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Questão Apol 3 Materiais Elétricos

De acordo com as impurezas dopadas no semicondutor intrínseco obtém-se o semicondutor extrínseco denominado tipo P (predomínio de lacunas), e tipo N (predomínio de elétrons livres). Sobre o semicondutor tipo P e tipo N, avalie as seguintes proposições:
I. O semicondutor tipo N pode ser feito através do acréscimo de impurezas com valência cinco (antimônio) no átomo de silício;
II. Em semicondutores tipo N chama-se os elétrons livres de portadores majoritários e as lacunas de portadores minoritários;
III. O semicondutor tipo P ocorre quando é adicionado uma impureza, como gálio ou boro, que tem uma valência de três, no Si ou Ge;
IV. A dopagem, portanto, faz o semicondutor extrínseco adquirir características de temperatura mais próxima dos materiais condutores, pois a condutividade aumenta para materiais isolantes e diminui para materiais condutores.
 

Assinale a alternativa correta:

  A

Apenas a I, III e IV são verdadeiras;

  B

Apenas a I, II e III são verdadeiras;

  C

penas a I, II são verdadeiras;

  D

Todas são verdadeiras;

  E

Apenas a I, II e IV são verdadeiras.


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