Em qual momento pode ser realizado a adição de átomos de impurezas em um cristal semicondutor?

1) Ao analisar as propriedades dos semicondutores dopados, o número de elétrons de um semicondutor tipo N, ou as lacunas no semicondutor tipo P, aumentam diante da adição de átomos de impurezas no cristal, desse modo é possível alterar condutividade elétrica do semicondutor. Assim, assinale a alternativa que descreve em qual momento pode ser realizado a adição de átomos de impurezas em um cristal semicondutor. a)A adição de átomos de impurezas em um cristal semicondutor pode ser realizada apenas no momento da fabricação do mesmo. b)Colocando átomos com cargas neutras em quantidades adequadas durante os ensaios de qualidade. c)Tornando o material mais flexível que o normal. d)Aumentando a temperatura do material durante os ensaios técnicos. e)Diminuindo a temperatura do material durante os ensaios técnicos.
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