Prova EAOEAR - AERONÁUTICA - 2001 - para Oficial - Engenharia Eletrônica.pdf

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ELN 1A 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NOME: ______________________________________________________ 
 
Nº DE INSCRIÇÃO: ____________________________________________ 
 
ASSINATURA: ________________________________________________ 
 
 
 
 
= CONFIRA! ESTA PROVA CONTÉM 40 QUESTÕES = 
GRAU DE ZERO A DEZ 
PESO 3 
 
BOA PROVA ! 
 
 
 
 
01 – Sobre os materiais semicondutores, NÃO é correto afirmar 
que 
 
a) um semicondutor, que tenha sido submetido a um 
processo de dopagem, é chamado material extrínseco. 
b) o tipo n é feito com elementos de impureza que 
possuem 5 elétrons de valência. 
c) no caso ideal, mesmo com um número grande de 
portadores livres, o material tipo p é eletricamente 
neutro. 
d) no tipo n, o elétron é chamado de portador minoritário. 
 
 
 
 
 
02 – Um dispositivo semicondutor apresenta uma curva de 
decaimento de potência, conforme mostrada abaixo. Nessas 
condições, quando a temperatura for de 150ºC, o valor em 
[ºC/W] da resistência térmica da junção para a cápsula é 
 
 
a) 15. 
b) 20. 
c) 25. 
d) 30. 
 
 
 
 
 
 
 
 
03 – Sobre os transistores de junção bipolar (BJT), transistores de 
efeito de campo (TEC) e suas configurações, é INCORRETO 
afirmar que 
 
a) são necessários dois conjuntos de características para 
representar o comportamento do transistor BJT em 
configuração base-comum: o de entrada e o de saída. 
b) a configuração coletor comum é usada principalmente 
para fim de casamento de impedância, já que possui alta 
impedância de entrada e baixa impedância de saída. 
c) com o TEC, obtém-se maior estabilidade térmica do que 
com o BJT. 
d) o dispositivo BJT produz menos ruído do que o 
dispositivo TEC; portanto, é mais adequado para 
estágios de entrada de amplificadores de baixo nível. 
 
 
 
 
 
 
04 – Um Mosfet de indução canal n está polarizado conforme a 
figura abaixo. Sendo VT o valor da tensão de limiar e a 
corrente de dreno dada por ID=K(VGS-VT)2, o valor de ID 
quiescente, para o circuito abaixo, é uma solução da 
seguinte equação: 
(Considere VGS>VT) 
 
 
a) ( ) 02222 222 =−+




 +++ TDDDDDTDDDD VVVK
RVVRIRI
 
b) 02122 2222 =−++




 −−+ TDDTDDDDDTDDDD VVVVK
VRVRIRI
 
c) ( ) 02 22 =+++ TTDDDDDDD VVRVRIRI 
d) ( ) 012 22 =++−+
K
VVRVRIRI DDTDDDDDGD 
 
 
 
05 – Duas bobinas cujas respectivas auto-indutâncias são 
L1=0,05H e L2=0,20H têm coeficiente de acoplamento K=0,5. 
Sendo i1=5sen400t A a corrente na bobina 1, a tensão na 
bobina 2, em volts, é igual a 
 
a) v2=50 cos 400t. 
b) v2=150 sen 100t. 
c) v2=100 cos 400t. 
d) v2=200 sen 400t. 
 
 
 
 
 
 
 
COMANDO DA AERONÁUTICA 
DEPARTAMENTO DE ENSINO DA AERONÁUTICA 
CENTRO DE INSTRUÇÃO E ADAPTAÇÃO DA AERONÁUTICA 
CONCURSO DE ADMISSÃO AO EAOEAR 2002 
 
EXAME DE CONHECIMENTOS ESPECIALIZADOS 
PROVA ESCRITA DE ENGENHARIA ELETRÔNICA
 
VERSÃO A 
 
19 DE NOVEMBRO DE 2001 
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ELN 2A 
06 – Na figura abaixo, 
LR
V =10V e RL=5Ω. Se o 2N3055 tiver um 
βCC=50 e o 2N3904 tiver um βCC=100, a corrente através do 
diodo Zener será de 
 
a) IZ= 6,3 mA. 
b) IZ= 8,3 mA. 
c) IZ=10,8 mA. 
d) IZ=18,3 mA. 
 
