión como de corriente, c) Calcular el valor rms de la componente fundamental del voltaje en la carga. Figura E Figura E Figura E Figura E 3333----3333 3-6 El semiconvertidor de la gura E 3-4 es alimentado por una fuente de 115 V y 60 Hz, el convertidor tiene un ángulo de activación de π/3 y alimenta a una cargacompuesta por R = 13Ω y L = 4mH. a) Exprese el voltaje instantáneo de salida del convertidor en series de Fuorier, b) Calcule el voltaje promedio del tercer armónico del voltaje entregado por el convertidor y c) Determine el valor rms de la corriente de carga en su armónico de orden menor. Figura E Figura E Figura E Figura E 3333----4444 3-7 Si el voltaje Vs para el circuito de la Figura E 3-4 es de la forma Vs = - cos(wt) con el semiconvertidor disparado a un ángulo α y considerando que la carga del convertidor es de una dinámica muy rápida (es decir que la bobina se carga muy rápidamente), calcular: a) El factor armónico de la corriente de entrada, b) El factor de potencia de entrada. 3-8 En la Figura E 3-5 se muestra un convertidor que alimenta una carga compuesta por un diodo, una resistencia R = 20Ω, una inductancia L = 8 mH y una fuente E = 15 V. El transformador tiene una relación unitaria y se alimenta de una fuente de 220 V y 60 Hz. Si el voltaje promedio de salida es el 25% del voltaje promedio máximo posible, determinar: a) El ángulo de disparo para el convertidor, b) El valor rms del voltaje en la carga y c) La expresión para la corriente de carga si se considera a Vo como el voltaje promedio de salida. Figura E Figura E Figura E Figura E 3333----5555 3-9 Repetir el ejercicio 3-6 para un convertidor monofásico completo. 3-10 Repetir el ejercicio 3-8 haciendo uso de un convertidor monofásico completo. 3-11 El convertidor de la Figura E 3-6 alimenta una carga puramente resistiva, el ángulo de disparo es α y Vs = -Vmsen(wt). a) Graficar las formas de onda para el convertidor, b) Expresar la corriente IT en series de Fourier, c) Determinar el voltaje promedio Vo, d) Expresar la componente fundamental de la corriente que pasa por R1 y e) Calcular el factor de potencia del convertidor. Figura E Figura E Figura E Figura E 3333----6666 71 4 Circuitos con tiristoresCircuitos con tiristoresCircuitos con tiristoresCircuitos con tiristores 4.14.14.14.1 ControladoresControladoresControladoresControladores de de de de voltajevoltajevoltajevoltaje Los tiristores como dispositivos semiconductores de potencia son la herramienta intrínseca en las tareas de control del flujo de potencia desde una fuente de voltaje o corriente hacia una carga. Los tiristores por sus características de velocidad de conmutación, bajo consumo de potencia y larga vida útil permiten realizar tareas de regulación de voltaje desde una fuente de corriente alterna hasta una carga cualquiera en dos formas generales, una es el control todo o nada y la otra es el control por fase. 4.1.14.1.14.1.14.1.1 Control ONControl ONControl ONControl ON----OFFOFFOFFOFF Este esquema de control se basa en el hecho de que es posible promediar la señal entregada a una carga entre dos estados, un estado es cuando el tiristor permite el flujo normal de potencia hacia la carga y el otro estado es cuando interrumpe completamente el flujo de potencia a la carga. Estos dos estados conmutan entre sí con una frecuencia llamada frecuencia de conmutación, esta frecuencia de conmutación debe ser siempre mayor a la frecuencia de la señal de voltaje que se desea regular. El esquema general para este tipo de control se indica en la Figura 4-1, en este los tiristores T1 y T2 se encargan del control de flujo de potencia a la carga pasando del estado de activo al inactivo con una frecuencia constante. La carga que se muestra en la Figura 4-1 hace referencia a cualquier tipo de carga o dispositivo que consuma corriente alterna, a dicha carga se le aplica una señal de voltaje de la forma mostrada en la Figura 4-2. En estos circuitos y en cualquier circuito eléctrico o electrónico la magnitud y la forma de la corriente siempre será determinada por el tipo de carga, los tiristores controlan el voltaje aplicado a la carga y esta es una forma de regular la potencia a la carga. En la configuración mostrada en la Figura 4-1 el tiristor T1 se usa para el semiciclo positivo de la señal de entrada y el tiristor T2 se encarga del semiciclo