MATERIAIS ELÉTRICOS 3

Prévia do material em texto

1a Questão (Ref.: 201309027281)
	 Fórum de Dúvidas (0)       Saiba  (0)
	
	Em 1949, William O. Shockley, pesquisador da "Bell Telephone Laboratories", publicou no "Bell System Technnical Journal" um artigo estabelecendo a teoria referente ao comportamento de transistores, uma aplicação direta dos semicndutores. Estava claro que o aparecimento destes novos materiais havia desencadeado um imediato avanço na modelagem físico-matemática associada ao assunto, nos oferecendo expressões como a condutividade intrínseca, dada por p | e | b n | e | e..
Com relação a expressão anterior, só NÃO PODEMOS afirmar que:
		
	 
	Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga negativa.
	
	Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos elétrons.
	 
	Condutividade intrínseca depende do campo elétrico criado pelos elétrons.
	
	Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos buracos.
	
	Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga positiva.
	
	
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201309027279)
	 Fórum de Dúvidas (0)       Saiba  (0)
	
	Em 1947, pesquisadores da "Bell Telephone Laboratories" obtiverem em laboratório um dispositivo amplificador a partir da imersão de uma placa de silício em uma solução alcalina. Um mês depois, introduziram na placa de silício, o germânio em quantidades pequenas, como impureza, melhorando ainda mais o desempenho do dispositivo. Estava iniciada a era dos semicondutores extrínsecos. A tecnologia criada nesta época originou materiais constituídos de uma matriz "pura" de um determinado elemento com pequeníssimas quantidades de impurezas de outro elemento, como, por exemplo, uma matriz de Si, que apresenta quatro elétrons em sua última camada, com átomos de P inseridos, os quais possuem valência 5.
Com relação ao material descrito anteriormente, PODEMOS descrevê-lo como:
		
	
	Semicondutor extrínseco tipo-p de fósforo
	
	Semicondutor extrínseco tipo-p de silício
	 
	Semicondutor extrínseco tipo-n de silício
	
	Semicondutor intrínseco de silício
	
	Semicondutor extrínseco tipo-n de fósforo
	
	
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201308460777)
	 Fórum de Dúvidas (0)       Saiba  (0)
	
	A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de fabricação de semicondutores de altíssima pureza e dopados com elementos como o Fósforo e o Boro. Atualmente, percebe-se que o processo de miniaturização de componentes eletrônicos tem seus limites; partes dos semicondutores estão se tornando tão finas que estão perdendo as características previstas em projeto, ou seja, aquilo que deveria apresentar maior resistência elétrica, não está se comportando desta forma. A atual expectativa é que a incipiente nanotecnologia venha a suprir às necessidades de maior miniaturização.
Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que:
		
	 
	A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro.
	
	Semicondutores intrínsecos são aqueles que possuem impurezas.
	 
	O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua mobilidade em um semicondutor extrínseco.
	
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos de Silício
	
	Através do Efeito Hall determina-se que a mobilidade do elétron em um semicondutor submetido a uma diferença de potencial é próxima a velocidade da luz.
	
	
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201308541728)
	 Fórum de Dúvidas (0)       Saiba  (0)
	
	Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que aumenta amplitude de vibração dos mesmos. Quando estabelecemos um campo elétrico através do mesmo, os elétrons livres colidem com a estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional. Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vibração se transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta freqüência e energia quantizada denominada de fônon. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering: An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20). Com relação ao exposto, podemos afirmar que:
		
	 
	Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura.
	 
	Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material isolante sob campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura.
	
	Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero.
	
	Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e isolante quando submetidos a mesma diferença de potencial.
	
	Em um isolante a energia cinética dos elétrons tende ao infinito.
	
	
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201308460774)
	 Fórum de Dúvidas (0)       Saiba  (0)
	
	Do ponto de vista tecnológico,  a fabricação de transistores a partir de semicondutores dopados, foi estrategicamente decisivo para a evolução da eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como o Ouro e o Cobre, devido às precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um pesquisador da Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro metalúrgico, desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que:
		
	 
	A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
	
	Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga negativas ou portadores de carga positivas.
	
	Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores.
	
	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-n ou extrínseco do tipo-p.
	
	A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores.
	
	
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201308460772)
	 Fórum de Dúvidas (0)       Saiba  (0)
	
	A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir a forma  =0+ T+T2 , onde 0 , b e são constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no último caso citado.
		
	
	Círculo.
	
	Reta.
	
	Elipse.
	 
	Hipérbole.
	 
	Parábola.