Apostila1_RAM

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Introdução
Os novos e melhorados aplicativos de software domésticos, de negócios e para a Internet continuam a necessitar de níveis mais elevados de desempenho do sistema computacional. Os softwares de edição de fotografia e vídeo, ferramentas de Web Design, reconhecimento de voz , jogos 3D e a Multitarefa (executar simultaneamente diversos aplicativos em um ambiente) criam uma carga adicional sobre a CPU e também sobre a memória, assim evoluímos da proposta inicial de Von Neumman para um sistema composto com diferentes tipos de componentes de memória.
2. Definições Iniciais
BIT (binary digit) – é a menor forma de representação em um computador, admite somente os valores 0 e 1.
BYTE - conjunto ordenado de 8 bits, tratado de forma individual como unidade de armazenamento.
3. Hierarquia da memória
A memória é um conjunto de dispositivos para armazenar toda a informação que é manipulada pela maquina, ou seja, os programas e os dados.
 
4. Parâmetros para análise da memória
Velocidade de Operação – período de tempo gasto entre o instante em que foi iniciado o acesso até que a informação tenha sido transferida.
Tipos de Velocidade de Operação - As três especificações da velocidade de memórias mais freqüentemente utilizadas são o tempo do ciclo de leitura (“read-cycle-time”-tRC); o tempo do ciclo de escrita (“write-cycle time”-tWC e o tempo de acesso (“access time”-tA). Como cada uma destas é uma medida de tempo, quanto menor o número mais rápida é a memória. 
Tempo do ciclo de leitura 
O tempo do ciclo da leitura (tRC) é o tempo total necessário para ler dados de um determinado endereço da memória. Ele é medido a partir do instante em que as entradas corretas do endereço e de CS são aplicadas, até que a memória esteja pronta para a próxima operação de leitura. Em outras palavras é o tempo total necessário entre duas operações de leitura sucessivas . O valor de tR (pode variar desde 1 nano-segundos até 2000 ns para memórias lentas). 
Tempo de acesso 
O tempo de acesso (tA) é, provavelmente, o mais citado quando se comparam memórias. Ele é o tempo a partir do início de um cicio de leitura até o instante em que as saídas de dados da memória ficarem válidas. Isto pode parecer a mesma coisa que o tempo do ciclo de leitura. Em alguns casos, sim, mas, em muitos outros, tA é menor que tRC. Isto porque as saídas de dados poderão estar prontas antes de a memória estar realmente pronta para a próxima operação de leitura. Por exemplo, uma memória poderá ter um tempo de ciclo de leitura de 500 ns e um tempo de acesso de 400 ns. 
Tempo do ciclo de escrita 
O tempo de cicio do escrita (twc) é o tempo total necessário para se escrever uma palavra de dados em uma locação da memória. Twc tem, muitas vezes, o mesmo valor que trc, mas é, algumas vezes, um pouco menor. 
Capacidade – é a quantidade de informação que pode ser armazenada. Como a memória é orientada a byte as capacidade é medida pela quantidade de bytes que podem ser armazenados.
Kilobyte = 1024 bytes = 2 10 Megabyte = 1024 Kbytes = 2 20 
Gigabyte = 1024 Mbytes = 2 30 Terabyte = 1024 Gbytes = 2 40 
Volatilidade – é a capacidade de reter uma informação quando desligada a alimentação elétrica (OFF).
Tecnologia de Fabricação – memórias de semicondutores, meios magnéticos e meios óticos.
As memórias de semicondutores estão disponíveis em dois modos possíveis de operação: estático e dinâmico.
A RAM estática são aquelas que são formadas por registradores com circuitos Flip-Flops. um FF por bit, e os circuitos necessários para decodificar os endereços e selecionar o registrador correto. Estes circuitos podem tornar-se razoavelmente complexos. requerendo até 10 transistores por bit de armazenagem. Isto tende a limitar a RAM estática a uma capacidade de armazenamento de cerca de 16 K bits por pastilha. A vantagem da RAM estática é que a informação armazenada permanecerá válida enquanto a alimentação elétrica estiver sendo aplicada, mais rápida e cara este tipo de RAM é usado para fazer os registradores e a memória cachê. 
