Logo Passei Direto
Buscar

Cálculo

Outros
Um MESFET (transistor de efeito de campo semicondutor de metal) é um dispositivo semicondutor de transistor de efeito de campo semelhante a um JFET com uma junção Schottky (metal - semicondutor) em vez de uma junção p-n para uma porta. Os MESFETs são construídos em tecnologias de semicondutores compostos que necessitam de superfície de alta qualidade, como arseneto de gálio, fosfeto de índio ou carboneto de silício, e são mais rápidos, e mais caros do que JFETs ou MOSFETs baseados em silício. Os MESFETs de produção são operados até aproximadamente 45 GHz, e são comumente usados para radares e comunicações de frequência de microondas. Os primeiros MESFETs foram desenvolvidos em 1966 e, um ano depois, seu desempenho de microondas RF de frequência extremamente alta foi demonstrado. Com base nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que suporta ainda mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs.
A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs).
Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p.
A F - V - F - V.
B V - V - F - F.
C V - F - V - F.
D F - V - V - F.
User badge image
Desenvolvendo com Questões

há 5 horas

User badge image
Desenvolvendo com Questões

há 5 horas

Avaliação II - Individual - EAI
6 pág.

Avaliação II - Individual - EAI

Respostas

User badge image

Ed Verified user icon

há 5 horas

Vamos analisar cada sentença com base no texto e no conhecimento sobre MESFETs: 1) "Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky (barreiras criadas pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um canal do tipo n) na porta é a principal diferença para os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que suporta ainda mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs." Essa afirmação é verdadeira (V). O MESFET usa uma junção Schottky na porta, diferente do MOSFET que usa uma porta isolada (óxido). Isso reduz a capacitância e melhora o desempenho em altas frequências, especialmente em materiais como GaAs. 2) "A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs)." Verdadeira (V). O nome MESFET vem exatamente dessa junção metal-semicondutor na porta. 3) "Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p." Falsa (F). MESFETs geralmente são do tipo depleção; o conceito de tipo intensificação (enhancement) é mais comum em MOSFETs. Além disso, MESFETs não possuem canal p, pois são construídos em materiais do tipo n. 4) "Existe também o MESFET tipo junção, com estrutura semelhante à observada no MESFET tipo depleção, porém sem o de canal p." Falsa (F). Não existe MESFET tipo junção; isso é característico dos JFETs, que possuem junção p-n na porta. Sequência correta: V - V - F - F Alternativa correta: B) V - V - F - F.

Essa resposta te ajudou?

0
Dislike0

Ainda não achou a resposta?

  • Integrado com os principais modelos de IA do mercado
  • Respostas em segundos
  • IA treinada para estudantes brasileiros.
PasseIA logoEvolua sua forma de estudar

Cadastre-se ou realize login

Ainda com dúvidas?

Envie uma pergunta e tenha sua dúvida de estudo respondida!

Essa pergunta também está no material:

Avaliação II - Individual - EAI
6 pág.

Avaliação II - Individual - EAI

Mais perguntas desse material

Os transistores podem atuar como amplificadores ou interruptores em circuitos eletrônicos. Seu uso mais comum está nos processadores de computador, nos quais são requeridos graças a sua capacidade de emular os bits por meio do aumento ou queda de tensão, de forma rápida e precisa.
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir: I- O transistor é um componente semicondutor composto por três camadas, podendo ser constituídas de dois modos distintos: duas camadas de material semicondutor do tipo n e uma camada de material semicondutor do tipo p (sendo chamado de transistor npn) ou duas camadas de material semicondutor do tipo p e uma camada de material semicondutor do tipo n (sendo chamado de transistor pnp). II- Os transistores bipolares de junção são semelhantes aos diodos de junção, embora eles contenham uma junção adicional, o transistor é dito bipolar pois possui tanto lacunas (+) quanto elétrons (-) constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo. III- Os TBJs - do inglês "tripolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores tripolares de junção pois têm três pernas. Assinale a alternativa CORRETA:
A) As sentenças I e II estão corretas.
B) As sentenças II e III estão corretas.
C) As sentenças I e III estão corretas.
D) Somente a sentença II está correta.

O transistor é um dispositivo feito de material semicondutor que é largamente utilizado em circuitos eletrônicos e em chips de computador. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
Assinale a alternativa CORRETA:
I- A adequada polarização do transistor é extremamente importante e necessária, de modo que a troca de um transistor npn por um pnp não é possível em circuitos eletrônicos, pois cada um dos tipos possui uma polarização característica.
II- Para que o transistor opere corretamente, a junção coletor-base deve ser mantida reversamente polarizada, deste modo tem-se que o coletor em um transistor npn deve ser positivo em relação à base e em um transistor pnp o coletor deve ser negativo em relação à base.
III- Os TBJs - do inglês "tetrapolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores tetrapolares de junção pois têm quatro pernas.
a) As sentenças II e III estão corretas.
b) As sentenças I e III estão corretas.
c) Somente a sentença II está correta.
d) As sentenças I e II estão corretas.

