Questão 16 Leia o texto a seguir: Dopagem eletrônica consiste num procedimento de adição de impurezas químicas a um elemento semicondutor para transformá-lo num elemento mais condutor, porém, de forma controlada. O conceito de semicondutor intrínseco está relacionado ao cristal que, não-intencionalmente, possui não mais de um átomo de elemento químico estranho para cada um bilhão de átomos do material escolhido. O teor de impureza, neste caso, é chamado 1 ppb, ou uma parte por bilhão. A interferência da impureza não é suficiente para interferir na estabilidade do material, sendo o cristal, portanto, estável. Por outro lado, o semicondutor dopado possui, intencionalmente, cerca de um átomo de elemento químico desejado (ao contrário do estranho) para cada um milhão de átomos do material escolhido. O teor da impureza é, no semicondutor dopado, 1 ppm, ou uma parte por milhão. Os semicondutores dopados possuem, aproximadamente, mil vezes mais impurezas do que os semicondutores intrínsecos. Fonte:http://www.dsif.fee.unicamp.br/~fabiano/EE530/PDF/Texto%20-%20F%EDsica%20dos%20Semicondutores.pdf Três elementos comuns na dopagem eletrônica são o carbono, o silício e o germânio, pois possuem quatro elétrons na camada de valência, o que possibilita que: A estrutura constante e condutividade elétrica de um semicondutor ou isolante independente das condições ambientais.B podemos simplificar o diagrama de bandas de energia pela poucas possibilidade de ligação destes elementos.C quando a temperatura aumenta, alguns elétrons deixam a camada de condução indo para a camada de valência.D apareçam como um mar de elétrons da camada de valência confundindo-se com a camada de condução sem possibilidade de movimentação.E formem cristais já que compartilham seus elétrons com os átomos vizinhos, formando estruturas reticuladas ou cristalinas.