Curso Eletrônica I - CEFET/RJ

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UPEM
Núcleo de Pesquisa em Mecatrônica 
CEFET/RJ campus Nova Iguaçu
Eletrônica I
(GELE0631)
Rene Cruz Freire
rene.freire@cefet-rj.br
Centro Federal de Educação Tecnológica Celso Suckow da Fonseca
Campus Nova Iguaçu
8/2023
Créditos
Este curso utiliza figuras e textos retirados do livro Dispositivos
Eletrônicos e Teoria de Circuitos - 11a edição, dos autores
Robert Boylestad e Louis Nashelsky, editora Pearson.
Sumario
Apresentações
Comunicados
Datas Importantes
Método de Avaliação
Bibliografia
Ementa
Apresentações
▶ Quem sou eu?
▶ Rene Cruz Freire
▶ rene.freire@cefet-rj.br
▶ Formação Acadêmica
▶ Mestrado em Engenharia Elétrica e de Telecomunicações
(PPGEET/UFF), conclúıdo em 2016.
▶ Área: Sistemas de Energia Elétrica, Modelagem e Análise
Computacional de Sistemas de Potência, Metaheuŕısticas.
▶ Bacharelado em Engenharia Elétrica, conclúıdo em 2011
(UFF).
Apresentações
▶ Experiência Profissional
▶ Experiência em projetos de automação de subestações
▶ Emprego de CLP e linguagem LADDER
▶ Desenvolvimento com Java, C, Python
▶ Engenheiro de Software da DOCK
▶ Experiência Acadêmica
▶ CETEP Ipanema (FAETEC)
▶ Ińıcio no CEFET RJ em março/2022
Apresentações
▶ Quem são vocês?
▶ Nome?
▶ Curso?
▶ Peŕıodo?
▶ Fez/faz estágio/iniciação cient́ıfica/monitoria? Trabalha?
▶ O que sabem sobre eletrônica? Alguma experiência?
▶ Expectativas?
Comunicados
▶ Aulas
▶ Segundas e Quartas - 15:20h às 17:20h
▶ Material e Avisos: todas as informações necessárias serão
veiculadas atraves da plataforma Microsoft Teams.
▶ Caso desejem entrar em contato por e-mail, utilizem o
endereço eletrônico rene.freire@cefet-rj.br
▶ Assunto do e-mail deverá conter no ińıcio a tag
[ELETRÔNICA]
Datas Importantes
Data Evento
20/09 Prova 1
27/09 Relatório 1
23/10 Relatório 2
29/11 Prova 2
06/12 Relatório 3
11/12 Reposição
18/12 Prova Final
Método de Avaliação
▶ 2 provas: P1 e P2
▶ 3 relatórios: R1, R2, R3
▶ Média das Provas: MP
▶ Média dos Relatórios: MR
▶ Média Final: MF
MP =
P1 + P2
2
MR =
R1 + R2 + R3
3
MF = (0,7 ∗MP + 0,3 ∗MR)
Método de Avaliação
▶ Repositiva: Substitui a menor nota entre P1 e P2.
▶ Prova Final: Somente para os alunos que já não tenham
sido reprovados por falta.
▶ Aprovação
▶ Média Final >= 7 −→ APROVADO
▶ Se 3 <= Média Final < 7 −→ Prova Final
▶ Média Final + Prova Final >= 10 −→ APROVADO
▶ Reprovação
▶ Média Final < 3
▶ Média Final + Prova Final < 10
▶ 14 faltas (7 dias de aula)
Bibliografia
Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Robert Boylestad
Louis Nashelsky
Pearson
11a Edição, 2011
Ementa - Programa teórico
1. Diodo:
1.1 Noções sobre semicondutores.
1.2 Modelagem matemática de diodo ideal e real.
1.3 Retificadores de meia-onda e onda-completa. Diodos Zener.
1.4 Circuitos com diodos: ceifadores, grampeadores, filtro
capacitivo e aplicações.
2. Transistor Bipolar (BJT):
2.1 Estrutura f́ısica dos transistores e modelo de funcionamento.
2.2 Polarização de transistores BJT.
2.3 Modelos de pequenos sinais.
2.4 Amplificadores de único estágio para pequenos sinais
utilizando BJT.
3. Transistor de Efeito de Campo (FET):
3.1 Estrutura f́ısica e modelo de funcionamento de JFETs,
MOSFETs de depleção e intensificação.
3.2 Polarização de FETs.
3.3 Modelagem de pequenos sinais.
3.4 Amplificadores de único estágio para pequenos sinais
utilizando FET.
Ementa - Programa experimental
1. Introdução aos simuladores computacionais de Circuitos
Eletrônicos (Spice, Multisim ou similar).
2. Montagem e medição de Circuitos com Diodos:
2.1 Retificador de meia-onda e onda completa.
2.2 Grampeadores.
2.3 Estabilizadores a Zener.
3. Montagem e medição de circuitos com Transistores
Bipolares:
3.1 Polarização.
3.2 Ganho e impedâncias de entrada e sáıda em faixa média de
amplificador de pequenos sinais.
4. Montagem e medição de circuitos com JFET:
4.1 Polarização.
4.2 Ganho e impedâncias de entrada e sáıda em faixa média de
amplificador de pequenos sinais.
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	Comunicados
	Datas Importantes
	Método de Avaliação
	Bibliografia
	Ementa