Grátis: Tendo como base o circuito transistorizado apresentado na imagem a seguir, determine os valores da corrente de saturação (ICSAT) e da tensão de cor... – Questões Respondidas

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Tendo como base o circuito transistorizado apresentado na imagem a seguir, determine os valores da corrente de saturação (ICSAT) e da tensão de corte (Vcorte), considerando uma tensão VCC de 12 volts e uma resistência de coletor de 3,3 kΩ.
Qual é a corrente de saturação e a tensão de corte?
a. ICSAT = 3,63 mA e Vcorte = 6V.
b. ICSAT = 3,63 mA e Vcorte = 12V.
c. ICSAT = 3,63 mA e Vcorte = 0V.
d. ICSAT = 7,27 mA e Vcorte = 12V.
e. ICSAT = 0 mA e Vcorte = 12V.

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Para determinar a corrente de saturação (ICSAT) e a tensão de corte (Vcorte) em um circuito transistorizado, precisamos usar algumas fórmulas básicas. 1. Corrente de Saturação (ICSAT): A corrente de saturação pode ser calculada pela fórmula: \[ ICSAT = \frac{VCC}{R_C} \] Onde \( VCC = 12V \) e \( R_C = 3,3 kΩ = 3300 Ω \). Calculando: \[ ICSAT = \frac{12V}{3300Ω} \approx 3,64 mA \] 2. Tensão de Corte (Vcorte): A tensão de corte em um transistor é geralmente considerada como 0V quando o transistor está em corte, ou seja, não conduz corrente. Portanto, a tensão de corte (Vcorte) é 0V. Agora, analisando as alternativas: a. ICSAT = 3,63 mA e Vcorte = 6V. (Incorreta, Vcorte não é 6V) b. ICSAT = 3,63 mA e Vcorte = 12V. (Incorreta, Vcorte não é 12V) c. ICSAT = 3,63 mA e Vcorte = 0V. (Correta, ICSAT está próximo e Vcorte é 0V) d. ICSAT = 7,27 mA e Vcorte = 12V. (Incorreta, ICSAT não é 7,27 mA) e. ICSAT = 0 mA e Vcorte = 12V. (Incorreta, ICSAT não é 0 mA) Portanto, a alternativa correta é: c. ICSAT = 3,63 mA e Vcorte = 0V.

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O transistor no circuito da imagem a seguir será utilizado como chave para acionamento de um dispositivo, cuja resistência equivalente é da ordem de 2 kΩ (resistor RC).
Qual é a amplitude da fonte VCC para que esse circuito opere em saturação? Considere um ganho de corrente da ordem de 400.
a. 7,33V.
b. 29,32V.
c. 14,66V.
d. 3,66V.
e. 1,83V.

Considerando as características do circuito apresentado na imagem a seguir e um ganho de corrente (β) de 100.
Determine a amplitude da tensão VCE.
a. VCE = 4,3V.
b. VCE = 0V.
c. VCE = 0,7V.
d. VCE = 7,7V.
e. VCE = 12V.

Circuitos digitais utilizam transistores como chaves para criar as operações lógicas necessárias.
Qual o comportamento esperado para o terminal de saída Vout desse circuito, considerando o gráfico, a seguir, do comportamento dos MOSFETs para um Vdd = 15V?
a. Entrada baixa, saída baixa.
b. Entrada alta, saída alta.
c. Entrada baixa, saída aterrada.
d. Entrada baixa, saída alta.
e. Entrada e saída aterradas.

Existem dois tipos básicos de MOSFET com diferentes estruturas internas; o MOSFET-D pode ser usado tanto com tensões positivas quanto negativas na porta, todavia, o MOSFET-E somente irá tolerar uma polaridade a depender do tipo de canal.
O que justifica essa diferença?
a. MOSFET-D se encontra normalmente em corte, enquanto o MOSFET-E está naturalmente em condução.
b. O MOSFET-E só poderá reduzir a região do substrato, enquanto o MOSFET-D pode tanto aumentar quanto diminui-la.
c. O MOSFET-E tem uma camada de dopagem a mais que o MOSFET-D.
d. Somente os terminais dreno e fonte do MOSFET-D são intercambiáveis.
e. O MOSFET-D tem uma camada de dopagem a mais que o MOSFET-E.

Considerando um MOSFET-D que atenda às seguintes especificações: VGS(corte) = -4V, I DSS = 5mA.
Determine corrente do dreno ID quando VGS for 2V e -2V, respectivamente.
a. 9,50 mA e 1,25 mA.
b. 11,25 mA e 1,50 mA.
c. 10,50 mA e 1,50 mA.
d. 12,50 mA e 1,00 mA.
e. 11,25 mA e 1,25 mA.

Qual é a razão da sensibilidade elevada dos MOSFETs e qual é o risco envolvido?
a. O material utilizado no isolamento poderá oxidar facilmente na presença de umidade.
b. A proximidade dos contatos entre os terminais que reduzem o isolamento desses.
c. Falta de conexão direta entre a porta e o substrato, podendo ocasionar um efeito capacitivo que resulte em descargas elevadas, que poderão danificar o transistor.
d. A espessura da camada de isolamento é muito fina e não pode ser exposta a picos de tensão, mesmo que de natureza eletrostática.
e. A sensibilidade à elevação de corrente, que causará uma redução na resistência de entrada aumentando ciclicamente ainda mais a temperatura.

Tanto o MOSFET quanto o JFET são transistores de efeito de campo. Qual é a diferença estrutural básica entre os dois tipos? A. O MOSFET possui o terminal da porta isolado do restante. B. O JFET somente atua com tensão negativa e o MOSFET pode funcionar tanto com tensão negativa quanto positiva. C. O MOSFET possui uma região de material diferente da região do canal, que será ajustada para obstruir ou liberar a corrente por entre esse canal. D. O JFET possui o terminal da porta isolado do restante. E. Somente o MOSFET pode operar na região ôhmica.

Basicamente, os transistores são utilizados em circuitos amplificadores ou como chaves.
Sobre as aplicações do MOSFET, marque a alternativa correta.
a. O amplificador tem uma relação linear com seu sinal de saída.
b. Ao operar em sua região de saturação, também atua como fonte de corrente controlada por tensão.
c. A relação entre ID e VGS é linear e, para contornar isso, polariza-se o MOSFET em CC.
d. Uma das aplicações do MOSFET é como somador.
e. A amplificação desejada é não linear.

Sobre a composição dos MOSFETs e seus arranjos, sabemos que podem ter o substrato n ou p, o que vai influenciar na maneira que eles reagem à presença de tensão.
Marque a alternativa correta.
a. Os transistores MOSFETs podem ser substrato n, canal p (NMOS) ou substrato p, canal n (PMOS).
b. Os transistores MOSFETs podem ser substrato n, canal n (NMOS) ou substrato p, canal p (PMOS).
c. Os transistores MOSFETs podem ser substrato p, canal n (PMOS) ou substrato n, canal p (NMOS).
d. Os transistores MOSFETs podem ser substrato p, canal n (NMOS) ou substrato n, canal p (PMOS).
e. Os transistores MOSFETs podem ser substrato p, canal p (NMOS) ou substrato n, canal n (PMOS).