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O uso da eletrônica de potência pode ser encontrado em diversos ramos da engenharia, desde as tecnologias emergentes, fontes de energias renováveis, os veículos elétricos, acionamento de máquinas e equipamentos de geração, transmissão e distribuição de energia elétrica. Sobre o exposto, analise as sentenças a seguir:
Assinale a alternativa CORRETA:
I- A invenção do IGBT pela GE representou um marco na eletrônica, pois apresentava características importantes para a manutenção de grandes potências.
II- A eletrônica de potência é responsável pela adequação das fontes não controláveis, como a energia solar para níveis de tensão admitidos pela concessionária local.
III- O IGBT representa, sem dúvida, a mudança na evolução da engenharia, em especial nas operações industriais até os dias atuais.
IV- Equipamentos de diversos tipos e áreas foram desenvolvidos desde a descoberta dos dispositivos e estado sólido e, juntamente com tais dispositivos, deu início a uma grande área da ciência, a Eletrônica de Potência.
A As sentenças II e IV estão corretas.
B As sentenças I e III estão corretas.
C As sentenças III e IV estão corretas.
D As sentenças I e II estão corretas.
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Praticando Para o Saber

há 8 meses

Respostas

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há 8 meses

Vamos analisar cada uma das sentenças: I- A invenção do IGBT pela GE representou um marco na eletrônica, pois apresentava características importantes para a manutenção de grandes potências. Verdadeiro, o IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) realmente foi um marco na eletrônica de potência, permitindo o controle eficiente de grandes potências. II- A eletrônica de potência é responsável pela adequação das fontes não controláveis, como a energia solar para níveis de tensão admitidos pela concessionária local. Verdadeiro, a eletrônica de potência é fundamental para converter e adaptar a energia gerada por fontes renováveis para que seja compatível com a rede elétrica. III- O IGBT representa, sem dúvida, a mudança na evolução da engenharia, em especial nas operações industriais até os dias atuais. Verdadeiro, o IGBT teve um impacto significativo na engenharia, especialmente em aplicações industriais, devido à sua eficiência e capacidade de controle. IV- Equipamentos de diversos tipos e áreas foram desenvolvidos desde a descoberta dos dispositivos de estado sólido e, juntamente com tais dispositivos, deu início a uma grande área da ciência, a Eletrônica de Potência. Verdadeiro, a eletrônica de potência realmente se desenvolveu a partir da invenção de dispositivos de estado sólido. Agora, vamos verificar as alternativas: A) As sentenças II e IV estão corretas. (Correto, mas não é a única combinação correta) B) As sentenças I e III estão corretas. (Correto, mas não é a única combinação correta) C) As sentenças III e IV estão corretas. (Correto, mas não é a única combinação correta) D) As sentenças I e II estão corretas. (Correto, mas não é a única combinação correta) Como todas as sentenças I, II, III e IV estão corretas, não há uma alternativa que contenha todas as sentenças verdadeiras. No entanto, se você precisa escolher uma alternativa, qualquer uma que contenha sentenças verdadeiras é válida. Se você tiver que escolher uma, a alternativa A) As sentenças II e IV estão corretas é uma boa escolha, mas lembre-se que todas as sentenças são verdadeiras.

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Em se tratando de eletrônica de potência, existem chaves que são utilizados em chaveamentos de alta frequência, na maioria dos casos, por Modulação por Largura de Pulso, de modo a controlar a potência sobre uma carga. Das chaves utilizadas nos dispositivos de chaveamento, analise as sentenças a seguir:
Assinale a alternativa CORRETA:
I- Diodos e Transistores Bipolares de Junção.
II- Inversor de frequência e soft-starter.
III- Retificadores Controlados de Silício: SCRs e Tiristores de Desligamento por Porta: GTOs.
IV- Fontes de tensão controladas por corrente e Fontes de corrente controladas por tensão.
A As sentenças I e II estão corretas.
B As sentenças I e III estão corretas.
C As sentenças II e IV estão corretas.
D As sentenças III e IV estão corretas.

No contexto da eletrônica de potência, as chaves semicondutoras são dispositivos utilizados em chaveamentos de alta frequência, na maioria dos casos, por Modulação por Largura de Pulso, de modo a controlar a potência sobre uma carga. Existem no mercado diferentes modelos de chaves semicondutoras, de acordo com as características do circuito eletrônico ao qual são empregadas.
Assinale a alternativa CORRETA que apresenta algumas dessas características:
A Frequência de comutação e corrente mínima em condução.
B Frequência de comutação e tensão mínima de bloqueio.
C Potência e corrente mínima em condução.
D Acionamento por corrente ou por tensão e implementação em corrente contínua ou corrente alternada.

Atualmente, podemos encontrar diferentes transistores de potência no mercado. São dispositivos que estão em constante evolução e podemos até criar uma linha do tempo de criação dos transistores mais utilizados (BJT, MOSFET e IGBT). Onde cada um foi criado seguindo as necessidades do mercado.
Sobre essa evolução dos transistores, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Antes da criação do transistor bipolar de junção (BJT), o transistor mais utilizado era o transistor de efeito de campo (MOSFET).
( ) O surgimento do transistor de efeito de campo (MOSFET) se deu através da união das melhores características do BJT e do IGBT.
( ) O surgimento do transistor bipolar de porta isolada (IGBT) se deu através da união das melhores características do BJT e do MOSFET.
A F - V - F.
B V - F - V.
C F - F - V.
D V - F - F.

Um aspecto importante na introdução e popularização do transistor bipolar como elemento chaveador em substituição aos tiristores, foi a possibilidade de ampliação das frequências de comutação, sem perda de eficiência, e assim, a redução do volume dos elementos magnetizantes do circuito.
Considerando o uso dos transistores bipolares, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) O ponto quiescente ou ponto Q estabelece a região de operação do transistor sobre a reta de carga.
( ) Os valores assumidos por Q para os sistemas de potência, quando na saturação será igual a VCC/RC, e no caso do corte será idêntico a VCE, assim a linha traçada entre estes dois pontos é a reta de carga do transistor.
( ) A corrente IB, corrente na base do transistor, determina o estado de operação do dispositivo, define se o transistor estará em corte ou em saturação.
( ) A análise do ponto de operação do transistor BJT será a partir da curva Ic x VCC.
A V - V - F - V.
B F - V - F - V.
C F - V - V - F.
D V - F - V - F.

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