As RAMs dinâmicas os 0s e 1s são armazenados como a carga elétrica em minúsculos capacitores. Isto permite muito mais bits de armazenamento por pastilha do que as memórias estáticas. Não são incomuns as pastilhas de memória dinâmica com 64K. A razão pela qual este tipo de memória é chamado dinâmico é porque os capacitores tendem a se descarregar e precisam, por isto, ser periodicamente recarregados para reterem seus dados. Esta recarga periódica é chamada refrescamento (“refreshing”) da memória. O refrescamento é feito passando-se por cada locação da memória a uma taxa de pelo menos uma vez a cada 2 milissegundos (ms). Além do maior número de bits por pastilha (maior capacidade), as RAMs dinâmicas também oferecem um consumo de potência reduzido e baixo custo. Este tipo é usado para fazer a memória principal.
5. REGISTRADORES
São posições privilegiadas de memória que se encontram localizadas dentro do processador, são utilizadas para guardar temporariamente os dados que estão sendo utilizados no processamento da instrução. São pequenas ( 32 a 64 bits ) e muito rápidas.
Os principais registradores da UCP são :
Registrador de Endereço de Memória (REM) – Memory Address Register é um posição de memória na UCP que registra temporariamente o endereço de uma posição da memória principal, ao se iniciar um operação de leitura ou escrita.
Registrador de Dados de Memória (RDM) – Memory Buffer Register é uma posição de memória na UCP que armazena temporariamente a informação que esta sendo transferida entre a MP e UCP. 
6. MEMORIA PRINCIPAL - Organização
Como o valor de um bit tem pouco significado, as memórias são estruturadas e divididas em conjuntos de 8 bits, denominados células, cada uma podendo armazenar uma parte da informação. 
Na verdade os circuitos integrados de memória armazenam a informação binária em grupo de células chamado de palavra. Uma palavra é a unidade básica de informação usada em um computador. A “largura” é o número de bits e atualmente usamos 64 bits. 
Uma dada “pastilha” de memória armazenará um dado número de palavras de tantos bits por palavra. 
O número de registradores de informação é o número de palavras armazenadas na memória. Este diagrama geral representa uma memória que armazena N palavras de M bits cada.
Endereçamento
Cada registrador ou palavra recebe um número, começando de 0 e continuando até onde for necessário. Este número especifica, de forma única, a localização do registrador e da palavra que ele está armazenando, e é chamado de seu endereço. 
O endereço de cada palavra é um número importante porque ele é o meio pelo qual um dispositivo externo à pastilha de memória pode selecionar qual a palavra desta que ele deseja acessar. 
Operações
O conteúdo de cada registrador está sujeito a duas operações possíveis: leitura e escrita. 
A leitura é o processo de obter a palavra armazenada no registrador e enviá-la para algum outro lugar, onde ela poderá ser usada. O conteúdo do registrador não é modificado pela operação de leitura. 
A escrita é o processo de colocar uma nova palavra em um registrador particular. É claro que esta operação de escrita destrói a palavra que estava previamente armazenada no registrador.
Fluxo das operações na RAM
Como vimos o computador utiliza bits 1 e 0 como números binários para armazenar e manipular todas as informações e cada capacitor carregado com a linha de endereçamento representa o bit 1 e um capacitor descarregado representa o bit 0.
Enviando dados para a RAM 
1 - O programa, em conjunto com o sistema operacional, envia uma descarga elétrica através da linha de endereçamento (address line), que é um filamento microscópio de material condutor aplicado no chip da RAM. A descarga identifica onde gravar os dados entre as várias linhas de endereçamento no chip da RAM. 
2 - Na posição de memória do chip da RAMonde os dados podem ser gravados, o pulso elétrico aciona (fecha) um transistor conectado à linha de dados (data line). O transistor é basicamente uma chave elétrica microscópica. 
3 - Enquanto os transistores estão acionados, o programa envia descargas de eletricidade com linhas de dados selecionadas. Cada descarga representa um bit 1 ou 0, na linguagem nativa dos processadores, e a unidade de informação menor que o computador pode manipular. 
