Semiconductor Tipo p, se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el n...

Semiconductor Tipo p, se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres en este caso positivos o huecos, la impureza que se apodera de los electrones se llama aceptadora, para la formación del hueco libre gracias al salto del átomo de sustancia básica al átomo de impureza se requiere bastante menor energía que para la ruptura de los enlaces de valencia, debido a esto, la cantidad de huecos puede ser bastante mayor que el número de electrones libres, y la conducción de tal cristal será por huecos, en este semiconductor los portadores de cargas mayoritarios serán los huecos, y los electrones, los portadores de carga minoritarios, este semiconductor con impurezas aceptadoras se llama por defecto o tipo “p” [3, 22, 24].