 
 
 
07 – Nos últimos anos tem havido um interesse crescente por um 
tipo de diodo. Ele é superior em aplicações onde se requer 
uma faixa de freqüência muito alta e, quando comparado 
com o diodo de junção de silício, é significativamente mais 
robusto, possui valores típicos de tempo de resposta e 
tensão de limiar menores, além de apresentar uma menor 
figura de ruído. Suas aplicações incluem sistema radar, 
lógica TTL para computadores, misturadores e detectores. O 
diodo a que se refere este texto é o diodo 
 
a) túnel. 
b) varicap. 
c) de junção de germânio. 
d) schottky. 
 
 
 
 
 
08 – Uma tensão exponencial V=50e t100− (volts) é aplicada ao 
circuito RL da figura abaixo, ao se fechar o interruptor, no 
instante t=0s. A corrente, em ampères, resultante, é igual a 
 
 
a) i(t)=-5e t100− +5e t50− 
b) i(t)=-10e t100− +10e t50− 
c) i(t)=10e t50− -10e t100− 
d) i(t)=5e t100− -5e t50− 
 
 
 
 
 
 
 
 
09 – Para o circuito amplificador, mostrado através da figura 
abaixo, a freqüência de corte inferior é de 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Considere: hie>>1KΩ e 16,0
2
1
=
π
 
a) 160 Hz. 
b) 320 Hz. 
c) 32 Hz. 
d) 16 Hz. 
 
 
10 – A função de transferência, H0(s), para o circuito abaixo, é 
 
a) H0(s)= sRC. 
b) H0(s)=
sRC
3
. 
c) H0(s)=
sRC
2
. 
d) H0(s)= ( )1
1
+RCs
. 
 
 
11 – Para o circuito abaixo, quais seriam as mudanças na tensão 
(ca) de saída VS, para cada um dos defeitos abaixo, 
respectivamente? 
 
I) C3 aberto. 
II) Dreno-Fonte de Q2 aberto. 
III) Um resistor de 3,9KΩ foi indevidamente usado no lugar 
do resistor de 3,3KΩ. 
 
a) Diminui, diminui, aumenta. 
b) Diminui, aumenta, aumenta. 
c) Aumenta, permanece, aumenta. 
d) Diminui, aumenta, diminui. 
 
 
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ELN 3A 
 
12 – Para o circuito abaixo, a razão entre as resistências de 
entrada e a de saída é, aproximadamente, igual a 
(Considere RE=2,0 KΩ RS=1 KΩ hfe=100 
hie=2KΩ hoe=10,0 µs) 
 
 
a) 2,1 × 103 
b) 4,1 × 103 
c) 6,7 × 103 
d) 8,3 × 103 
 
 
 
 
 
13 – O circuito abaixo mostra o circuito básico de uma porta lógica 
tipo: 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
14 – No circuito simplificado, abaixo, os circuitos externos aos 
estágios amplificadores executam a função de um 
 
a) oscilador com freqüência de oscilação 
22
1
CR
f
Eπ
= . 
b) estágio isolador. 
c) circuito de controle automático de ganho. 
d) retificador para pequenos sinais, com alta impedância de 
entrada. 
 
 
15 – Aplicam-se dois sinais senoidais de mesma freqüência às 
entradas vertical e horizontal de um osciloscópio. A figura de 
Lissajous correspondente à defasagem entre os dois sinais é 
visualizada como mostrada abaixo. Nestas condições, a 
defasagem entre eles é de 
 
a) 45º. 
b) 60º. 
c) 120º. 
d) 150º. 
 