4 - Quando o pulso elétrico atinge uma linha de endereçamento (adress line) com transistor ativado, o pulso passa pelo transistor fechado (transistor closed) e abastece um capacitor um dispositivo eletrônico que armazena eletricidade. Este processo se repete continuamente para renovar a carga do capacitor, caso contrário esta ficaria enfraquecida . 
Lendo os dados da RAM 
1 - Quando o programa quer ler os dados armazenados na RAM, outro pulso elétrico é enviado para a linha de endereçamento, uma vez mais são fechados os transistores conectados a ele. 
2 - Em toda linha de endereçamento que houve um capacitor com carga, este será descarregado através do circuito de transistores fechados, por onde passarão os pulsos elétricos com linha de dados (data line). 
3 - O programa reconhece de que linhas de dados estão vindo os pulsos, interpretados cada pulso como 1, e qualquer linha sem pulso como 0. A combinação de 1s e 0s das oito linhas de dados forma um único byte de dados.
As duas operações na memória (READ e WRITE) são realizadas pela UCP, e esta ligação da UCP e MP é feita por registradores o REM e o RDM, que são as portas de entrada da MP.
7. BARRAMENTOS 
Para que as informações fluam entre os registradores ( UCP ) e as células ( MP ) é necessário que existam elementos interligando estes dois componentes.
Barramento de Dados – é o meio físico que interliga o RDM à MP transferindo as instruções ou dados. É um caminho bidirecional podendo as trafegar nos dois sentidos. 
Barramento de Endereços – é o meio físico que interliga o REM à MP transferindo o endereço da célula que será acessada. É um caminho unidirecional, visto que somente a UCP aciona uma posição da MP para decodificação e localização da célula procurada. Possui tantas linhas de transmissão quantos são os bits necessários para representar um valor de endereço.
Barramento de Controle – é o meio físico que interliga a UC ( unidade de controle ) à MP para passagem de sinais de controle durante uma operação de leitura escrita. É um caminho bidirecional podendo as trafegar nos dois sentidos. Da UCP para MP são enviados os sinais de READ e WRITE e no sentido inverso os sinais de WAIT para UCP se manter aguardando o término de uma operação. 
Passos da Operação Leitura:
O REM recebe um endereço de outro registrador.
O endereço é colocado no barramento de endereços
Sinal de Leitura (READ) no barramento de controle
O RDM recebe pelo barramento de dados o conteúdo da MP da palavra no endereço do REM.
Outro registrador recebe o conteúdo do RDM.
Passos da Operação Escrita:
O REM recebe um endereço de outro registrador.
O endereço é colocado no barramento de endereços
O RDM recebe o dado a ser transferido de outro registrador
Sinal de Escrita (WRITE) no barramento de controle
A MP na palavra especificada pelo endereço do REM recebe o dado do RDM.
8. Tipos de Memória Principal
Memórias de leitura-escrita
As memórias em que se pode ler ou escrever são chamadas de memórias de leitura-escrita (“read-write memories”-RWM). O termo “RWM”, porém, é usado raramente, apesar do ser mais preciso do que o termo usual-memória de acesso aleatório (“random-access-memory”-RAM). O termo RAM, na verdade, descreve qualquer memória capaz de ter qualquer de suas locações acessada sem ter que passar por outras locações. Fita magnética, por exemplo, não seria classificada como sendo uma RAM. 
A convenção presente estabeleceu que RAM significaria RWM, e, assim, sempre usaremos o termo RAM para significar um dispositivo de memória que pode ser facilmente lido ou escrito. 
As RAMs são usadas em computadores para o armazenamento temporário de programas e de dados. 
O conteúdo de muitas das locações da RAM irá mudar continuamente medida que o computador executa um programa, isto requer tempos rápidos para os ciclo de leitura e de escrita da RAM, para não reduzir a velocidade do computador. 
Uma grande desvantagem das RAMs semicondutoras é que elas são voláteis, o que significa que, quando a energia elétrica é desligada da pastilha, a RAM perde a informação nela armazenada. 
