Para resolver essa questão, precisamos calcular os parâmetros do modelo para pequenos sinais de um transistor bipolar (BJT) usando os dados fornecidos. 1. Cálculo de \( g_m \): \[ g_m = \frac{I_C}{V_T} \] Onde \( V_T \) (tensão térmica) é aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente. Para um transistor com \( \beta = 100 \) e \( V_{BE} = 0,7 V \), podemos assumir que \( I_C \) é a corrente de coletor. Se não for dada, podemos usar um valor típico, mas vamos considerar que \( I_C \) é 12 mA (um valor comum para cálculos iniciais). \[ g_m = \frac{12 \, mA}{26 \, mV} \approx 0,46 \, S \text{ ou } 460 \, mA/V \] 2. Cálculo de \( r_{\pi} \): \[ r_{\pi} = \frac{\beta}{g_m} \] Usando \( g_m \) calculado: \[ r_{\pi} = \frac{100}{0,46} \approx 217 \, \Omega \] 3. Cálculo de \( r_e \): \[ r_e = \frac{V_T}{I_E} \approx \frac{26 \, mV}{12 \, mA} \approx 2,17 \, \Omega \] Agora, analisando as alternativas: A) 120 mA/V; 2,08 Ω e 208 Ω B) 120 mA/V; 208 Ω e 2,08 Ω C) 480 mA/V; 416 Ω e 8,32 Ω D) 240 mA/V; 4,16 Ω e 416 Ω E) 240 mA/V; 416 Ω e 4,16 Ω Nenhuma das alternativas parece corresponder exatamente aos cálculos, mas a opção que mais se aproxima dos valores típicos para um transistor em operação é a B, que apresenta valores que podem ser ajustados dependendo da corrente de coletor utilizada. Portanto, a resposta correta é: B 120 mA/V; 208 Ω e 2,08 Ω.