 
 
16 – Sobre os circuitos geradores de forma de onda, é 
INCORRETO afirmar que 
 
a) em um oscilador Colpitts, um divisor de tensão indutivo 
produz a realimentação necessária para as oscilações. 
b) o multivibrador monoestável gera um único pulso, com 
duração especificada, em resposta a cada sinal de 
disparo externo. 
c) o multivibrador astável produz oscilações entre dois 
estados não estáveis e a duração em que o circuito 
permanece num estado ou outro é definida pelos valores 
dos componentes. 
d) embora excelente em baixas freqüências, o oscilador de 
ponte de Wien não é adequado para altas freqüências. 
 
 
 
 
 
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ELN 4A 
 
 
17 – A curva que melhor representa a característica de 
transferência do circuito abaixo é 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
18 – O princípio de modulação AM – DSB consiste no fato de que 
o sinal modulante interfere exclusiva e diretamente na 
amplitude da portadora. Considere que o sinal da portadora 
e o sinal modulante são, respectivamente, e0(t)=2 cos (w0t) e 
em(t)=em cos (wmt). 
Dessa forma, o percentual da potência média total utilizado 
na transmissão da portadora, para um índice de modulação 
máximo possível sem distorção, é 
a) 50%. 
b) 66,7%. 
c) 23,3%. 
d) 33,3%. 
 
 
 
 
19 – Observando-se o sinal modulado em amplitude, abaixo, 
verifica-se que índice de modulação m é igual a 
 
 
a) 3
1 b) 2
1 c) 3
2 d) 4
3 
 
 
 
20 – Uma portadora cossenoidal de 100MHz e 200VPP é 
modulada em freqüência, com desvio máximo de 75KHz, por 
um sinal também cossenoidal de 15KHz e 20VPP. Nessas 
condições, o índice de modulação do sinal modulado e a 
largura de faixa ocupada por esse sinal são, 
respectivamente, iguais a 
a) 1/4 e 90KHz. 
b) 4 e 180KHz. 
c) 5 e 180KHz. 
d) 1/5 e 90KHz. 
 
 
 
21 – Sobre a modulação em sistemas pulsados, é INCORRETO 
afirmar que 
 
a) no sistema TDM, uma só portadora amostra n canais e, 
sendo assim, cada canal será amostrado a cada período 
da portadora. 
b) o sistema ASK libera ou interrompe a passagem da 
portadora, de acordo com o nível do sinal modulante, 
que deve ser, obrigatoriamente, discreto. 
c) o sistema PWM consiste em variar a largura do pulso da 
portadora, proporcionalmente ao sinal modulante, 
mantendo constante a amplitude e o intervalo de tempo 
em que os pulsos se repetem. 
d) o sistema PPM consiste em variar a posição do pulso da 
portadora, proporcionalmente ao sinal modulante, 
mantendo constante a amplitude e a largura dos pulsos. 
 
 
 
 
 
 
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ELN 5A 
 
22 – Um sistema de controle por realimentação negativa NÃO tem 
como objetivo 
a) tornar o sistema estável ou aumentar a estabilidade do 
sistema. 
b) tornar o sistema insensível às variações de parâmetros. 
c) atender requisitos de desempenho estabelecidos. 
d) diminuir o erro em regime estacionário. 
 
 
 
 
23 – Um sistema como o da figura abaixo, cuja função de 
transferência da planta é dada por G(s)=
)1(
1
+ss
 (sistema 
do tipo I), apresenta erro em regime estacionário para 
 
 
a) uma entrada do tipo rampa. 
b) uma entrada do tipo degrau. 
c) uma entrada do tipo impulso. 
d) qualquer que seja o tipo de sinal de entrada. 
 