Memórias de apenas leitura
As memórias de apenas-leitura {”read-only memory”- ROM) englobam os tipos que são projetados, primariamente, para terem seus dados lidos. De fato, durante a operação normal, nenhum dado novo pode ser escrito em uma ROM. Alguns tipos de ROMs podem ser escritos apenas uma vez. Outros podem ser escritos quantas vezes for desejado, mas o processo de escrita não é simples.
Obviamente, as ROMs são utilizadas para armazenar dados que não mudem, mas em compensação todas as ROMs são memórias não voláteis. 
As ROMs podem ser subdivididas em diversos tipos, que diferem no modo como a informação é escrita ou programada nas locações de armazenamento da memória. 
ROM programada por máscara - Este tipo de ROM tem suas locações escritas (programadas) pelo fabricante quando o Cl está sendo fabricado. Um negativo fotográfico chamado máscara é usado para controlar as ligações elétricas na pastilha. Uma máscara especial é necessária para cada conjunto diferente de informações a serem armazenadas na ROM. Como estas mascaras são caras, este tipo de ROM só é econômico se necessitar de uma grande quantidade da mesma ROM. 
ROM programável ( Programmable Read Only Memory ) - Uma PROM é uma ROM que pode ser programada pelo usuário depois de te-la comprado. A PROM mais comum contém fios de níquel-cromo muito finos que atuam como fusíveis. O usuário pode, seletivamente. “queimar” alguns destes fusíveis com correntes aplicadas aos pinos apropriados do Cl e, assim, programar a PROM de acordo com sua tabela da verdade. Uma vez completado este procedimento de programação, porém, o programa não poderá mais ser alterado, de forma que ele deverá estar correto na primeira vez. 
ROM programável-apagável ( Erasable PROM ) – Uma EPROM pode ser programada , apagada e reprogramada quantas vezes se desejar, mas o processo não é fácil. O apagamento envolve a aplicação da luz ultravioleta (10 a 30 m) através de uma janela de quartzo existente na pastilha e apaga a memória inteira, de modo que uma reprogramação completa é necessária.
ROM eletricamente alteráveis - (Electrically EPROMs) As EEPROMs são escritas eletronicamente aplicando-se pulsos de tensões nos pinos apropriados do clips (10 ms). As EEPROMs permitem se necessário o apagamento seletivo de apenas um byte. 
Flash ROM – esta é uma memória ROM que pode ser gravada através de processos eletrônicos especiais, as placas de modernas utilizam este tipo de ROM e possuem os circuitos necessários que permitem sua gravação. Desta forma os usuários podem realizar as atualizações fornecidas pelo fabricante. As Flash ROM só permite o pagamento do bloco , sendo entretanto uma alternativa mais econômica.
Aplicação das Roms
Firmware (Microprogramas) – programas não sujeitos a mudanças , que são utilizados por equipamentos tipo impressora laser, modens, caixas registradoras, placas de vídeo, placas de rede, etc.
Bootstrap (Memória de Partida Fria) – programa que leva o processador a inicializar o sistema.
Entre as memórias ROMs encontradas no computador a mais famosa é aquela existente na placa de CPU, normalmente com 64 a 128Kb. Esta ROM conhecida como BIOS, na verdade armazena também algumas rotinas de teste e o programa CMOS Setup.
Dentro da ROM do micro temos três programas:
BIOS (Basic Input – Outout System) - Sistema básico de entra e saída que ensina o processador a trabalharcom os periféricos mais básicos do sistema, tais como o circuito de apoio, a unidade de disquete e vídeo em modo texto.
POST (Power-Om Self Test) – Auto teste que ao ligarmos o microcomputador:
identifica a configuração instalada
inicializa todos os circuitos periféricos de apoio (clipset) da placa mãe
inicializa o vídeo
testa a memória.
SETUP – Programa de configuração do hardware do micro, que pode ser acessado apertando da tecla DEL durante a execução do Post.