negativo de la señal Vs. Circuitos con tiristores 72 Figura 4-1 Esquem En estos circuitos la señal de en VmSen(wt), la corriente entregada po carga es Io, RL representa la carga y onda se muestran en la Figura 4 Figura 4-2 Forma En la Figura 4-2 se puede señal de salida Vo, este tipo de conmutación es To el cual es objetivo es activar los tiristores un de ciclos haciendo esto de forma Aplicando la ecuación (2.25) es posi caso ese voltaje es cero puesto q a calcular el voltaje DC de un ciclo numero de ciclos en el periodo 1 Esquema de un control ON – OFF con tiristores cuitos la señal de entrada es una señal sinusoidal de la rriente entregada por la fuente es Is y la corriente cons representa la carga y Vo es el voltaje que ve la carga. n en la Figura 4-2. 2 Formas de onda de un control ON - OFF 2 se puede observar tanto la señal de entrada , este tipo de convertidor es conmutado y el s un numero entero de ciclos de la señal de ar los tiristores un número n de ciclos y desactivarlos u do esto de forma periódica. ación (2.25) es posible calcular el voltaje de salida prom es cero puesto que al promediar la señal Vo de salida es ltaje DC de un ciclo de señal de periodo T y multipl s en el periodo To. Es claro que el voltaje DC en la señal OFF con tiristores eñal sinusoidal de la forma Vs = y la corriente consumida por la je que ve la carga. Las formas de F la señal de entrada Vs como la s conmutado y el periodo de señal de periodo T. El clos y desactivarlos un número m oltaje de salida promedio, en este de salida es equivalente y multiplicarlo por el oltaje DC en la señal de periodo T Circuitos de potencia << F.Franco>> 73 es cero puesto que es una señal sinusoidal pura. Con la expresión (2.27) se determina el voltaje rms de la señal Vo de salida, la cual sería de la forma: ( ) ( ) 1 1 2 20 221 0 0 ( ) ( ) T T n r m s o mT o n m T V V t d t V S e n w t d t+      = =         ∫ ∫ ( ) ( ) ( ) 1 2 2 2 0 ( ) 2 m T n V m r m s n m T V n V S e n w t d t n m+   = =  +   ∫ Donde el término n n m+ es llamado ciclo de trabajo y normalmente se representa por K, luego el voltaje rms de salida seria: 2 m rm s V V K= 4.1.24.1.24.1.24.1.2 Control por faseControl por faseControl por faseControl por fase Esta técnica de control es comúnmente aplicada a sistema de baja frecuencia, el principio del control por fase se puede describir diciendo que en este caso se regula la potencia entregada a una carga en cada ciclo de la señal alterna de alimentación. Los tiristores en control por fase se disparan o activan dentro del periodo de señal fundamental de la fuente de alimentación. La figura 4-3 muestra un circuito clásico de control por fase, donde la señal de alimentación del circuito es de la forma Vs = VmSen(wt). Figura 4-3 Circuito para control por fase Dado que las señales de alimentación de este tipo se circuitos es sinusoidales con un periodo de 2π, la activación del tiristor se hace dentro de este periodo. El rango que puede manejar el ángulo de disparo del tiristor depende de la configuración que se Circuitos con tiristores 74 tenga en el circuito, por lo general es caso del circuito de la Figura 4 tiristor regula el flujo de energía en garantizan que el tiristor este polar Vs de entrada. En la Figura 4 circuito, donde α es el ángulo de act que ve la carga. Cabe decir que la forma depende del tipo de carga y su Figura 4 Es importante mencionar que en la siempre se debe sincronizar la señ alimentación del circuito, pues el án cero de la señal Vs. EEEEJEMPLO JEMPLO JEMPLOJEMPLO 4.14.14.14.1 La carga del circuito de la Fi puente rectificador y los tiristores a permite un control por fase del flujo La fuente de alimentación es de 120 disparo α1 y α2 para los tiristores son a) Las formas de onda ito, por lo general este ángulo α de disparo está entre o de la Figura 4-3 el ángulo de disparo es 0≤ l flujo de energía en los dos ciclos de la señal de entrad el tiristor este polarizado directamente en todo instant igura 4-4 se puede observar las formas de on ángulo de activación del tiristor T y Vo es la señ . Cabe decir que la corriente de carga tanto en magni del tipo de carga y sus valores nominales. Figura 4-4 Formas de onda circuito figura 4-3 encionar que en la implementación de circuitos de con e sincronizar la señal de disparo de los tiristores con l circuito, pues el ángulo de disparo