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O retificador controlado de silício, chamado SCR, é um tipo de tiristor, mais comum e muito utilizado. Os tiristores são dispositivos semicondutores que operam em regime de chaveamento, ou seja, podem estar conduzindo corrente ou não.
Considerando esse componente SCR, assinale a alternativa CORRETA:
A) Quatro regiões semicondutoras dispostas na sequência NPPP formam a estrutura interna do SCR, que possui quatro terminais externos.
B) Trabalhando de forma semelhante a um resistor, o SCR é um componente eletrônico semicondutor que permite a passagem da corrente, ou não.
C) O terminal chamado de gate (porta) é responsável por efetuar o controle da condução de corrente, ou não, através dos terminais ânodo e cátodo do SCR.
D) Chaveamento eletrônico de corrente é a principal aplicação do SCR, cuja sigla significa Silicon Computer Recover.
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Questões para Estudantes

há 7 meses

Respostas

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há 6 meses

Vamos analisar cada uma das alternativas para identificar a correta sobre o SCR (Retificador Controlado de Silício): A) Quatro regiões semicondutoras dispostas na sequência NPPP formam a estrutura interna do SCR, que possui quatro terminais externos. - Esta afirmação está incorreta, pois a estrutura do SCR é formada por quatro camadas de material semicondutor dispostas na sequência PNPN, e não NPPP. B) Trabalhando de forma semelhante a um resistor, o SCR é um componente eletrônico semicondutor que permite a passagem da corrente, ou não. - Esta afirmação é imprecisa, pois o SCR não funciona como um resistor; ele é um dispositivo de chaveamento que controla a passagem de corrente. C) O terminal chamado de gate (porta) é responsável por efetuar o controle da condução de corrente, ou não, através dos terminais ânodo e cátodo do SCR. - Esta afirmação está correta. O gate é realmente o terminal que controla a condução do SCR. D) Chaveamento eletrônico de corrente é a principal aplicação do SCR, cuja sigla significa Silicon Computer Recover. - Esta afirmação é incorreta, pois a sigla SCR significa Silicon Controlled Rectifier, e não "Silicon Computer Recover". Portanto, a alternativa correta é: C) O terminal chamado de gate (porta) é responsável por efetuar o controle da condução de corrente, ou não, através dos terminais ânodo e cátodo do SCR.

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Para proteção e manobras em circuitos e sistemas elétricos existem diversos dispositivos eletroeletrônicos disponíveis. Visando preservar equipamentos e sistemas elétricos, é importante que sejam utilizados dispositivos de proteção inseridos nos circuitos elétricos.
Considerando esse assunto, analise as sentenças a seguir:
I- Relés térmicos são dispositivos de proteção de baixíssimo custo e baseiam-se no princípio do fenômeno conhecido como efeito Joule.
II- Fusíveis são dispositivos de interrupção da corrente elétrica constituídos por lâminas unidas de metais de coeficientes de dilatação térmica diferentes.
III- Nobreaks são dispositivos que fornecem energia suplementar ao sistema elétrico durante uma falha de fornecimento na rede principal.
IV- Relés de tempo são dispositivos utilizados normalmente em manobras de atraso na energização e desenergização de circuitos elétricos.
a) As sentenças II e IV estão corretas.
b) As sentenças I e IV estão corretas.
c) As sentenças II e III estão corretas.
d) As sentenças III e IV estão corretas.

No século XX ocorreu um grande avanço tecnológico, promovido em grande parte pela utilização dos materiais semicondutores. Estes possuem uma condutividade elétrica moderada entre os materiais condutores (como o alumínio e cobre) e materiais isolantes (como o vidro e plástico).
Considerando os materiais semicondutores, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Possuem dois elétrons na camada de valência, permitindo a formação entre si de ligações covalentes.
( ) Os materiais semicondutores utilizados no desenvolvimento de dispositivos eletrônicos são o silício e o germânio.
( ) Os materiais semicondutores utilizados no desenvolvimento de dispositivos eletrônicos são o selênio e o germânio.
( ) Possuem quatro elétrons na camada de valência, permitindo a formação entre si de ligações covalentes.
a) V - F - F - V.
b) F - V - F - V.
c) V - F - V - F.
d) F - V - V - F.

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