 
 
24 – Sobre a análise de estabilidade para sistemas contínuos 
SISO, não se pode afirmar que 
a) um sistema que apresenta um pólo de malha aberta no 
semiplano direito do plano s, é estável se o diagrama de 
Nyquist envolver o ponto –1, uma vez no sentido anti-
horário. 
b) o critério de Routh-Hurwitz é baseado na resposta do 
sistema em malha aberta. 
c) o lugar das raízes da equação característica no plano s 
indica instabilidade, caso haja pólos, não cancelados, no 
semiplano direito. 
d) a margem de fase e a margem de ganho podem ser 
obtidas dos diagramas de Bode. 
 
 
 
 
 
25 – Seja E(z) a transformada Z da seqüência e(KT), onde T é o 
período de amostragem e K é o número da amostra 
iniciando-se do zero. O valor da amostra no instante K=3 é 
igual a 
 
10754 34541)( −−−− ++−+= zzzzzE 
 
 
a) e(3T)=-2. 
b) e(3T)=-5. 
c) e(3T)=0. 
d) e(3T)=4. 
 
 
 
 
 
 
 
26 – No circuito mostrado através da figura abaixo, o interruptor se 
fecha em t=0s. Se o capacitor possui uma carga q0 
inicialmente, antes de a chave ser fechada, então a 
expressão que melhor representa a potência instantânea p(t) 
no capacitor é igual a 
 
 
a) p(t)= RC
t
RC
t
e
C
q
R
e
R
C
R
q 220
2
0
4
1
24
−−





 −+





+
εεε
 
b) p(t)= RC
t
RC
t
e
C
q
R
e
R
C
R
q 220
2
0
2
1
42
−−





 −−





+
εεε
 
c) p(t)= RC
t
RC
t
e
R
e
R
Cq 22220
2
1 −−





+




 + εεε
 
d) p(t)= RC
t
RC
t
e
R
e
R
Cq 22220
2
1 −−





−




 + εεε
 
 
 
27 – Um circuito é alimentado com V(t)=300 cos (20t + 30º)V e 
solicita uma corrente i(t)=15 sen (20t + 60º)A. Dessa forma, 
a potência média absorvida pelo circuito, é igual a ____watts. 
a) 1.125 
b) 1.508 
c) 3.015 
d) 4.500 
 
 
28 – O circuito de dois ramos, representado pela figura abaixo, é 
alimentado por uma fonte de alimentação senoidal. A 
freqüência f0 da fonte que faz o circuito entrar em 
ressonância, em Hertz, é igual a 
 
a) 
C
LR
C
LR
LC
f
C
L
+
+
=
2
2
0 2
1
π
 
b) 
C
LR
C
LR
LC
f
L
C
−
−
=
2
2
0
1
π
 
c) 
C
LR
C
LR
LC
f
C
L
−
−
=
2
2
0 2
1
π
 
d) 
C
LR
C
LR
LC
f
C
L
+
−
=
2
2
0 2
1
π
 
 
 
 
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ELN 6A 
29 – Sobre a teoria eletromagnética, é INCORRETO afirmar que 
a) o fluxo elétrico que atravessa qualquer superfície fechada 
é igual à carga total envolvida por essa superfície. 
b) o campo potencial V=4x2-y2+z2 satisfaz a equação de 
Laplace. 
c) num meio isotrópico, o vetor densidade de fluxo elétrico 
D é paralelo ao vetor intensidade de tempo elétrico E . 
d) a lei circuital de Ampère estabelece que a integral de 
linha do vetor campo magnético H em qualquer 
percurso fechado é exatamente igual à corrente 
enlaçada pelo percurso. 
 
 
30 – Seja [S] a matriz de uma junção de microondas. É correto 
afirmar que esta junção 
[S] = 










8,0
5,06,0
1,03,05,0
zy
x 
a) pode ser recíproca. 
b) possui 9 acessos. 
c) pode ser casada. 
d) pode ser sem perdas. 
 
 
31 – Um guia de onda retangular possui 2,5 cm de largura e 
recebe uma onda com λ0=3 cm. É correto afirmar que 
a) esta onda não pode passar pelo duto. 
b) o comprimento de onda dentro do duto é de 2,5 cm. 
c) o comprimento de onda dentro do duto é de 3,0 cm. 
d) o comprimento de onda dentro do duto é de 3,75 cm. 
 
