Exercícios de Eletrônica Analógica

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Unidade 1 - Exercícios de fixação(resolvido) - Eletrônica
Analógica
Eletrônica Analógica (Centro Universitário Eniac)
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28/03/2020 Unidade 1 - Exercícios de fixação
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Questão 1
Ainda não respondida Vale 1,00 ponto(s).
Questão 2
Ainda não respondida Vale 1,00 ponto(s).
Os semicondutores são materiais com características intermediárias entre os condutores e os isolantes, ou
seja, necessitam de mais energia que os condutores para os elétrons de valência passarem para a banda de
condução e proporcionam mais corrente elétrica que os isolantes. Os semicondutores intrínsecos são os
semicondutores que:
Escolha uma:
a. são elementos compostos por impurezas de átomos pentavalentes, que ampli�cam a corrente elétrica.
b. são materiais semicondutores sem impurezas, normalmente com quatro elétrons na última camada de valência.
c. são elementos obtidos a partir do processo de dopagem de semicondutores, que contam, normalmente, com quatro elétrons na última
camada de valência.
d. são elementos compostos por impurezas de átomos trivalentes, que ajudam a isolar a passagem de corrente elétrica.
e. são elementos compostos por uma mistura controlada de 70% de Silício e 30% de Germânio, sempre nessa mesma proporção
atômica.
Transforme a seguinte senoide na forma fasorial: v(t) = -4 sen(30t + 50º) V .
Escolha uma:
a. 4∠ 140º V.
b. 5∠ 140º V.
c. 6∠ 50º V.
d. 4∠ 50º V.
e. -4∠ 140º V.
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28/03/2020 Unidade 1 - Exercícios de fixação
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Questão 3
Ainda não respondida Vale 1,00 ponto(s).
Questão 4
Ainda não respondida Vale 1,00 ponto(s).
Questão 5
Ainda não respondida Vale 1,00 ponto(s).
Nos materiais semicondutores, os locais onde existe falta de elétron são chamados de lacunas. Em relação à
quantidade de lacunas nos semicondutores intrínsecos, podemos a�rmar que: 
Escolha uma:
a. Em um semicondutor intrínseco, a quantidade de lacunas é sempre igual ao número de elétrons livres dos átomos pentavalentes das
impurezas dopadas no semicondutor, pois as lacunas são atraídas pelos elétrons.
b. Em um semicondutor intrínseco, a quantidade de lacunas é sempre igual ao número de elétrons do átomo utilizado no processo de
dopagem, pois é ele que cede seus elétrons ao semicondutor.
c. Em um semicondutor intrínseco, a quantidade de lacunas é sempre muito maior do que a quantidade de elétrons, pois as ligações
covalentes são geradas pelas dopagens.
d. Nos semicondutores intrínsecos, sempre há três ou cinco lacunas, de acordo com o seu tipo, que pode ser tipo – P ou tipo – N.
e. Em um semicondutor intrínseco, a quantidade de lacunas é sempre igual ao número de elétrons covalentes, pois sempre que uma
ligação covalente é gerada ou rompida, um par elétron-lacuna é formado ou destruído no processo.
Encontre a soma de z1 + z2, sabendo-se que: z1 = 7 + j3 e z2 = 4 - j8. 
Escolha uma:
a. 9 - j4.
b. 4 - j5.
c. 11 + j5.
d. 7 - j4.
e. 11 - j5 .
O principal processo para possibilitar a utilização dos materiais semicondutores na indústria é a dopagem.
Qual das alternativas explica corretamente esse processo?
Escolha uma:
a. É o processo industrial onde se troca, de maneira controlada, os átomos do silício pelos átomos do germânio.
b. É o processo industrial onde se coloca, de maneira controlada, determinadas impurezas no material semicondutor.
c. É o processo industrial onde se puri�ca o material semicondutor, retirando de maneira controlada as impurezas contidas nos átomos.
d. É o processo industrial onde se coloca, de maneira controlada, determinadas quantidades de lacunas condutoras no material
semicondutor.
e. É o processo industrial onde se coloca, de maneira controlada, determinadas quantidades de elétrons isolantes no material
semicondutor.
