Francisco Moura Filho - Desenvolvimento de filmes Finos de CaCuTi3O12 modificados com Ze_Nb visando aplicação em memórias resistivas de acesso Aleatório PL

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Universidade Federal de Itajubá
Diretoria de Pesquisa e Pós-graduação 
Campus de Itabira
EDITAL 004/2017
PIBIC Fapemig - 2018/2019
	
	PROJETO REGISTRADO
Desenvolvimento de filmes Finos de CaCuTi3O12 modificados com Nb visando aplicação em memorias resistivas de acesso Aleatório
PLANO DE TRABALHO
Desenvolvimento de filmes Finos de CaCuTi3O12 modificados com Ze/Nb visando aplicação em memórias resistivas de acesso Aleatório.
ORIENTADOR(A): Francisco Moura Filho
	Data Submissão do Plano: Thu Nov 16 2017 17:37:02 GMT-0200 (BRST) 
Emails Institucional e Pessoal: franciscomoura@unifei.edu.br , franciscomoura@unifei.edu.br
INTRODUÇÃO/JUSTIFICATIVA
A crescente demanda por dispositivos eletro-eletrônicos, com alto desempenho tem requerido o desenvolvimento de novos métodos e técnicas para a produção e caracterização de materiais nanoestruturados e de modelos fenomenológicos para descrever suas propriedades. A multifuncionalidade de dispositivos requer materiais que possam integrar propriedades elétricas ao alto interesse tecnológico. Dentro desse contexto, os filmes finos podem ser considerados como os que melhor permitem integrar duas ou mais propriedades físicas de alto interesse tecnológico, além de propiciarem novos desafios para o domínio de processos de síntese de novos materiais.
OBJETIVOS
fixar eletrodos na superfície dos filmes finos texturizados para medidas elétricas visando propriedades elétricas superiores aos reportado na literatura para aplicação em memórias resistiva não volátil.
METODOLOGIA
Para obtenção de filmes finos, CaCu3Ti4O12. dopado com Nb nas concentrações 0,05, 0,10 e 0,15mol% suportado em substrato de platina serão usadas soluções de citratos metálicos com a estequiometria e fases desejáveis preparadas em projeto anterior (2016). As resinas foram preparadassegundooprocedimentoPechini.Serãoestudadasde5a15mol%deNb introduzidos na estrutura do CCTO visando formação de solução sólida substitucional. A viscosidade será mantida entre 10 e 20 cP e será determinada por viscosímetro Brookfield. A técnica “spin-coating” será utilizada para a deposição dos filmes óxidos. O equipamento de “spin-coating” permite um controle rigoroso da ordem ou do alinhamento molecular final dos filmes, produzindo em geral camadas altamente ordenadas. A grande vantagem desta técnica é seu baixo custo e fácil implementação, o que permite controle da espessura de cada camada molecular adsorvida no substrato. O fluido empregado levara em consideração a lei de potência para diversas velocidades angulares do spinner. A espessura e homogeneidade dos filmes serão controladas pelo número de deposição (camadas), viscosidade, velocidade e tempo de rotação do substrato. Os tratamentos térmicos após a síntese serão variados para obter filmes óxidos densos com propriedades elétricas favoráveis à aplicação.
CRONOGRAMA
Atividade A - Pesquisa Bibliográfica Indicativo de Progresso: coletânea de artigos relacionados com a pesquisa proposta obtida por consulta no Chemical Abstract e Ceramic Abstract, Web of Science. 03/2018 a 02/2019
Atividade B -Utilizar os filmes preparado. Indicativo de Progresso: Deposição dos eletrodos de prata ou ouro na superfície e fazer a otimizaçao para indicativo de melhor viabilidade de uso. 03/2018 a 12/2018
Atividade C - Relatórios Indicativo de Progresso: Tratamento de dados e entrega do relatório - Análise dos resultados obtidos. 01/2018 a 02/2018
REFERÊNCIAS
[1] M. Suzuki, J. Ceram. Soc. Jpn., 103 (1995) 1088. [2] Y. S. Shen, B. S. Chiou, C.C. Ho. Thin Solid Films., 517 (2008) 1209. [3]http://www.inovacaotecnologica.com.br/noticias/noticia.php?artigo=reram-memoria-resistiva. Acesso em: 03/09/2013. [4] A. Sawa. Materials Today., 11 (2008) 28. [5] R. Waser, R. Dittmann, M. Wuttig. Solid State Eletronics., 54 (2010) 830. [6] Yu-Shu Shen, Bi-Shiou Chiou, Chia-Cheng Ho. films. Thin Solid Films. 517 (2008) 1209–1213 [7] A. Baikalov, Y.Q. Wang. B. Shen, . Applied Physics Letters 83 (2003) 957. [8 ] J. Wang, J.B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S.B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D.G. Schlom, U.V. Waghmare, N.A. Spaldin, K.M. Rabe, M. Wuttig, R. Ramesh. Science., 299 (2003) 1719. [9] N. Hur, S. Park, P.A. Sharma, S. Guha, S.W. Cheong. Nature, 429 (2004) 392. [10] S.W. Chen, J.M. Wu. Thin Solid Films., 519 (2010) 499. [11] M. M. Kumar, V. R. Palkar, K. Srinvas, S. V. Suryanarayana. Appl. Phys. Lett., 76 (2000) 2764. [12] Y. W.Li, J. 
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