Avaliação Final (Objetiva) - Individual

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GABARITO | Avaliação Final (Objetiva) - Individual
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Prova 94684533
Qtd. de Questões 10
Acertos/Erros 7/3
Nota 7,00
No século XX ocorreu um grande avanço tecnológico, promovido em grande parte pela 
utilização dos materiais semicondutores. Estes possuem uma condutividade elétrica moderada entre 
os materiais condutores (como o alumínio e cobre) e materiais isolantes (como o vidro e plástico). 
Considerando os materiais semicondutores, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as 
falsas:
( ) Possuem dois elétrons na camada de valência, permitindo a formação entre si de ligações 
covalentes.
( ) Os materiais semicondutores utilizados no desenvolvimento de dispositivos eletrônicos são o 
silício e o germânio.
( ) Os materiais semicondutores utilizados no desenvolvimento de dispositivos eletrônicos são o 
selênio e o germânio.
( ) Possuem quatro elétrons na camada de valência, permitindo a formação entre si de ligações 
covalentes.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - V - F.
B V - F - V - F.
C F - V - F - V.
D V - F - F - V.
O lugar geométrico dos pontos da superfície terrestre, que possuem a mesma declinação magnética, 
possuem uma denominação específica.
Sobre essa denominação, assinale a alternativa CORRETA:
A Equador magnético.
B Linha agônica.
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C Linha isógona.
D Linha isóclina.
A resistência de um chuveiro é, na realidade, um resistor construído de tal maneira que aqueça a 
água para o banho. Um chuveiro possui um resistor formado por um fio metálico de nicromo com 0,5 
mm de diâmetro e apresenta uma resistência, medida entre suas extremidades, de 4 ohms. Lembre-se 
de que o filamento é enrolado em formato de espiral para ocupar menos espaço. Sobre o exposto, 
analise as sentenças a seguir:
I- O comprimento deste fio é de 71,4 cm.
II- A resistência elétrica do fio é de 32 cm.
III- A resistência elétrica do fio é de 120,8 cm.
IV- O comprimento deste fio é de 12,44 cm.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças I e II estão corretas.
B As sentenças I e IV estão corretas.
C Somente a sentença I está correta.
D As sentenças III e IV estão corretas.
Os materiais semicondutores são sólidos e cristalinos e têm uma condutividade elétrica de nível 
médio entre os condutores, que são materiais, possuindo resistência elétrica entre os materiais 
condutores e os materiais isolantes. Analise as sentenças a seguir:
I- Um fator que influencia na condutividade é a temperatura.
II- A dopagem eletrônica é a adição de impurezas químicas em um elemento químico semicondutor 
puro. 
III- Elementos químicos usados para dopar metais semicondutores são o silício e o germânio.
IV- O elemento químico silício tem papel pouco significativo na revolução da eletroeletrônica.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças I e IV estão corretas.
B As sentenças II e III estão corretas.
C As sentenças I e II estão corretas.
D As sentenças I, III e IV estão corretas.
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O conhecimento no assunto da eletricidade tem suas grandezas definidas por unidades do 
Sistema Internacional (SI), que é utilizado para a padronização das unidades de medida. Sabendo que 
cada elemento possui a sua unidade, assinale a alternativa CORRETA que apresenta as grandezas de 
carga elétrica, corrente elétrica, tensão elétrica, condutância elétrica e resistência elétrica, 
respectivamente:
A Coulomb, Ampère, Volt, Siemens e Ohm.
B Ohm, Ampère, Volt, Siemens e Coulomb.
C Volt, Ohm, Siemens, Coulomb e Ampère.
D Ampère, Coulomb, Volt, Siemens e Ohm.
Diferentemente dos condutores, os isolantes são materiais que não conduzem bem a corrente elétrica. 
Alguns exemplos de isolantes são: vidro, cerâmica, plástico etc. Em condições normais, esses 
materiais não têm elétrons livres. 
Sobre a movimentação dos elétrons nos condutores, assinale a alternativa CORRETA:
A Nos condutores metálicos, os elétrons da camada de valência estão fracamente ligados ao núcleo
do átomo e podem facilmente ser libertados, tornando-se elétrons livres.
B Nos condutores metálicos, os netritos da camada de valência estão fracamente ligados ao núcleo
do átomo e podem facilmente ser libertados, tornando-se elétrons livres.
C Nos condutores metálicos, os elétrons da camada de valência não estão ligados ao núcleo do
átomo e podem facilmente ser libertados, tornando-se elétrons livres.
D Nos condutores metálicos, os elétrons da camada de soltura estão fracamente ligados ao núcleo
do átomo e podem facilmente ser libertados, tornando-se elétrons livres.
A dopagem de semicondutores teve seu desenvolvimento durante a Segunda Guerra Mundial e 
contribuiu para o grande avanço da eletrônica na segunda metade do século XX. Sobre o processo de 
dopagem eletrônica, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Os elementos químicos mais comuns usados na dopagem eletrônica são o germânio, o ouro e o 
ferro.
( ) A resistividade elétrica dos materiais isolantes e semicondutores cresce com o aumento da 
temperatura.
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( ) A dopagem eletrônica consiste na de impurezas químicas em um elemento químico semicondutor 
puro.
Assinale a alternativa CORRETA:
A F - V - F.
B F - F - V.
C V - F - V.
D F - F - F.
Tiristores são dispositivos semicondutores que operam em regime de chaveamento e podem ser 
classificados quanto ao número de terminais e o sentido de condução da corrente elétrica. Com base 
nestes conceitos, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Possuem uma estrutura de no mínimo quatro camadas semicondutoras em sequência P-N-N-P. 
( ) Permitem por meio de adequada ativação do terminal de controle, o chaveamento do estado de 
bloqueio para estado de condução.
( ) O tiristor SCR permite que a corrente flua pelo dispositivo, entrando pelo terminal de cátodo e 
saindo pelo terminal de ânodo. 
( ) A condição de sentido de corrente dos SCRs é comandada através da aplicação de um pulso de 
corrente ao terminal de porta (gate). 
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - V - F.
B V - V - F - F.
C V - F - F - V.
D F - V - F - V.
Essa é a frequência de um alternador de 12 polos funcionando a uma velocidade de 5000 rpm.
 
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Sobre essa frequência, assinale a alternativa CORRETA:
A 5000 Hz.
B 500 Hz.
C 60000 Hz.
D 416,66 Hz.
Um fluxo magnético de 600 μWb atinge perpendicularmente uma superfície de 0,6 m2. 
 
Sobre a densidade de fluxo B, assinale a alternativa CORRETA:
A 1000 μT.
B 360 μT.
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C 1000 T.
D 360 T.
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