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28/03/2020 Unidade 1 - Exercícios de fixação
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Questão 6
Ainda não respondida Vale 1,00 ponto(s).
Questão 7
Ainda não respondida Vale 1,00 ponto(s).
Questão 8
Ainda não respondida Vale 1,00 ponto(s).
Determine a senoide correspondente ao fasor: I = j(12-j5) A.
Escolha uma:
a. i(t) é igual a 13 cos(wt - 67,38º) A.
b. i(t) é igual a 12 cos(wt - 50,38º) A.
c. i(t) é igual a 13 cos(wt + 80º) A.
d. i(t) é igual a 12 cos(wt + 67,38º) A.
e. i(t) é igual a 13 cos(wt + 67,38º) A.
O diodo é o componente semicondutor mais simples utilizado pela indústria e seu funcionamento está
descrito corretamente em qual alternativa? 
Escolha uma:
a. O diodo é um componente semicondutor que serve para ampli�car um sinal, por meio da passagem de corrente pelas suas três
camadas intercaladas de semicondutor dos tipos P e N.
b. O diodo é um componente semicondutor que bloqueia a passagem de corrente em apenas um sentido, permitindo a passagem de
corrente em outro sentido, mediante o rompimento da sua barreira de potencial.
c. O diodo é um componente semicondutor que ampli�ca as lacunas em apenas um sentido, ampli�cando os elétrons em outro sentido,
mediante o rompimento da sua barreira de potencial.
d. O diodo é um componente de alta tecnologia que tem na sua construção milhões de transistores do tipo PNP ou NPN.
e. O diodo é um componente semicondutor do tipo fotovoltaico, que gera tensão elétrica quandoexposto à ação de um �uxo luminoso,
por meio do aquecimento solar da barreira de potencial do matéria.
Determine a senoide correspondente ao fasor: V= -25 ∠40º V.
Escolha uma:
a. V(t) = 25 cos(wt - 220) V.
b. V(t) = 25 cos(wt + 40) V.
c. V(t) = 25 cos(wt - 140) V.
d. V(t) = 25 cos(wt - 40) V.
e. V(t) = 25 cos(wt + 140) V.
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28/03/2020 Unidade 1 - Exercícios de fixação
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Questão 9
Ainda não respondida Vale 1,00 ponto(s).
Questão 10
Ainda não respondida Vale 1,00 ponto(s).
A “ausência de elétron” que encontramos nos semicondutores é chamada de lacuna. A alternativa que melhor
explica o processo de surgimento dessas lacunas é: 
Escolha uma:
a. Quando se coloca impurezas tetravalentes em um semicondutor pelo processo de dopagem, 3 elétrons tetravalentes aumentam sua
energia e �cam livres, gerando as lacunas covalentes.
b. Nos semicondutores, quando um elétron passa da banda de valência para a banda de condução, �cando livre, ocorre uma “ausência de
elétron” na ligação covalente de onde este elétron saiu. Esse local onde estava o elétron na ligação covalente passa a �car vazio e essa
falta de elétron é chamada de lacuna.
c. Quando se aumenta a temperatura dos semicondutores, os dois elétrons da camada de valência se fundem através do processo de
dopagem, originando as lacunas.
d. A única maneira de formar as lacunas é por meio da dopagem covalente, que acrescenta duas impurezas ao material semicondutor,
uma trivalente e uma pentavalente, fazendo assim surgir as lacunas livres.
e. Quando se coloca impurezas trivalentes em um semicondutor pelo processo de dopagem, 5 elétrons trivalentes aumentam sua
energia e �cam livres gerando as lacunas covalentes.
Transforme a seguinte senoide na forma fasorial: i(t) = 6 cos(50t - 40º) A.
Escolha uma:
a. 6∠ 50º A.
b. 6∠ -50º A.
c. 50∠ 40º A.
d. 6∠ 40º A.
e. 6∠ -40º A.
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