Avalie as informações a seguir sobre as características que diferem os Transistores de Efeito de Campo (FET) dos transistores comuns l. Em algumas ...
Avalie as informações a seguir sobre as características que diferem os Transistores de Efeito de Campo (FET) dos transistores comuns
l. Em algumas configurações dos MOSFET, esses atuam como elementos resistivos controlados por tensão e com a diferença de ocuparem menor espaço físico do que seus iguais.
II. Zin (impedância de entrada alta), possibilitando que a carga armazenada permaneça por tempo suficiente para que o dispositivo seja utilizável como elemento de memória em circuitos digitais.
III. Dissipam potências elevadas e podem comutar grandes correntes em alguns nano segundos.
É correto o que se afirmar em:
A) l e ll apenas
B) lll apenas
C) ll e lll apenas
D) l, ll e lll
E) l apenasAvalie as informações a seguir sobre as características que diferem os Transistores de Efeito de Campo (FET) dos transistores comuns
l. Em algumas configurações dos MOSFET, esses atuam como elementos resistivos controlados por tensão e com a diferença de ocuparem menor espaço físico do que seus iguais.
II. Zin (impedância de entrada alta), possibilitando que a carga armazenada permaneça por tempo suficiente para que o dispositivo seja utilizável como elemento de memória em circuitos digitais.
III. Dissipam potências elevadas e podem comutar grandes correntes em alguns nano segundos.
É correto o que se afirmar em:
A) l e ll apenas
B) lll apenas
C) ll e lll apenas
D) l, ll e lll
E) l apenas
💡 1 Resposta
Ed 
A alternativa correta é a letra A) l e ll apenas. Justificativa: I. Em algumas configurações dos MOSFET, esses atuam como elementos resistivos controlados por tensão e com a diferença de ocuparem menor espaço físico do que seus iguais. Essa afirmação está correta, pois os MOSFET podem ser utilizados como resistores controlados por tensão e são menores que os transistores bipolares comuns. II. Zin (impedância de entrada alta), possibilitando que a carga armazenada permaneça por tempo suficiente para que o dispositivo seja utilizável como elemento de memória em circuitos digitais. Essa afirmação está incorreta, pois a alta impedância de entrada dos FETs não é uma característica que os torna utilizáveis como elementos de memória em circuitos digitais. III. Dissipam potências elevadas e podem comutar grandes correntes em alguns nanossegundos. Essa afirmação está incorreta, pois os FETs não são dispositivos que dissipam potências elevadas, sendo mais utilizados em circuitos de baixa potência. Além disso, a capacidade de comutação de corrente em nanossegundos não é uma característica exclusiva dos FETs. Portanto, apenas a afirmação I está correta, e a resposta correta é a letra A) l e ll apenas.
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