QUESTIONÁRIO UNIDADE II Eletronica depotência

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ELETRONICA DE POTENCIA - ELETRONICA D68B_15305_R_20221 CONTEÚDO
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ELETRONICA DE POTENCIA - ELETRONICA 
QUESTIONÁRIO UNIDADE II
23/04/22 13:21
23/04/22 13:23
Completada
Resultado da tentativa 3 em 3 pontos  
Tempo decorrido 2 minutos
Resultados exibidos Respostas enviadas, Perguntas respondidas incorretamente
Pergunta 1
Resposta Selecionada: b. 
Uma fonte de tensão DC de 120 V está ligada a um MOSFET e alimenta uma carga
de 10 Ohms. Os parâmetros do MOSFET são de 1,50 us e de 0,10 Ohms.
Se o ciclo de trabalho for de 60% e a frequência de chaveamento for igual a 25 kHz,
qual alternativa apresenta respectivamente a perda média de potência no estado
ligado e a perda média de potência durante o tempo de ligação?
8,60 W e 9,0 W
Pergunta 2
Resposta Selecionada: e. 
Um MOSFET possui uma corrente de fuga de 2 mA, uma resistência de estado ligado
(não saturada) de 0,3 Ω e um ciclo de trabalho de 50%. A corrente de dreno é 6 A, a
tensão dreno-source é 100 V, o tempo para ligar é 100 ns, tempo para desligar é 200
ns. A frequência de chaveamento é 40 kHz. Calcule a perda total média no
componente, desprezando as perdas em estado desligado.
6,60 W
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0,3 em 0,3 pontos
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Pergunta 3
Resposta
Selecionada:
d.
Os transistores possuem 3 terminais, dois deles atuam como contatos de uma
chave, enquanto o terceiro é usado para controle (ligar e desligar a chave). Assim, o
circuito de controle pode ser independente do circuito que está sendo controlado.
Como é controlado o transistor?
Controlado por corrente, deve-se impor (através de uma fonte de
controle e um resistor de base) uma corrente que leve o transistor à
região saturada (conforme reta de carga).
Pergunta 4
Resposta
Selecionada:
b.
O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) mescla as características de baixa queda
de tensão no estado ligado dos TJB com as excelentes características de
chaveamento, um circuito de porta bem simples e a alta impedância de entrada do
MOSFET. Como é possível colocar o IGBT no estado ligado?
É necessário polarizar positivamente o terminal do coletor (C), em
relação ao terminal do emissor (E). Uma tensão positiva aplicada
na porta fará o dispositivo passar para o estado ligado quando a
tensão na porta exceder a tensão de limiar ( ).
Pergunta 5
No circuito abaixo, a tensão de pico da fonte vale 400 V, a frequência é de 10 kHz, o
ciclo de trabalho vale 50% e a corrente circulante tem um pico de 30 A e valor médio
de 10 A. Considere que o diodo utilizado possui as características abaixo: 
  
 
 
 
 
  
0,3 em 0,3 pontos
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Resposta Selecionada: c. 
 
Fonte: (Ahmed, 2000) 
 
A perda de potência média no diodo em estado ligado será:
5,44 W
Pergunta 6
Resposta Selecionada: b. 
No circuito abaixo, a tensão de pico da fonte vale 400 V, a frequência é de 10 kHz, o
ciclo de trabalho vale 50% e a corrente circulante tem um pico de 30 A e valor médio
de 10 A. Considere que o diodo utilizado possui as características abaixo: 
  
 
 
 
 
  
 
Fonte: (Ahmed, 2000) 
 
Quanto a perda total média de chaveamento no diodo valerá?
22 W
0,3 em 0,3 pontos
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Pergunta 7
Resposta Selecionada: b. 
No circuito abaixo, a tensão da fonte vale 148 V e a resistência da carga 5 Ohms. O
componente leva 2,5 us para ir do estado desligado para o ligado e vice-versa.
Calcule a perda total média de chaveamento para uma frequência de 1 kHz. Sabe-se
que a tensão coletor-emissor vale 3 V. 
 
 
  
 
 
 
 
 
Fonte: (Ahmed, 2000)
3,58 W
Pergunta 8
Na �gura abaixo, a fonte de tensão é 220 V, a resistência de carga é de 10 Ohms. O
IGBT está sendo operado em 1 kHz e um ciclo de trabalho de 60%. Sabe-se que ton
= 2,5 us, to� = 1,0 us e Vce-sat é igual a 2,0 V. Qual a perda de energia média total
aproximada de chaveamento do componente? 
 
 
  
0,3 em 0,3 pontos
0,3 em 0,3 pontos
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Resposta Selecionada: b. 
 
Fonte: (Ahmed, 2000)
2,80 mJ
Pergunta 9
Resposta Selecionada: e. 
Em algumas aplicações, faz-se necessária a instalação de diodos em série ou
paralelo. Em contrapartida também são necessários resistores para balancear de
forma correta a tensão e corrente (depende da associação). Avalie as a�rmações
abaixo e responda quais estão corretas. 
 I. A ligação em série é necessária para quando a corrente da carga é maior do que a
o diodo. Desta maneira, se garante que a tensão da fonte não queimará o diodo. 
II. A ligação em paralelo é necessária para quando a corrente total do circuito é
maior do que a corrente nominal do diodo. Assim, a corrente pode se dividir de
forma que não ultrapasse a nominal do diodo. 
III. A ligação em série é apropriada quando a tensão máxima da fonte supera a
tensão nominal do diodo a ser adotado. Assim, é possível dividir a tensão em cada
diodo de tal forma que não o dani�que quando colocado em funcionamento. 
IV. O uso de resistores nessas associações ajuda, porém, causam perdas. O ideal é
adotar diodos compatíveis com as exigências do circuito para não precisar associar
esses dispositivos.
II, III e IV estão corretas.
Pergunta 10
Dado um circuito com uma tensão de alimentação de 120 Vcc, alimentando uma
carga de 20 Ohms através de um transistor de potência com tensão coletor-emissor
saturada de 1,0 V. Com o auxílio da reta de carga abaixo, calcule as perdas médias
de potência em estado ligado para Ib de 0,60 / 0,40 e 0,20 A. 
0,3 em 0,3 pontos
0,3 em 0,3 pontos
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Sábado, 23 de Abril de 2022 13h29min14s BRT
Resposta Selecionada: d. 
 
 
  
 
Fonte: Adaptado de (Ahmed, 2000)
5,95 / 11,80 / 135 W
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