 
 
32 – Sobre os dispositivos de microondas, NÃO é correto afirmar 
que 
a) é comum manter pressão de ar, ou gás inerte, dentro 
dos guias de onda, a fim de se diminuir a permissividade 
elétrica no interior desses guias. 
b) os filtros “passa banda” e “rejeita banda”, para 
microondas, podem ser construídos através do uso de 
cavidades ressonantes. 
c) um circulador pode ser construído através do uso de 2 T 
mágicos e um girador. 
d) a grande desvantagem da válvula magnetron é sua 
incapacidade de fornecer altas potências em curta 
duração de tempo, tornando o seu uso quase que 
impraticável em radares. 
 
 
33 – Assinale a alternativa correta: 
a) No período noturno, a radiodifusão por ondas curtas 
sofre degradação devido ao desaparecimento da 
camada da ionosfera. 
b) A radiodifusão comercial de AM não se encontra na 
categoria de propagação por ondas terrestres. 
c) Para uma mesma antena, os diagramas de radiação de 
transmissão e recepção são diferentes. 
d) Em transmissões de microondas, o tipo de propagação 
mais utilizada é o de visada direta. 
 
 
 
 
 
 
34 – Com referência a microprocessadores, considere os itens 
abaixo: 
 
I – Processo feito passo-a-passo para resolver um 
problema. 
II – Assemblador que lida com linguagens de alto nível e as 
transformam em linguagem de máquina. 
III – Posição codificada em uma memória ou registro. 
IV – Parte da máquina onde a informação é armazenada. 
 
A correta definição para os itens acima é: 
a) (I) – Linguagem Assembly; (II) – Operando; (III) – Byte e 
(IV) – ULA. 
b) (I) – Código ASCII; (II) – Hardware; (III) – Periférico e 
(IV) – Rotina. 
c) (I) – Registro; (II) – Controlador; (III) – Palavra e 
(IV) – Terminal. 
d) (I) – Algoritmo; (II) – Compilador; (III) – Endereço e 
(IV) – Memória. 
 
 
 
35 – A figura abaixo representa um 
 
 
a) registrador de deslocamento para y=0. 
b) contador assíncrono para y=1. 
c) contador de Década para y=1. 
d) contador crescente para y=1 e decrescente para y=0. 
 
 
 
36 – A figura abaixo representa a curva característica de um SCR. 
Os pontos A, B, C correspondem, respectivamente, à 
 
 
a) tensão de ruptura inversa, tensão de avalanche direta e 
corrente de manutenção. 
b) tensão de avalanche inversa, tensão de ruptura direta e 
corrente saturação direta. 
c) tensão de ruptura inversa, tensão de saturação direta e 
corrente saturação direta. 
d) tensão Zener, tensão de avalanche inversa e corrente 
saturação inversa. 
 
 
 
 
 
 
 
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ELN 7A 
37 – NÃO é aplicação típica de um circuito PLL (Phase Locked 
Loop): 
a) Demodulador de freqüência. 
b) Sintetizador de freqüência. 
c)Conversor A/D (Analógico Digital). 
d) Decodificador FSK. 
 
 
38 – Aplicando-se o método dos dois wattimetros a um sistema 
trifásico a três condutores, 100 volts, seqüência ABC, tem-se 
PB=200W e PC=200W, correspondentes às medições nas 
linhas B e C. A corrente da linha para a montagem é 
aproximadamente igual a 
Considere: 
3
1
= 0,577 
Dado: 
CB
CB
PP
PPtg
+
−
⋅= 3θ 
a) 2,3 A. 
b) 5,6 A. 
c) 10,2 A. 
d) 15,3 A. 
 
 
 
39 – Para o circuito ressonante, abaixo, determine o fator de 
qualidade Q, sabendo que a banda BW, no ponto de –3dB, é 
5KHz. 
Dados: R=1KΩ L=0,16mH C=0,4µF 
Considere: 16,0
2
1
≅
π
 
a) Q=20. 
b) Q=4. 
c) Q=2,5. 
d) Q=1. 
 