9. ESQUEMA DO ARMAZENAMENTO
O armazenamento de dados ocorre de acordo com a figura abaixo
Evolucao das Memorias
Tipos de Memória SRAM
 ASYNCHRONOUS SRAM – trabalha com freqüência de 33 Mhz e tem um tempo de acesso típico de 20 a 12 ns. 
SYNCHRONUUS BURST SRAM – trabalha com freqüência de 66 Mhz tem um tempo de acesso típico de 12 a 8,5 ns.
PIPELINED BURST SRAM – esse novo tipo consegue trabalhar com barramentos de até 133 Mhz sem a necessidade e wait states e tem um tempo de acesso típico de 8 a 4,5 ns.
CUSTOM SRAM – usada nos processadores Intel Xeon consegue trabalhar na freqüência de operação do processador 400 Mhz para compor detalhadamente a imagem mostrada no monitor.
VIDEO SRAM – usada para compor detalhadamente a imagem mostrada no monitor.
RAM NÃO-VOLATIL (NVRAM) – contem uma matriz de RAM estática e uma matriz EEPROM no mesmo chip.
Tipos de Memória DRAM
Um dos grandes problemas enfrentados pelo processador do micro era o acesso à memória RAM, como o processador é mais rápido do que a memória, ele tem de ficar esperando a memória ficar pronta quando precisa enviar dois dados consecutivos à memória, esta espera afeta muito o desempenho do micro. 
Essa espera - chamada wait state - faz com que o processador seja sub-utilizado, pois em grande parte do tempo ele fica fazendo absolutamente nada, apenas esperando a memória RAM ficar pronta para conversar com ele. Esse problema foi resolvido com o uso do cache de memória, porém às vezes o controlador de cache não é rápido o suficiente para copiar os dados da memória RAM para o cache de memória antes do processador precisar desses dados. Quando isso ocorre, o processador tem de ler os dados diretamente na RAM - que é mais lenta que ele. Esse tipo de acesso diminui o desempenho do micro. Por esse motivo, novas tecnologias de memória RAM foram inventadas, para que o desempenho do micro não seja prejudicado toda a vez que o processador precisar buscar dados diretamente na RAM. Entre essas tecnologias estão a FPM, a EDO, a SDRAM.
A estrutura interna da memória SDRAM é bem diferente da FPM e da EDO. Todas as memórias dinâmicas (tipo de memória usada para compor a RAM) armazenam seus dados internamente em uma matriz de capacitores. As memórias FPM e EDO possuem uma única matriz de capacitores. Já a memória SDRAM possui duas matrizes. Com isso, dois dados podem ser lidos ou armazenados por vez. Essa é a principal diferença da SDRAM para as demais tecnologias e que faz com que ela seja mais rápida. 
MEMÓRIAS FPM (FAST PAGE MODE) 
A primeira melhora significativa na arquitetura das memórias veio com o FPM, ou modo de acesso rápido. A idéia é que, ao ler um arquivo qualquer gravado na memória, os dados estão na maioria das vezes gravados seqüencialmente. Não seria preciso então enviar o endereço RAS e CAS para cada bit a ser lido, mas simplesmente enviar o endereço RAS (linha) uma vez e em seguida enviar vários endereços CAS (coluna). Devido ao novo método de acesso, as memórias FPM conseguem ser cerca de 30% mais rápidas que as memórias regulares, e foram utilizadas em micros 386, 486 e nos primeiros micros Pentium. 
Você encontrará memórias FPM na forma de pentes SIMM de 30 ou 72 vias e com velocidades de acesso de 80, 70 e 60 nanos
Instaladas em uma placa mãe que funcione com BUS de 66 MHz, os intervalos de espera de memórias FPM (Wait States) não podem ser menores do que 5-3-3-3, o que significa que o processador terá de esperar cinco ciclos da placa mãe para a memória efetuar a primeira leitura de dados e somente mais 3 ciclos para cada leitura subsequente. 
MEMÓRIAS EDO (EXTENDED DATA OUTPUT) 
As memórias EDO foram criadas em 1994, e trouxeram mais uma melhoria significativa no modo de acesso a dados. Além de ser mantido o modo de acesso rápido das memórias FPM, foram feitas algumas modificações para permitir mais um pequeno truque, através do qual um acesso à dados pode ser iniciado antes que o anterior termine, permitindo aumentar perceptivelmente a velocidade dos acessos. 