se mide a partir d a del circuito de la Figura 4-5 es puramente resistiva, en dor y los tiristores actúan como un interruptor bidirecc trol por fase del flujo de potencia desde el suministro h mentación es de 120 V a 60 Hz, la carga es de 10 ara los tiristores son iguales con un valor de π/4 disparo está entre 0 y π. Para el ≤α≤2π dado que el de la señal de entrada, los diodos ente en todo instante de la señal ar las formas de onda para este es la señal de voltaje rga tanto en magnitud como en n de circuitos de control por fase de los tiristores con la señal de ro se mide a partir del cruce por amente resistiva, en el circuito el interruptor bidireccional el cual esde el suministro hacia la carga. carga es de 10 Ω y los ángulos de π/4. Determinar: Circuitos de potencia << F.Franco>> 75 b) El voltaje rms de salida c) La corriente promedio en el tiristor T1 d) El factor de potencia en la entrada Figura 4-5 Controlador monofásico de onda completa Solución/Solución/Solución/Solución/ a) Las formas de onda para el convertidor de la Figura 4-5 con un ángulo de disparo de π/4 se muestran en la Figura 4-6. Siendo la señal de entrada sinusoidal de la forma Vs = Vmsen(wt) Figura 4-6 Formas de onda del circuito convertidor. Circuitos con tiristores 76 b) Para calcular el valor Vrms del voltaje de salida se hace uso de la expresión (2.27) la cual queda: ( ) ( ) 1 2 4 4 2 2 21 1 2 2( ) ( )rmsV Vmsen wt dwt Vmsen wt dwt π π π π π π π +    = +     ∫ ∫ Donde Vm = Vs (2)0.5, con lo cual se tiene que, 1 2 2 2 2 4 4 4 4 (2 ) (2 ) 2 2 m mV V rm s sen wt sen wt V wt wt π π π π π ππ +       = − + −          Vrms = 104 V c) Dado que el tiristor T1 conduce solo en el semiciclo positivo de la señal Vs, para determinar el corriente DC que pasa por él, se debe calcular el voltaje promedio con la ecuación (2.25) y por ley de Ohm se obtiene la corriente que pasa por este tiristor, luego: 4 4 1 1( ) ( )dc o mV V t dwt V sen wt dwt π π π π π π= =∫ ∫ ( ) 4 cos( ) 1.7mV m dc V V w t π π π π = − = 9 1 .8d cV V= 9.18dcI A= d) El factor de potencia en los sistemas eléctricos se define como la relación entre la potencia real de salida y la potencia aparente de entrada, es decir: o o s s V I FP V I = En este circuito la corrie es serial, el voltaje de sa voltaje de alimentación, c En la carga el factor de resistiva es decir real. 4.1.34.1.34.1.34.1.3 Control bidireccionControl bidireccionControl bidireccionControl bidireccion Las dos posibil presentan comportamien conectando a los tiristore AC. En esta sección se m magnitud de la corriente potencia desde una fuent El circuito de la control bidireccional, dad uno de los dos semiciclo π/9 tanto para magnitud de la carga. Primero se mue resistiva, la señal de entr por la carga y la corriente Circuitos de p ste circuito la corriente de entrada es la misma de salid rial, el voltaje de salida es el valor rms encontrado el je de alimentación, con esto se tiene que, 104 120 o o o s s s V I V FP V I V = = = = carga el factor de potencia es unitario debido a que tiva es decir real. Control bidireccional con cargas R, L y CControl bidireccional con cargas R, L y CControl bidireccional con cargas R, L y CControl bidireccional con cargas R, L y C Las dos posibilidades de control de potencia v comportamientos dependientes siempre del tip ctando a los tiristores, esto se cumple para todo sistema En esta sección se muestra como el tipo de carga afect nitud de la corriente y voltaje cuando se hace un cont ncia desde una fuente de tensión o de corriente hacia un El circuito de la Figura 4-7 muestra un esquema rol bidireccional, dado que cada tiristor permite el contr de los dos semiciclos. En este análisis se fija un valor d tanto para T1 como para T2. Las formas de onda nitud de la carga. Figura 4-7 Control bidirecciona Primero se muestra las formas de onda cuando tiva, la señal de entrada es sinusoidal y la señal de sa la corriente que esta consume. La Figura 4 Circuitos de potencia << F.Franco>> 77 es la misma de salida, puesto que el circuito encontrado el voltaje de entrada es el 0.86= itario debido a que la carga es puramente gas R, L y Cgas R, L y Cgas R, L y Cgas R, L y C trol de potencia vistas en este capítulo siempre del tipo de carga que se esté para todo sistema eléctrico tanto DC como l tipo de carga afecta las formas de onda, la e un control por fase del