Amplificador FET (Teórico x Prático) - Circuito 1

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INSTITUTO FEDERAL DE SÃO PAULO 
CAMPUS SÃO JOSÉ DOS CAMPOS 
 
 
 
AMANDA RAZABONI 
BIANCA OLIVEIRA 
REGINALDO BERCHIOR 
 
 
 
 
Relatório 9 - Amplificador FET (Teórico x Prático) 
Circuito 1 
Laboratório de Eletrônica Analógica II 
 
 
 
 
 
PROF. CELSO FARNESE 
 
 
 
 
 
 
SÃO JOSÉ DOS CAMPOS 
2022 
 
Amplificador FET 
1 
 
 
 
1 OBJETIVO 
Montagem de amplificador de dois estágios BI-FET, composto por um JFET 
e um amplificador bipolar; Calcular e medir as características de desempenho do 
amplificador. 
 
2 COMPONENTES 
o 1 Resistor de 220Ω 
o 1 Resistor de 2,7 kΩ 
o 1 Resistor de 1,0 kΩ 
o 1 Resistor de 4,7 kΩ 
o 1 Resistor de 10 kΩ 
o 1 Resistor de 22 kΩ 
o 1 Resistor de 100 kΩ 
o 1 Resistor de 1,0 MΩ 
o 1 Capacitor de 10 µF 
o 1 Capacitor de 0,1 µF 
o 1 Capacitor de 100 µF 
o 1 Transistor 2n5458 
o Transistor 2n3906 
 
3 DESENVOLVIMENTO PRÁTICO 
Para iniciar o experimento, inicialmente foram separados os componentes 
que seriam utilizados e medidos. Como o experimento seria realizado pela 
segunda vez e, provavelmente, com outros componentes, medimos os valores 
novamente conforme a tabela abaixo. 
 
 
Componente 
Valor 
teórico 
Valor 
medido 
Erro 
relativo 
R1 22 kΩ 22,23 kΩ 1,05% 
R2 100 kΩ 96,98 kΩ -3,02% 
RE1 1 kΩ 1,03 kΩ 3,00% 
RE2 220 kΩ 201 kΩ -8,64% 
RL1 10 kΩ 9,82 kΩ -1,80% 
RS 2,7 kΩ 2,73 kΩ 1,11% 
RD 4,7 kΩ 4,57 kΩ -2,77% 
RG 1 MΩ 1,034 MΩ 3,40% 
Fonte: Os autores. 
 
 
Amplificador FET 
2 
 
Posteriormente, iniciou-se a montagem do circuito 1. 
 
 
Fonte: Material disponibilizado pelo professor. 
 
Ajustou-se a frequência para 1,005 e a fonte DC foi ajustada em 12 V. 
A primeira vez que foi montado não havia disponível o 2N5458 (JFET), 
dessa forma para análise tentou-se substituir pelo 2N3906 (TJB). Dessa 
maneira, não foi possível executar o circuito para a forma a qual ele foi 
construído. Vale destacar que a principal diferença entre o BJT (2N3906) e o 
JFET (2N5458) é sua forma de ativação, uma vez que o BJT é ativado por 
corrente e o JFET por tensão. 
Sendo assim, posteriormente houve a troca do transistor BJT pelo JFET, 
dando início assim ao experimento de fato. 
 
Um ponto que foi enfrentado é que o gerador de função não chegava ao 
valor de 300 mV, sendo assim não era possível atingir o valor desejado para 
execução do experimento. Dessa forma, o grupo optou por trocar o gerador 
utilizado por um mais novo, conseguindo ajustá-lo em 296 mV. 
Ao tentar medir estavam dando valores muito divergentes e não 
estabilizados, sendo assim foi necessário analisar a montagem no protoboard 
e garantir que todas as conexões estavam feitas corretamente. Uma questão 
interessante é que a pinagem do transistor precisou ser conferida com a 
datasheet, para confirmar que não estava havendo confusão. Após verificar 
todas as ligações, iniciou-se as medições novamente, apresentando valores 
baixos mas porém sem variação. Provavelmente algum conector estava com 
mal contato, pois a construção em si não foi alterada. 
 
Amplificador FET 
3 
 
 
 
4. DESENVOLVIMENTO TEÓRICO 
O desenvolvimento teórico foi feito previamente, obtendo os seguintes 
resultados. 
 
Circuito 1: 
 
 
Forma de onda de entrada: 
 
 
 
 
Cálculo Av para fonte comum: 
 
382,25
106,07
= 3,6 
 
 
 
 
INSTITUTO FEDERAL DE SÃO PAULO 
CAMPUS SÃO JOSÉ DOS CAMPOS 
 
5. VALORES TEÓRICOS E PRÁTICOS 
 
 Parâmetro CC Parâmetros CA 
 VG VS VD ID AV Fase Reversa (S/N) 
Fonte 
Comum 
(teórico) 
11,07 uV 1,74 V 3,03 V 645,58 uA 
3,6 
 
Sim 
Fonte 
Comum 
(experim
ental) 
0 4,5 mV 1,03 V 166 nA - - 
 
 
Amplificador FET 
1 
 
 
6. DESENVOLVIMENTO NO TINKERCAD