As memórias EDO são encontradas em módulos SIMM de 72 vias, existindo também alguns casos raros de memórias EDO na forma de módulos DIMM.
Instaladas em uma placa mãe que funcione com BUS de 66 MHz, os intervalos de espera de memórias EDO (Wait States) não podem ser menores do que 5-2-2-2, o que significa que o processador terá de esperar cinco ciclos da placa mãe para a memória efetuar a primeira leitura de dados e somente mais 2 ciclos para cada leitura subseqüente, , um ganho de 25%. 
Apesar de já ultrapassado, este tipo de memória ainda é muito usado atualmente, sendo fabricado em velocidades de 70, 60 e 50 nanos. 
Basicamente, apenas as placas para processadores Pentium e algumas placas mãe para 486 com slots PCI (as mais recentes) aceitam trabalhar com memórias EDO. 
MEMÓRIAS BEDO (BURST EXTENDED DATA OUTPUT RAM) 
As memórias BEDO utilizam uma espécie de Pipeline para permitir acessos mais rápidos. Em um BUS de 66 MHz, as memórias BEDO são capazes de funcionar com temporização de 5-1-1-1, quase 30% mais rápido que as memórias EDO. O mais interessante é que o custo de produção das memórias BEDO é praticamente o mesmo das memórias EDO e FPM. O maior impedimento à popularização das memórias BEDO foi a falta de suporte por parte dos chipsets Intel, que suportavam apenas memórias EDO e SDRAM (no caso dos mais modernos). No final, as sucessoras das memórias EDO acabaram sendo as memórias SDRAM, que apesar de um pouco mais caras, oferecem uma performance levemente superior as BEDO e desfrutam de compatibilidade com todos os chipsets modernos. 
MEMÓRIAS SDRAM (SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM) 
Tanto as memórias FPM quanto as EDO são assíncronas, isto significa que elas trabalham em seu próprio ritmo, independentemente dos ciclos da placa mãe. Isso explica por que memórias FPM que foram projetadas para funcionar em placas para processadores 386 ou 486 (que trabalham com BUS de 25 ou 33 MHz), rodam sem problemas em placas para processadores Pentium, que funcionam a 66 MHz. Na verdade, as memórias continuam funcionando na mesma velocidade, o que muda são os tempos de espera que passam a ser mais altos.
As memórias SDRAM por sua vez, são capazes de trabalhar sincronizadas com os ciclos da placa mãe, sem tempos de espera. Isto significa, que a temporização de uma memória SDRAM é sempre de uma leitura por ciclo. Independentemente da velocidade de barramento utilizada, a temporização das memórias SDRAM poderá ser de 5-1-1-1. Observe que apenas a partir do segundo ciclo a memória é capaz de manter um acesso por ciclo, o primeiro acesso continua tão lento quanto em memórias EDO e FMP, consumindo 5 ciclos. Como é preciso que a memória SDRAM a ser usada seja rápida o suficiente para acompanhar a placa mãe, encontramos no mercado versões com tempos de acesso entre 15 e 6 nanos-segundos. 
Justamente o fato de funcionarem sincronizadas com os ciclos da placa mãe torna as memórias SDRAM muito mais rápidas que suas antecessoras. Uma memória SDRAM com tempo de acesso de 12 nanos-segundos consegue ser cerca de 30% mais rápida que uma memória EDO de 60 nanos num BUS de 66 MHz (5 + 1 + 1 + 1 = 8 ciclos por 4 acessos na memória SDRAM contra 5 + 2 + 2 + 2 = 11 ciclos por 4 acessos da memória EDO) e quase 50% mais rápida num BUS de 83 MHz (5 + 1 + 1 + 1 = 8 da memória SDRAM contra 6 + 3 + 3 + 3 = 15 da memória EDO). Caso fosse utilizado um barramento de 100 MHz (neste caso precisaríamos de memórias PC-100), as memórias EDO se mostrariamquase 2,5 vezes mais lentas (5 + 1 + 1 + 1 = 8 contra 7 + 4 + 4 + 4 = 19). Por não trabalharem sincronizadas com o clock da placa mãe, as memórias FPM e EDO poderiam trabalhar com qualquer velocidade de barramento, 100, 133, 200 MHz, ou até mais, desde que os tempos de espera fossem setados corretamente. Porém, quanto mais alta a velocidade, maiores teriam que ser os tempos de espera e pior seria o desempenho das memórias. Por isso, não se costuma utilizar memórias EDO ou FPM em velocidades de barramento superiores a 75 MHz, apenas memórias SDRAM. 
