Vamos analisar cada afirmativa: I. O transistor BJT é controlado por corrente na base, enquanto o transistor MOSFET é controlado por tensão no gate, o que influencia diretamente o consumo de potência do circuito de comando. Verdadeiro, essa é uma diferença fundamental entre os dois tipos de transistores. II. O transistor MOSFET apresenta menor dissipação de potência em chaveamento de alta frequência em comparação ao BJT, pois possui menor carga armazenada e não sofre efeito de tempo de armazenamento de portadores. Verdadeiro, o MOSFET é mais eficiente em altas frequências devido a essas características. III. O transistor MOSFET sempre dissipa menos calor do que o BJT, independentemente do regime de operação e da frequência de chaveamento. Falso, essa afirmativa é exagerada, pois a dissipação de calor depende do regime de operação e das condições específicas de cada circuito. IV. O transistor BJT é mais resistente a surtos de tensão do que o MOSFET, pois não sofre efeitos de ruptura da junção porta-dreno. Verdadeiro, os BJTs geralmente têm uma maior tolerância a surtos de tensão em comparação aos MOSFETs. V. O transistor MOSFET é controlado por corrente de porta, o que o torna menos eficiente energeticamente do que o BJT em circuitos de baixa potência. Falso, o MOSFET é controlado por tensão no gate, e não por corrente, e geralmente é mais eficiente em circuitos de baixa potência. Com base nas análises, as afirmativas corretas são I, II e IV. Portanto, a alternativa correta que apresenta somente as afirmativas corretas é: "Apenas I e II estão corretas."