QUESTÃO 03 Em uma junção PN, uma porção de material tipo P tem um excesso de cargas positivas (buracos) e a porção tipo N tem excesso de elétrons l...

QUESTÃO 03
Em uma junção PN, uma porção de material tipo P tem um excesso de cargas positivas (buracos) e a porção tipo N tem excesso de elétrons livres (carga negativa). Sobre o diodo e a junção PN considere as seguintes afirmações:
I - Quando juntamos os dois materiais semicondutores P e N, ocorre uma recombinação de cargas na junção, isto é, parte dos elétrons livres flui para o lado tipo P e preenche alguns buracos, criando uma região neutra chamada de camada de depleção.
II - As cargas recombinadas geram ainda um campo elétrico que criará uma força de oposição ao movimento dos elétrons livres, chamada de barreira de potencial.
III - À temperatura ambiente, a barreira de potencial é de 0.3 V e 0.7 V para diodos construídos com germânio e silício, respectivamente. Assinale a alternativa que indica quais afirmações estão corretas.

a) Somente I.
b) Somente I e II.
c) Somente II e III.
d) Somente I e III.
e) I, II e III.