SDRAM II (DDR) 
SDRAM II, Double Data Rate - Taxa de Dados Dupla é a nova geração da SDRAM. A DDR usa novos circuitos de sincronização, mais avançados, que aumentam ainda mais a sua velocidade. DDR basicamente é duas vezes mais rápida que a SDRAM, sem aumentar a velocidade nominal em MHz, que se mantém em 66 ou 100MHz. 
SLDRAM (SyncLink) 
É um consórcio de fabricantes de DRAM que pode ser o competidor mais próximo da memória Rambus®. Está sendo desenvolvida por 12 fabricantes de DRAM e de computadores. SLDRAM é uma extensão da linha SDRAM que estende o número de bancos existentes de 4 para 16. Além disto, utiliza novas interfaces e lógica de controle, e terá de 50 a 60 pinos. 
RDRAM® (Rambus DRAM) 
É um novo design que envolve todo o sistema, chip a chip, utilizando um bus simplificado em alta freqüência. Entenda RDRAM como um desenho integrado, em nível de sistema, e não um desenho em nível de chip como as memórias convencionais. Foi utilizada a princípio em estações gráficas em 1995, e trabalha com uma lógica de sinal de 600 MHz. Está atualmente em produção, e é utilizada por exemplo no jogo Nintendo 64®, placas de som Creative Labs® e em alguns sistemas da Gateway® e da Micron®. 
	 PRIVATE�
	SDRAM
	DDR SRAM
	SLDRAM
	RDRAM
	RDRAM Concomitante
	RDRAM Direta
	Velocidade
	125MB/Seg
	200Mb/Seg
	400Mb/Seg
	600Mb/Seg
	600Mb/Seg
	1.6Gb/Seg
	MHz
	125
	200
	400
	600
	600
	800
MEMÓRIAS PC-100 (MEMÓRIAS DE 100 MHZ) 
O Padrão PC-100 consiste numa série de especificações que visam a fabricação de memórias capazes de funcionar estavelmente com velocidade de barramento de 100 MHz. Apesar de inicialmente os fabricantes terem encontrado dificuldades para produzir as memórias PC-100, com a proliferação dos processadores que rodam com BUS de 100 MHz, como as versões de 350, 400 e 450 MHz do Pentium II e os K6-2 de 300, 350, 400 e 450 MHz, essas memórias vêm se tornando populares. Encontramos à venda atualmente, memórias PC-100 com tempos de acesso de 10 nanos.
MEMÓRIAS PC-133 (MEMÓRIAS DE 100 MHZ)
O limite teórico da memória SDRAM é de 125 Mhz, entretanto com o avanço tecnológico foi possível desenvolver o padrão PC-133 que consiste numa série de especificações que visam a fabricação de memórias capazes de funcionar estavelmente com velocidade de barramento de 133 MHz. Encontramos à venda atualmente, memórias PC-133 com tempos de acesso menores que 7 nanos.
MÓDULOS E NÚMERO DE VIAS
Quando dizemos “tecnologia de memória RAM”, estamos nos referindo à tecnologia de construção dos circuitos de memória. Esses circuitos são vendidos soldados em pequenos módulos de memória. Atualmente existem dois módulos de memória no mercado: SIMM e DIMM. 
Módulo SIPP (Single In Line Pin Package) - foi o primeiro tipo de módulo e sua aparência se assemelha a um pente. Eram de 256 KB , 1 Mb e 4 Mb e eram 8 bits.
