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Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos - 11ª Ed. 2013

Exercícios resolvidos: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos - 11ª Ed. 2013

Louis Nashelsky, Robert L Boylestad IBSN: 9788564574212

Elaborado por professores e especialistas

Exercício

Diodos de barreira Schottky (portadores quentes)

a) Descreva, com suas próprias palavras, como a construção do diodo de portadores quentes é significativamente diferente da construção do diodo semicondutor convencional.


b) Descreva também seu modo de operação.

Passo 1 de 2keyboard_arrow_downkeyboard_arrow_up

(a)

A construção do diodo de barreira Schottky difere da construção do diodo semicondutor, pois na construção do diodo de barreira uma ligação metal-semicondutor é feita, melhorando assim o tempo de resposta do diodo, enquanto que na construção do diodo semicondutor esta ligação não é feita.

Passo 2 de 2keyboard_arrow_downkeyboard_arrow_up

(b)

Quando os materiais são unidos (metal e semicondutor) os portadores majeritários se direcionam todos para o metal, estabelecendo um fluxo de portadores. De forma análoga ao diodo semicondutor, o diodo de barreira Schottky, ao ter uma tensão em seus terminais de forma a polariza-lo diretamente, ao momento em que a tensão chega próximo de 0,3V o diodo entra em condução, liberando o fluxo de corrente atravéz de si mesmo.

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