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1,25 pts. 1. A figura ilustra um amplificador de potência com transistor de tecnologia bipolar. Determine o valor de RB que localiza o ponto de operação quiescente Q no centro da equação de carga, sabendo que beta = 60. 30,0kOhms 20,0kOhms 11,3kOhms 22,6kOhms 10,0kOhms 1,25 pts. 2. Em relação à dopagem da base de um transistor npn, podemos afirmar que: É larga e levemente dopada É estreita e levemente dopada É larga e fortemente dopada É estreita e fortemente dopada Dopada com um material pentavalente 1,25 pts. 3. A letra grega β (beta) é usada para designar o ganho estático de corrente de um transistor na configuração de emissor comum. Trata-se da relação existente entre a corrente de coletor e a corrente de base. Isso significa que o Beta de um transistor nos informa quantas vezes ele pode ampliar a corrente que seja forçada a circular pela sua base na configuração indicada, num circuito de corrente contínua. Com a utilização do circuito apresentado abaixo com seu respectivo ganho beta, assinale a alternativa que indica o valor da tensão no coletor VC. javascript:alert('Quest%C3%A3o%20com%20o%20c%C3%B3digo%20de%20refer%C3%AAncia%20201906247555.') javascript:alert('C%C3%B3digo%20da%20quest%C3%A3o:%204869478/n/nStatus%20da%20quest%C3%A3o:%20Liberada%20para%20Uso.'); javascript:alert('Quest%C3%A3o%20com%20o%20c%C3%B3digo%20de%20refer%C3%AAncia%20201906798631.') javascript:alert('C%C3%B3digo%20da%20quest%C3%A3o:%205420554/n/nStatus%20da%20quest%C3%A3o:%20Liberada%20para%20Uso.'); javascript:alert('Quest%C3%A3o%20com%20o%20c%C3%B3digo%20de%20refer%C3%AAncia%20201906603820.') javascript:alert('C%C3%B3digo%20da%20quest%C3%A3o:%205225743/n/nStatus%20da%20quest%C3%A3o:%20Liberada%20para%20Uso.'); 5 V 2 V 0 V 12 V 10 V 1,25 pts. 4. Transistor NPN é um transistor de baixa potência com polaridade NPN, é vastamente utilizado em projetos que não necessitam de alta corrente, como: projetos de comutadores e amplificadores. O Transistor NPN suporta correntes de até 1A e tensões de até 50V, possui encapsulamento NPN de três terminais Base, Emissor e Coletor e é um modelo de transistor indispensável para todos os que u trabalham com eletrônica. Para um NPN considerando que a tensão Base- Emissor no circuito apresentado abaixo é de 0,7 V, assinale a alternativa que indica a corrente no resistor Re. javascript:alert('Quest%C3%A3o%20com%20o%20c%C3%B3digo%20de%20refer%C3%AAncia%20201906626425.') javascript:alert('C%C3%B3digo%20da%20quest%C3%A3o:%205248348/n/nStatus%20da%20quest%C3%A3o:%20Liberada%20para%20Uso.'); 1,86 mA 2,86 mA 3 mA 0,5 mA 1 mA 1,25 pts. 5. No que diz respeito aos transistores de junção bipolar (TBJ), assinale a alternativa correta. Para que um transistor funcione é necessário polarizar corretamente as suas junções. Desse modo, nos transistores tipo NPN, a corrente elétrica entra pela base e sai pelo coletor e emissor. Os transistores de junção bipolar são dispositivos semicondutores que possuem três terminais, formado por três camadas consistindo de: duas do tipo P e uma do tipo N, formando assim o transistor PNP ou duas do tipo N e uma do tipo P, formando assim o transistor NPN. Os transistores PNP, quando polarizados corretamente, a junção base-emissor é polarizada reversamente e a junção base-coletor é polarizada diretamente. Os transistores são utilizados apenas em amplificadores de javascript:alert('Quest%C3%A3o%20com%20o%20c%C3%B3digo%20de%20refer%C3%AAncia%20201905470421.') javascript:alert('C%C3%B3digo%20da%20quest%C3%A3o:%204092344/n/nStatus%20da%20quest%C3%A3o:%20Liberada%20para%20Uso.'); áudio e, por isso, são tão importantes. Os transistores de junção bipolar são dispositivos semicondutores que possuem três terminais: coletor, emissor e gate. 1,25 pts. 6. Dado o circuito apresentado a seguir, assinale a alternativa que indica o valor da tensão no coletor VC. 10V 12V 2V 0V 5V 1,25 pts. 7. Analise o circuito a seguir. Dado o circuito representado pela figura, o valor de VCE e a região de operação do circuito são, respectivamente: (Considere: VBE = 0,7V e β = 100). -5V, região linear. -3.9V, região reversa. 0V, região de saturação. javascript:alert('Quest%C3%A3o%20com%20o%20c%C3%B3digo%20de%20refer%C3%AAncia%20201905455529.') javascript:alert('C%C3%B3digo%20da%20quest%C3%A3o:%204077452/n/nStatus%20da%20quest%C3%A3o:%20Liberada%20para%20Uso.'); javascript:alert('Quest%C3%A3o%20com%20o%20c%C3%B3digo%20de%20refer%C3%AAncia%20201905455540.') javascript:alert('C%C3%B3digo%20da%20quest%C3%A3o:%204077463/n/nStatus%20da%20quest%C3%A3o:%20Liberada%20para%20Uso.'); 5V, região linear. 10V, região de corte. 1,25 pts. 8. O transistor da figura a seguir é de silício, possui um ganho β = 100 e está polarizado na região ativa. Determine RE, RB, e RC sabendo que VCC = 20V, VCE = 3V, IB = 40µA e RC = 4RE. RE = 1kΩ, RB = 400kΩ, RC = 4kΩ RE = 2kΩ, RB = 397,5kΩ, RC = 8kΩ RE = 850Ω, RB = 397,5kΩ, RC = 3,4kΩ RE = 850Ω, RB = 400kΩ, RC = 3,4kΩ RE = 1kΩ, RB = 397,5kΩ, RC = 4kΩ javascript:alert('Quest%C3%A3o%20com%20o%20c%C3%B3digo%20de%20refer%C3%AAncia%20201905455531.') javascript:alert('C%C3%B3digo%20da%20quest%C3%A3o:%204077454/n/nStatus%20da%20quest%C3%A3o:%20Liberada%20para%20Uso.');
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