Nos semicondutores intrínsecos, o comportamento elétrico depende apenas da estrutura eletrônica do material puro, não necessitando de impurezas.
À temperatura ambiente, a condutividade elétrica do silício é 4 × 10–4 (Ω. m) –1 e as mobilidades dos elétrons e dos buracos são 0,14*m²/(V.s) e 0,05*m²/(V.s)
Calcule o número de portadores intrínsecos para esse material.
Escolha uma:
a. ni = 1,42 × 1014 m–3.
b. ni = 1,32 × 1014 m–3.
c. ni = 1,25 × 1014 m–3.
d. ni = –1,32 × 1014 m–3.
e. ni = 1,54 × 1014 m–3.
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Materiais e Medidas Eletricas
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