flujo de corriente hacia una carga. uestra un esquema básico de este tipo de stor permite el control de la potencia en cada isis se fija un valor del ángulo de disparo en s formas de onda dependerán del tipo y Control bidireccional. s de onda cuando la carga es puramente y la señal de salida será el voltaje visto me. La Figura 4-8 indica las formas de onda. Circuitos con tiristores 78 Figura Ahora se aplica una carga purament forma indicada en la Figura 4 valor de la capacitancia de la carga, a de conmutación de los tiristores. Figura 4 En la Figura 4-10 se observa el efecto igual que la carga capacitiva depen frecuencias de conmutación o ángulo Figura 4- EEEEJEMPLO JEMPLO JEMPLO JEMPLO 4.24.24.24.2 El circuito de la Figura 4 de potencia por un circuito bidirecci Figura 4-8 Formas de onda con carga resistiva una carga puramente capacitiva, esto afecta las formas d igura 4-9. Las curvas de voltaje y de corriente va citancia de la carga, además es función de la frecuencia d de los tiristores. Figura 4-9 Formas de onda con carga capacitiva 0 se observa el efecto cuando la carga es puramente indu ga capacitiva dependerá de la magnitud de la inducta onmutación o ángulo de dispara de los tiristores. 10 Formas de onda con carga inductiva ito de la Figura 4-11 tiene una carga RC a la cual se le con un circuito bidireccional con control por fase, el ángulo n carga resistiva to afecta las formas de onda de la aje y de corriente varían según el ión de la frecuencia de las señales carga capacitiva ga es puramente inductiva, esta al nitud de la inductancia y de las RC a la cual se le controla el flujo l por fase, el ángulo de disparo es Circuitos de potencia << F.Franco>> 79 de 3π/10. La fuente de alimentación es de 240 V 60 Hz y la carga se compone de una capacitancia de 100µF y una resistencia de 4Ω. Determinar: Figura 4-11 Circuito controlador con carga RC a) La corriente eficaz en R b) El factor de potencia de la corriente en la carga RC c) Graficar las formas de onda del circuito Solución/Solución/Solución/Solución/ a) Para la corriente eficaz en la resistencia se aplica la ley de Ohm, es decir se debe calcular el voltaje rms en la resistencia y con esta determinar la corriente, para lo cual se hace uso de la expresión (2.27) sobre la señal de salida. ( ) ( ) 1 2 10 102 2 21 2 3 3 ( ) ( )rm s m mV V sen w t dt V sen w t dt π π π π π π +      = +       ∫ ∫ [ ] 1 2 1 (2 ) 0.85 204 22 m rms V sen V Vs Vπ απ α  = − + = =      204 51 4 rm s rm s V I A R = = = b) Para este cálculo se toma la carga como una sola impedancia, es decir que se suma la reactancia capacitiva y la resistencia en paralelo. La resistencia total se divide ante el fasor del voltaje en la carga y se obtiene la corriente fasorial en la carga. Dado que el factor de potencia se define también como el coseno del ángulo entre el voltaje y la corriente de la carga se tiene, Circuitos con tiristores 80 Donde Xc = 1/WC, con Evaluando se tiene, 240 2 3.91 I = + Por lo tanto el factor de pote F El valor rms de la corriente c) Las formas de onda se mu entrada es sinusoidal α=3π/10. Figura 4-12 Forma o c V I jX R = , con W = 2πf. La frecuencia la da la seña 2 0 240 2 0 86 0.59 3.95 8.57 o o oj ∠ ∠= = ∠ + ∠ anto el factor de potencia es: cos(8.57) 0.98FP atrasado= = de la corriente es Irms = (2)0.5(86)= 60 A mas de onda se muestran en el Figura 4-12, dado que sinusoidal de la forma Vs = VmSen(wt) con un ángu 12 Formas de onda del circuito Figura 4-11 encia la da la señal de entrada. 6 8.57 o∠ − do 12, dado que la señal de con un ángulo de disparo 11 4.1.44.1.44.1.44.1.4 Cicloconvertidor mCicloconvertidor mCicloconvertidor mCicloconvertidor m Este tipo de circuitos suministran un voltaje a puede ajustar en rango cambiador de frecuenc convertidores pueden s pueden presentar vibra armónicos resonantes co La estructura básica 4-13, estos están compue controlados por fase. Don de uno de ellos es igual y uno convertidor P y al ot La activación de cada con dependiente del circuito se observan las formas de El circuito de la Figura 4 VmSen(wt) y los tiristore el circuito de control de c fase el circuito de disparo Circuitos de p Cicloconvertidor monofásicoCicloconvertidor monofásicoCicloconvertidor monofásicoCicloconvertidor monofásico circuitos son controladores de voltaje de cor inistran un voltaje a la carga variable pero de