 
 
40 – Sobre os dispositivos de armazenamento digital “memórias”, 
é INCORRETO afirmar que 
a) o tempo de acesso de uma memória é o tempo desde a 
entrada de um endereço nela até o momento em que a 
informação esteja disponível na saída. 
b) quanto ao tipo de armazenamento, as memórias 
classificam-se em estáticas e dinâmicas. 
c) as memórias EEPROM possuem a vantagem de 
poderem ser apagadas mediante banho de luz 
ultravioleta. 
d) as memórias SRAM utilizam, como célula básica de 
memória, o flip-flop. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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CENTRO DE INSTRUÇÃO E ADAPTAÇÃO DA AERONÁUTICA 
CONCURSO DE ADMISSÃO AO 
EAOEAR 2002 
 
GABARITO OFICIAL DA PROVA ESCRITA DE ENGENHARIA CARTOGRÁFICA 
 
 
RESPOSTASQUESTÃO 
VERSÃO "A" VERSÃO "B" VERSÃO "C"
01 D A B 
02 A B C 
03 A B C 
04 D A B 
05 D A B 
06 C D A 
07 D A B 
08 B C D 
09 ANULADA ANULADA ANULADA 
10 A B C 
11 A B C 
12 D A B 
13 A B C 
14 D A B 
15 C D A 
16 A B C 
17 C D A 
18 A B C 
19 C D A 
20 C D A 
21 D A B 
22 C D A 
23 B C D 
 24 C B B 
25 C D A 
26 D A B 
27 B C D 
28 C D A 
29 C D A 
30 B C D 
31 D A B 
32 A B C 
33 C D A 
34 B C D 
35 C D A 
36 D A B 
37 B C D 
38 D A B 
39 C D A 
40 C D A 
 
 
 
 
 
 
 
 
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GABARITO OFICIAL DA PROVA ESCRITA DE ENGENHARIA ELÉTRICA 
 
 
RESPOSTASQUESTÃO 
VERSÃO "A" VERSÃO "B" VERSÃO "C"
01 A C B 
02 D B C 
03 C A D 
04 B D A 
05 D B C 
06 A C B 
07 B D A 
08 C A D 
09 D B C 
10 A A A 
11 B D A 
12 C A D 
13 A C B 
14 B D A 
15 D B C 
16 C A D 
17 A C B 
18 D B C 
19 ANULADA ANULADA ANULADA 
20 C A D 
21 A C B 
22 D B C 
23 B B B 
24 C C C 
25 A C B 
26 D B C 
27 B D A 
28 C A D 
29 A C B 
30 D B C 
31 B D A 
32 C A D 
33 D B C 
34 A C B 
 35 A A B 
36 D B C 
37 C A D 
38 A C B 
39 C A D 
40 ANULADA ANULADA ANULADA 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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GABARITO OFICIAL DA PROVA ESCRITA DE ENGENHARIA ELETRÔNICA 
 
 
RESPOSTASQUESTÃO 
VERSÃO "A" VERSÃO "B" VERSÃO "C"
01 D C A 
02 C D B 
03 D C A 
04 B B B 
05 C D B 
06 D D D 
07 D C A 
08 A A A 
09 A B C 
10 C C C 
11 A B D 
12 C D B 
13 B B B 
14 C D B 
15 D C A 
16 A B D 
17 C C C 
18 B A C 
19 B B B 
20 C D B 
21 A B D 
22 B A C 
23 A B D 
24 B A C 
25 C C C 
26 B B B 
27 A B D 
28 C C C 
29 B B B 
30 D C A 
31 D C A 
32 D C A 
33 D C A 
34 D C A 
35 B A C 
36 A A A 
37 C D B 
38 A B D 
39 B A C 
40 C D B 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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GABARITO OFICIAL DA PROVA ESCRITA DE ENGENHARIA CIVIL 
 
