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Eletrônica e 
Circuitos de 
Potência
Semicondutores de potência
Prof. Lucas Claudino
• Unidade de Ensino: U1
• Competência da Unidade: - Características dos semicondutores de potência
- Transistores de potência
- Tiristores
• Resumo:
• Palavras-chave:
• Título da Teleaula: Semicondutores de Potências
• Teleaula nº: 01
Contextualização
Padlet
https://padlet.com/LucasClaudino/Potencia2019
Fonte: elaborada pelo autor.
Contextualização da aula
Fonte: Shutterstock ID 329274659.
Semicondutores e 
conversores
1 2
3 4
5 6
2
Semicondutores de chaveamento: transistores
Fonte: Nunes, 2018.
Diodos de potência
• Diodo de recuperação lenta 
(padrão);
• Diodo de recuperação rápida;
• Diodo Schottky.
Fonte: Nunes, 2018.
Diodo Schottky
Fonte: https://bit.ly/2Z61F9Y.
Recuperação do diodo
Fonte: https://bit.ly/2MjVLQp
Conversores de potência
• Conversores CC/CC;
• Conversores CA/CC (retificadores);
• Conversores CA/CA;
• Conversores CC/CA (inversores).
Transistores de 
potências
7 8
9 10
11 12
3
TBJ – Transistor Bipolar de Junção
Duas junções PN: BC e BE 
Fonte: Nunes, 2018.
Fonte: Nunes, 2018.
Regiões de operação do TBJ
Fonte: Nunes, 2018.
• TBJ geralmente utilizado em corte e saturação
• Mudança rápida entre estados.
• Deseja-se baixo Vce -> dissipação de potência.
• Limitações do TBJ:
• Baixa velocidade;
• Impacto com temperatura.
• Solução: MOSFET!
MOSFET e IGBT
MOSFET
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
Dispositivo controlado por tensão
Fonte: Nunes, 2018.
13 14
15 16
17 18
4
Regiões de operação do MOSFET
Fonte: Nunes, 2018.
MOSFET
Corte: ��� ��� e ��� > ��� − ���
Linear (tríodo): ��� > ��� e ��� desligamento automático!
• Exemplo: dimmer
Fonte: Nunes, 2018.
Análise da 
operação dos 
semicondutores de 
potência
SP3: Análise de semicondutores de potências
Você: responsável pela análise da planta do projeto
37 38
39 40
41 42
8
SP3: resolução
Fonte: Nunes, 2018.
• Considerações para diodos:
• Tensão reversa: 2x maior que o necessário;
• Saber qual a corrente de pico;
• Saber a queda do diodo (datasheet);
• Calcular a potência dissipada.
• Considerações para transistores:
• Vce / Vcb / Vbe máx;
• Ic máx;
• Ganho de corrente;
• Características de chaveamento;
• Vce saturação -> dissipação de potência.
• Considerações para tiristores:
• Irms para estado ligado;
• Irms de pico;
• Corrente de disparo;
• Corrente de manutenção;
• Tensão de disparo.
Dúvidas?
Curiosidades!
Recapitulando
43 44
45 46
47 48
9
Semicondutores de chaveamento: transistores
Fonte: Nunes, 2018.
Características do SCR
Fonte: Nunes, 2018.
49 50
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