frecuencia e ajustar en rangos constantes, se puede decir que frecuencia y convertidor de onda AC ertidores pueden ser generadores de armónicos que en presentar vibraciones acústicas, calentamiento y ónicos resonantes con ellos mismos. estructura básica de un cicloconvertidor monofásico , estos están compuestos por dos convertidores rolados por fase. Donde los ángulos de disparo son tales s es igual y opuesto al del otro. A estos dos con convertidor P y al otro convertidor N dada la polaridad ctivación de cada convertidor es cíclica con un periodo f ente del circuito de control de disparo de los convert servan las formas de onda para el cicloconvertidor mon Figura 4-13 Cicloconvertidor monofásic rcuito de la Figura 4-13 es alimentado con una señal sin y los tiristores son activados con un ángulo cuito de control de conmutación del cicloconvertidor. Da el circuito de disparo dese ser sintonizado o sincronizad Circuitos de potencia << F.Franco>> 81 res de voltaje de corriente alterna los cuales le pero de frecuencia fija. Dicha frecuencia se e puede decir que un cicloconvertidor es dor de onda AC – AC. Estos sistemas de armónicos que afectan la eficiencia y s, calentamiento y desgaste por efecto de vertidor monofásico se muestra en la Figura onvertidores monofásicos de onda completa de disparo son tales que el voltaje de salida otro. A estos dos convertidores se les llama a N dada la polaridad del voltaje que entregan. lica con un periodo fijo llamado To el cual es isparo de los convertidores, en la Figura 4-14 icloconvertidor monofásico. nvertidor monofásico do con una señal sinusoidal de la forma Vs = s con un ángulo α el cual es configurado por l cicloconvertidor. Dado que el control es por nizado o sincronizado con la señal Vs. Circuitos con tiristores 82 Figura 4-14 Formas de Como se observa en la complementaria por lo cual es claro que la forma de onda del voltaje y de del tipo y magnitud de la carga. El entero en el periodo To del cicloconv sistemas de control. Es decir que si e es el numero de ciclos de la señal se hace uso de la expresión (2.27), V 4.24.24.24.2 Técnicas de conmutación de loTécnicas de conmutación de loTécnicas de conmutación de loTécnicas de conmutación de lo Como se menciona a lo larg comportamiento similar a un diodo externa la cual permite controlar el decir que estos dispositivos tienen u el anodo – catodo como para la co conmutar entre dos estados, el esta se puede dar de dos tipos: la conmut 4.2.14.2.14.2.14.2.1 Conmutación naturalConmutación naturalConmutación naturalConmutación natural Cuando la configuración de tiene una dinámica oscilatoria o corriente tienen semiciclos positivo 14 Formas de onda del cicloconvertidor monofásico se observa en la Figura 4-14 la conmutación e por lo cual es claro que el valor medio del voltaje es cer onda del voltaje y de la corriente de carga siempre será itud de la carga. El número de ciclos de la señal funda del cicloconvertidor, esta es una característica tí trol. Es decir que si el periodo de Vs es T, el periodo ciclos de la señal Vs. Para calcular el valor rms a expresión (2.27), 1 2 21 0 ( ) T r m s oTV V t d t   =      ∫ de conmutación de los tiristores de conmutación de los tiristores de conmutación de los tiristores de conmutación de los tiristores menciona a lo largo de este texto los tiristores o similar a un diodo con la ventaja de ser activado co permite controlar el flujo de potencia a través del tiris dispositivos tienen una polarización directa y otra inver do como para la compuerta - catodo. Luego, los tirist dos estados, el estado activo y el estado inactivo dos tipos: la conmutación natural y la conmutación forza ación naturalación naturalación naturalación natural la configuración de la carga que compone un circuito c mica oscilatoria o sinusoidal es decir que los com semiciclos positivos y negativos estos semiciclos según ertidor monofásico la conmutación es cíclica y dio del voltaje es cero. No olvidar e carga siempre será dependiente os de la señal fundamental Vs es una característica típica de estos , el periodo To = nT donde n rms del voltaje de salida xto los tiristores al tener un a de ser activado con una señal del tiristor, se puede directa y otra inversa tanto para Luego, los tiristores pueden stado inactivo. Esta conmutación la conmutación forzada. circuito con tiristores