 
RESPOSTASQUESTÃO 
VERSÃO "A" VERSÃO "B" VERSÃO "C"
01 C D A 
02 D C B 
03 A B C 
04 C D A 
05 B A D 
06 C D A 
07 D C B 
08 C D A 
09 D C B 
10 D C B 
11 A B C 
12 A B C 
13 C D A 
14 C D A 
15 B A D 
16 A B C 
17 B A D 
18 A B C 
19 D C B 
20 A B C 
21 B A D 
22 C D A 
23 C D A 
24 D C B 
25 D C B 
26 A B C 
27 B A D 
28 D C B 
29 B A D 
30 B A D 
31 C D A 
32 A B C 
33 B A D 
34 D C B 
35 B A D 
36 D C B 
37 B A D 
38 C D A 
 39 C D A 
 40 A B C 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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GABARITO OFICIAL DA PROVA ESCRITA DE LÍNGUA PORTUGUESA 
 
 
RESPOSTASQUESTÃO 
VERSÃO "A" VERSÃO "B" VERSÃO "C"
01 B C D 
02 B C D 
03 C D A 
04 A B C 
05 A B C 
06 C D A 
07 D A B 
08 B C D 
09 C D A 
10 D A B 
11 C D A 
12 D A B 
13 ANULADA ANULADA ANULADA 
14 A B C 
15 B C D 
16 A B C 
17 B C D 
18 B C D 
19 A B C 
20 B C D 
21 C D A 
22 B C D 
23 C D A 
24 D A B 
25 D A B 
26 B C D 
27 C D A 
28 D A B 
29 A B C 
30 D A B 
31 A B C 
32 C D D 
33 A B C 
34 D A B 
35 B C D 
36 A B C 
37 C D A 
38 A B C 
39 D A B 
40 B C D 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
www.pciconcursos.com.br
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GABARITO OFICIAL DA PROVA ESCRITA DE ENGENHARIA METALÚRGICA 
 
 
RESPOSTASQUESTÃO 
VERSÃO "A" VERSÃO "B" VERSÃO "C"
01 B C D 
02 A B C 
03 D A B 
04 C D A 
05 C D A 
06 A B C 
07 C D A 
08 B C D 
09 B C D 
10 A B C 
11 A B C 
12 B C D 
13 B C D 
14 C D A 
15 B C D 
16 C D A 
17 B C D 
18 A B C 
19 D A B 
20 D A B 
21 C D A 
22 ANULADA ANULADA ANULADA 
23 D A B 
24 B C D 
25 D A B 
26 A B C 
27 D A B 
28 D A B 
29 A B C 
30 A B C 
31 B C D 
32 A B C 
33 D A B 
34 C D A 
35 C D A 
36 B C D 
37 B C D 
38 D A B 
39 A B C 
40 C D A 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
www.pciconcursos.com.br
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GABARITO OFICIAL DA PROVA ESCRITA DE ENGENHARIA DE TELECOMUNICAÇÕES 
 
 
RESPOSTASQUESTÃO 
VERSÃO "A" VERSÃO "B" VERSÃO "C"
01 C D A 
02 A B C 
03 D A B 
04 D A B 
05 B C D 
06 C D A 
07 B C D 
08 C D A 
09 ANULADA ANULADA ANULADA 
10 C D A 
11 A B C 
12 ANULADA ANULADA ANULADA 
13 D A B 
14 B C D 
15 D A B 
16 D A B 
17 A B C 
18 C D A 
19 C D A 
20 D A B 
21 D A B 
22 B C D 
23 C D A 
24 B C D 
25 B C D 
26 C D A 
27 A B C 
28 C D A 
29 B C D 
30 C D A 
31 A B C 
32 ANULADA ANULADA ANULADA 
33 D A B 
34 B C D 
35 C D A 
36 D A B 
37 A B C 
38 C D A 
39 B C D 
40 A B C 
 
 
 
 
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