O Silício se tornou tão importante que modificou toda uma região da Califórnia nos Estados Unidos na década de 1950, tornando-a uma das mais promissoras do mundo até hoje. Essa região abrigou e abriga as mais importantes empresas do ramo de projeto de computadores, como Intel, AMD, Dell, IBM e Apple, e depois de softwares que iriam executar nesses computadores, como Microsoft, Oracle e Google. Essa região é chamada de Vale do Silício. O silício possui várias aplicações nos componentes semicondutores em eletrônica, uma das suas aplicações se dá nos diversos tipos de transistores. Um dos TBJs mais utilizados em eletrônica é a configuração base-comum.
Com base nessa configuração base-comum dos TBJs, analise as sentenças a seguir: I- O nome base-comum é proveniente da base estar conectada na entrada e na saída (ser comum a ambas), além disso, normalmente possui o menor potencial, próximo ao terra, quando não está efetivamente conectada ao terra. II- Por convenção, o sentido da corrente refere-se ao fluxo convencional de elétrons, e não ao fluxo de lacunas, deste modo, para um TBJ, a seta define a direção da corrente de emissor (fluxo convencional). III- Para uma correta descrição do TBJ, dispositivo com três terminais, é necessário dois conjuntos de curvas características, um que represente a saída e um que represente a entrada (ou o acionamento). Assinale a alternativa CORRETA:
A) As sentenças I e III estão corretas.
B) Somente a sentença II está correta.
C) As sentenças II e III estão corretas.
D) As sentenças I e II estão corretas.

Fontes e espelhos de corrente são subcircuitos eletrônicos que funcionam como cargas ativas em arquiteturas analógicas modernas. Podem ser construídas com transistores de efeito de campo, JFET ou MOS, ou com transistores bipolares, BJT.
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
a) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente eddy para um ou mais ramos, criando correntes alternadas com valores iguais ou proporcionais ao da corrente eddy.
b) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de condução para um ou mais ramos, criando correntes contínuas com valores iguais ou proporcionais ao da corrente de condução.
c) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de referência para um ou mais ramos, criando correntes de espelhamento com valores iguais ou proporcionais ao da corrente de referência.
d) Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente de Foucault para um ou mais ramos, criando correntes de condução com valores iguais ou proporcionais ao da corrente Foucault.

[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V. Conecte o multímetro ao transistor para realizar a medição da corrente, basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e selecionando a opção “Medir Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 50 kohms. Com o sistema montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão, é possível realizar alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência aumentada.
B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência diminuída.
C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência diminuída.
D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência aumentada.

Um modelo é a combinação de elementos de circuito, apropriadamente selecionados, que se assemelham tanto quanto possível ao funcionamento real de um dispositivo semicondutor sob condições específicas de operação. Com base no exposto,
assinale a alternativa CORRETA:
A Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo ra, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido equivalente.
B Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo re, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido equivalente.
C Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo rh, o modelo pi híbrido e o modelo hibrido equivalente.
D Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o modelo ry, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido equivalente.

Os transistores são capazes de atuar como controlador de corrente, o que lhe possibilita ser utilizado como amplificações de sinais em equipamentos de som e imagem, ou como chave eletrônica para processamento de sinais em controles industriais, calculadoras, máquinas, computadores, entre outros. Os transistores são divididos basicamente em três grupos: Transistores bipolares: são divididos entre NPN e PNP. Transistores unipolares: transistor de unijunção (UJT). Transistores de efeito de campo: são divididos entre FET e MOSFET (Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor).
Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A A análise CA do JFET nas configurações npnp e pnpn são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CC, onde o sinal evolui entre valores negativos, o circuito CC será o mesmo.
B A análise CC do MOSFET nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos, o circuito CA será o mesmo.
C A análise CC do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CA, onde o sinal evolui entre valores positivos e negativos, o circuito CA será o mesmo.
D A análise CA do TBJ nas configurações npn e pnp são bem diferentes devido a possuir correntes com sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se trata de uma análise CC, onde o sinal evolui entre valores negativos, o circuito CC será o mesmo.

O transistor PNP possui suas junções PN uma voltada contra a outra, com o cristal N (negativo) para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com carga negativa em relação ao emissor. Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
Assinale a alternativa CORRETA:
I- A análise dos transistores pnp segue o mesmo padrão estabelecido para o transistor npn. Primeiramente o valor de IB é determinado e, em seguida, aplicamos as relações apropriadas ao transistor e obtemos os restantes das incógnitas necessárias.
II- Ao se observar as equações resultantes é possível perceber que a diferença entre a utilização de um transistor npn por um pnp será o sinal associado a algumas quantidades específicas.
III- O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é acionado com carga positiva em relação ao emissor.
A As sentenças II e III estão corretas.
B As sentenças I e III estão corretas.
C As sentenças I e II estão corretas.
D Somente a sentença II está correta.

Mais conteúdos dessa disciplina