decir que los componentes de stos semiciclos según la conexión Circuitos de potencia << F.Franco>> 83 del tiristor hacen que este se desactive dado que tales ciclos de corriente polarizan inversamente al tiristor haciendo que pase a un estado inactivo. En la Figura 4-15 se puede ver un circuito donde la carga hace que el comportamiento de la corriente sea oscilatorio, lo cual conmuta naturalmente el estado del tiristor, dado que este solo permite el paso del semiciclo positivo de la corriente. Otra forma de conmutar naturalmente es cuando la fuente de voltaje que alimenta el circuito es de corriente alterna, esto hace que el tiristor solo opere cuando se polariza de forma directa. En este caso los tiempos de desactivación dependerán de la forma que tome la corriente por efecto de la carga, un esquema básico se puede observar en la Figura 4-16. Figura 4-15 Circuito Oscilador Figura 4-16 Conmutación natural 4.2.24.2.24.2.24.2.2 Conmutación forzadaConmutación forzadaConmutación forzadaConmutación forzada En circuitos alimentados con corriente directa por lo general la desactivación o conmutación de los tiristores se hace por medio de uncircuito adicional que garantiza una polarización inversa en el tiristor de forma que este cambie de estado. Este circuito de disparo se le conoce como circuito de conmutación, la conmutación forzada se puede dar en las siguientes maneras: • Conmutación por impulso • Conmutación por pulso resonante • Conmutación por pulso externo • Conmutación del lado de la carga • Conmutación del lado de la línea Circuitos con tiristores 84 Cada circuito de conmutación transistores y tiristores que según adecuan de forma que permitan la p flujo de potencia hacia la carga. 4.34.34.34.3 CircCircCircCircuitos de conmutación paruitos de conmutación paruitos de conmutación paruitos de conmutación par Es importante en las aplicac cargas monofásicas, comprende influyen en el diseño de un circ frecuentemente usados se tienen 4.3.14.3.14.3.14.3.1 Circuito Circuito Circuito Circuito para para para para TRIACTRIACTRIACTRIAC Este tipo de circuitos de dis compuesta de un TRIAC, un optoa parámetros como las resistencias voltaje y de las características técnic pueden ser de tres tipos: a base de (optotransistores) y a base de triac de acoplar las señales de voltaje de ventaja de que desacoplan las ti optoacoplador puede tener una tie activa tal como se puede apreciar en Figura 4 e conmutación está compuesto de inductores, capacit tiristores que según la configuración o necesidad de a que permitan la polarización inversa de los tiristores a hacia la carga. de conmutación para tiristores. de conmutación para tiristores. de conmutación para tiristores. de conmutación para tiristores. rtante en las aplicaciones más básicas de manejo de po ofásicas, comprender el cómo se debe calcular los par el diseño de un circuito de disparo. Dentro de los disp ente usados se tienen los TRIAC y los SCR. TRIACTRIACTRIACTRIAC o de circuitos de disparo tienen una configuración básic un TRIAC, un optoacoplador y un transistor. Los cál o las resistencias dependen del tipo de carga, de lo características técnicas de los semiconductores. Los opto res tipos: a base de fotodiodos (optodiodos), a base de es) y a base de triac (optotriac), estos dispositivos cum eñales de voltaje de baja tensión DC a alta tensión DC sacoplan las tierras, es decir que el circuito q puede tener una tierra diferente al circuito que el op se puede apreciar en la Figura 4-17. Figura 4-17. Circuito de disparo para TRIAC inductores, capacitores, diodos, ión o necesidad del circuito se rsa de los tiristores de control de icas de manejo de potencia hacia ebe calcular los parámetros que Dentro de los dispositivos más configuración básica la cual está transistor. Los cálculos de los tipo de carga, de los rangos de Los optoacopladores todiodos), a base de transistores tos dispositivos cumplen la tarea C a alta tensión DC o AC con la que el circuito que activa el al circuito que el optoacoplador aro para TRIAC Circuitos de potencia << F.Franco>> 85 Los valores de los parámetros y elementos del circuito de la Figura 4-17 dependerán como en todo circuito eléctrico y electrónico de las características de la carga, es decir de la corriente y tensión que demande esta. En el circuito la carga está representada por RL la cual puede