Módulo SIMM – 30 (Single In Line Memory Module – 30 terminais) – mudança do tipo de encaixe ao slots da placa. Eram de 256 KB , 1 Mb e 4 Mb e eram 8 bits.
Módulo SIMM-72 (Single In Line Memory Module – 72 terminais) possui 72 terminais e é um módulo de 32 bits. Os circuitos desse tipo de memória podem ser FPM ou EDO. Como é um módulo de 32 bits, devemos instalá-lo de dois em dois em micros a partir do Pentium, pois todos os novos processadores acessam a memória a 64 bits por vez. Isto quer dizer que, se você quiser instalar mais 32 MB de memória EDO em seu micro, precisará comprar dois módulos EDO de 16 MB cada. 
Módulo DIMM (Doublé In 
Line Memory Module ) - possui 168 terminais e é um módulo de 64 bits. Atualmente os circuitos desse tipo de memória são SDRAM. Como é um módulo de 64 bits basta apenas um único módulo instalado no micro. 
Módulo RIMM (Rambus In Line Memory Module ) - possui 168 terminais e é um módulo de 64 bits. Atualmente os circuitos desse tipo de memória são RDRAM. Como é um módulo de 64 bits basta apenas um único módulo instalado no micro.
DE QUANTA MEMÓRIA RAM VOCÊ REALMENTE PRECISA? 
No passado os computadores vinham com uma determinada quantidade de memória e os desenvolvedores de softwares se mantinham dentro destes limites. Mas hoje os novos aplicativos ultrapassam os limites da memória básica. A verdade é que cada usuário tem suas próprias necessidades. As pessoas usam seus computadores de maneiras diferentes para cumprir tarefas diferentes. Algumas pessoas precisam tirar o máximo de seus sistemas. Outras nem tanto.
Para eliminar a adivinhação ao determinar a quantidade ideal de memória para seu sistema operacional foi identificada a quantidade básica de memória para cada um dos mais importantes sistemas operacionais e uma dúzia dos aplicativos mais usados, verifique as recomendações de hardware mínimo dos fabricantes dos softwares. Realizar o upgrade a partir desta memória básica é o melhor meio de se começar. Porém, se você utiliza vários aplicativos ao mesmo tempo, em rede ou em ambientes de internet, considere seu upgrade já acima da memória recomendada
Os periféricos conectados ao seu computador também interferem na quantidade de memória que você precisa. Monitores grandes, por exemplo, aumentam a necessidade de memória ao reproduzir imagens complexas. CD-ROM, scanners e placas aceleradoras são todos sinais de que o uso intensivo de memória será necessário.
Cálculos com a capacidade de memória
Capacidade Total de Memória - como vimos a memória é organizadas em N células (ou palavras) de M bits cada, assim sendo a capacidade total T é igual ao produto de N por M.
T = N x M
Valor que podemos armazenar em cada célula – uma célula é capaz de armazenar valores entre 0 e 2M – 1.
Valor = 2M – 1
Tamanho de Endereços - O nº de endereços é igual ao nº de células , se a MP tem N células ela terá N endereços ( um para cada célula), o tamanho de cada endereço é o número de bits necessários para guardar este valor.
N = 2E , onde E é igual a quantidade de bits necessária.
Conceitos estudados :
Tamanho do RDM = barramento de dados
Tamanho do REM = barramento de endereços
RDM = PALAVRA
REM = E 
Exercícios:
Uma memória RAM tem um espaço máximo de endereçamento de 2K. Cada célula pode armazenar 16 bits. Qual o valor total de bits que podem ser armazenados nesta memória e qual o tamanho de cada endereço ?
Uma memória RAM pode armazenar um valor total de 256Kbits. Cada célula pode armazenar 8 bits. Qual o tamanho máximo de cada endereço e qual o total de células que podem ser utilizadas?
Um computador com RAM de capacidade máxima de 2k palavras de 16 bits cada, possue um REM e um RDM. Qual o tamanho dos registradores; Qual o valor do maior endereço desta MP e qual a quantidade total de bits que nela podem ser armazenadas ?