ser una bombilla, un calefactor, un pequeño motor o un circuito que consuma tensión AC. Es de aclarar que para cargas de tipo inductivas como los motores en necesario agregar filtros RC para disminuir los armónicos. La selección del triac depende de la corriente y el voltaje de pida la carga, es importante seleccionarlo con la corriente de arranque de la carga, esto garantiza durabilidad y poca disipación de calor en el tiristor. Algunas referencias comerciales de triac son: BT136, TW6N600CZ, BTB06-600C, TIC226D y MAC3030-8 entre otros. Los optoacopladores también se caracterizan por rangos de voltaje y corriente, además de la velocidad de respuesta que es un parámetro importante en aplicaciones de alta conmutación. Estos son algunas de las referencias más comunes: MOC 3020, MOC 3021, MOC 3022, MOC 3023 y MOC 3011. Para los transistores es importante conocer la corriente que debe pedir el optoacoplador para polarizarse, estas corrientes por lo general son del orden de unos pocos miliamperios es por eso que frecuentemente se usan transistores 2N2222 y 2N3904. Como se menciono anteriormente el tipo de triac dependerá de las demandas de corriente y tensión del la carga. Dicho tiristor en su hoja de datos técnicos el fabricante muestra los valores de corriente de compuerta (IG) y voltaje de compuerta (VG) para activación, con estos datos se calcula el valor de RG de la forma: R G G G V V R I −= (4.1) Donde VR es el voltaje de conducción del optoacoplador, dato suministrado por el fabricante en su hoja de datos. El valor de potencia para RG está dado por RG(IG)2. Para determinar el valor de RT se debe considerar los valores de tensión y corriente que maneja el optoacoplador, y se calcula mediante la expresión: R T opto V R I = (4.2) El valor de Iopto es la corriente nominal del optoacoplador en su salida e ID es la corriente máxima de consumo del optoacoplador. La potencia de RT esta se calcula de la forma RT(Iopto)2. Es importante considerar esta potencia para que no se caliente Circuitos con tiristores 86 dicha resistencia en el circuito. corriente de consumo del optoacopl interior del optoacoplador, este diod igual forma en la hoja de datos se en esta misma corriente máxima del op de la forma: Siendo Vopto el voltaje de polariz y Vcc el voltaje de la malla que por lo la malla de polarización del trans transistor y de la corriente de base n que el transistor este saturado para consideraciones el valor de R Donde VO es el voltaje de base q dispositivo que genere la señal de transistor que usualmente es 0.7 V máxima de base del transistor. para activar el encendido de una lám tener claro que los valores calculado comercial más cercano y esto depen demandas de corriente, al igual que s Figura 4-18. Circuito a en el circuito. Ahora, para el cálculo de RD se debe c sumo del optoacoplador, es decir la corriente del diodo oacoplador, este diodo se polariza con un voltaje prome a hoja de datos se encuentra este valor. La corriente del riente máxima del optoacoplador, con esto el valor de cc opto D D V V R I − = el voltaje de polarización del diodo emisor dentro del op e la malla que por lo general está entre 5 y 24 V. El valor larización del transistor y dependerá del voltaje en la corriente de base necesaria para saturar el transistor, r este saturado para que la ecuación (4.3) tenga valid RB se obtendría a partir de la ecuación (4.4) O BE B B V V R I −= s el voltaje de base que frecuentemente es de 5 V o 3.3 V genere la señal de activación. VBE es el voltaje base usualmente es 0.7 V e IB es la corriente de saturación e del transistor. En la Figura 4-18 se muestra un circu ncendido de una lámpara desde un microcontrolador. los valores calculados de las resistencias deben aproxim cercano y esto dependerá de cual valor conviene más r rriente, al igual que su potencia. 18. Circuito de activación de una carga de 100W se debe considerar la a corriente del diodo emisor en el on un voltaje promedio de 2 V de riente del transistor es on esto el valor de RD se obtiene (4.3) emisor dentro del optoacoplador El valor de RB sale de derá del voltaje en la base del saturar el transistor, es necesario ón (4.3) tenga validez, con estas de la ecuación (4.4)(4.4) nte es de 5 V o 3.3 V según sea el es el voltaje base – emisor del riente de saturación o corriente se muestra un circuito diseñado olador. Es importante ncias deben aproximarse al valor alor conviene más respecto a las de 100W 4.3.24.3.24.3.24.3.2 Circuito para SCRCircuito para SCRCircuito para SCRCircuito para SCR Cuando el circui señales unidireccionales, Como se menciono en la s una técnica de conmutac conmutación natural diseñar el circuito de disp la conmutación del SCR. En este caso el SCR so alimentación, es decir qu el semiciclo negativo de puede controlar la activa características de los ele de la carga. El cálculo de RT y valores de corriente de co Es decir los cálculos son (4.3) para determin tiene las siguientes refere El circuito de la Figura corriente de base, esto q algunas aplicaciones se h caso se hace uso de un J activado por FET y su esq Circuitos de p Circuito para SCRCircuito para SCRCircuito para SCRCircuito para SCR el circuito requiere el manejo de señales unidireccionales, el uso de SCR facilita la conmutació o se menciono en la sección 4.2 de este libro, los tiristore técnica de conmutación según el circuito en el que se em utación natural del SCR para cargas alimentadas con ñar el circuito de disparo. En la Figura 4-19 se muestra u nmutación del SCR. Figura 4-19. Circuito de conmutación del S ste caso el SCR solo conduce en el semiciclo posit entación, es decir que la carga RL solo recibe un 50% de miciclo negativo de la señal Vs desactiva el SCR y por e controlar la activación del flujo de corriente a la car cterísticas de los elementos partiendo de las necesidade y RG se hacen a partir de las ecuaciones (4.1 res de corriente de compuerta y voltaje compuerta al SCR ecir los cálculos son de igual manera al mencionado en ) para determinar RD y (4.4) para fijar RB. Dentro de lo las siguientes referencias: C106D, 50RIA60, S8040R y ircuito de la Figura 4-19 es activado por un transisto iente de base, esto quiere decir que este circuito se di nas aplicaciones se hace necesario manejar la conmutac se hace uso de un J-FET por ejemplo para la activación ado por FET y su esquema se muestra en la Figura 4 Circuitos de potencia << F.Franco>> 87 manejo de señales de corriente continua o facilita la conmutación de la señal a la carga. ste libro, los tiristores de este tipo requieren cuito en el que se empleen, se puede usar la gas alimentadas con AC y de esta manera 19 se muestra un esquema general para de conmutación del SCR iciclo positivo de la señal AC de lo recibe un 50% de la potencia de la fuente, sactiva el SCR y por medio de la señal Vo se te a la carga. Se debe definir las do de las necesidades de corriente y voltaje e las ecuaciones (4.1) y (4.2) remitiendo los taje compuerta al SCR utilizado en el circuito. ra al mencionado en la sección anterior, con . Dentro de los SCR más comunes se S8040R y 16RIA120. do por un transistor el cual se satura por ste circuito se dispara por corriente. En anejar la conmutación por voltaje y en este lo para la activación, esto es llamado tiristor la Figura 4-20. Circuitos con tiristores 88 Figura 4-20. Circ En el esquema de la Figura usando las expresiones (4.1) y (4.2) del transistor de efecto de campo. L de voltaje, donde un voltaje corriente IDSS llamada corriente de s que necesita el optoacoplador para datos técnicos del jfet; para pasar a jfet se debe alimentar con un volta cambie de estado, valor dado por el de RD seria de la forma: La ecuación (4.5) es válida – fuente sea IDSS, con esta condición e 20. Circuito con SCR activado por J-FET quema de la Figura 4-20 el cálculo de RT y RG se hace d esiones (4.1) y (4.2). La diferencia está en el cálculo de e efecto de campo. Los jfet se caracterizan por conmuta e un voltaje VGS = 0 hace que el jfet se sature mada corriente de saturación la cual debe ser similar a optoacoplador para polarizarse. Esta corriente está d el jfet; para pasar a la zona de oclusión o zona de no c entar con un voltaje –VP que es el voltaje VGS que hac o, valor dado por el fabricante. Con estas consideracion cc opto D DSS V V R I − = válida siempre que la corriente que circule por , con esta condición el VDS ≈ 0. se hace de igual forma está en el cálculo de RD por causa terizan por conmutar con señales y por este pase una al debe ser similar a la corriente sta corriente está dada por los usión o zona de no conducción el que hace que el jfet estas consideraciones el cálculo (4.5) iente que circule por el drenador