Buscar

Lista De Exercicios Memoria Interna Arquitetura de Computadores

Faça como milhares de estudantes: teste grátis o Passei Direto

Esse e outros conteúdos desbloqueados

16 milhões de materiais de várias disciplinas

Impressão de materiais

Agora você pode testar o

Passei Direto grátis

Você também pode ser Premium ajudando estudantes

Faça como milhares de estudantes: teste grátis o Passei Direto

Esse e outros conteúdos desbloqueados

16 milhões de materiais de várias disciplinas

Impressão de materiais

Agora você pode testar o

Passei Direto grátis

Você também pode ser Premium ajudando estudantes

Faça como milhares de estudantes: teste grátis o Passei Direto

Esse e outros conteúdos desbloqueados

16 milhões de materiais de várias disciplinas

Impressão de materiais

Agora você pode testar o

Passei Direto grátis

Você também pode ser Premium ajudando estudantes
Você viu 3, do total de 3 páginas

Prévia do material em texto

Perguntas de revisão 
5.1 Quais são as principais propriedades da memória semicondutora? 
 apresentam dois estados estáveis (ou semiestáveis), que podem ser usados para 
representar o binário 1 e 0; 
 são capazes de ser escritas (pelo menos uma vez), para definir o estado; e 
 são capazes de ser lidas, para verificar o estado. 
5.2 Quais são os dois sentidos em que o termo memória de acesso aleatório é 
usado? 
Um sentido é que o termo Memória de Acesso Aleatório é usado para 
caracterizar a memória semicondutora RAM (Random Access Memory), outro 
sentido é que existem outas memórias como ROM, PROM, EPROM, EEPROM 
e Memória Flash que o acesso a elas é aleatório, ou seja, palavras individuais da 
memória são acessadas diretamente por meio da lógica de endereçamento 
interna. Logo todas essas memórias são Memória de Acesso Aleatório. 
5.3 Qual é a diferença entre DRAM e SRAM em termos de aplicação? 
A DRAM é usada para a memória principal, e a SRAM é usada para a memória 
cache. 
5.4 Qual é a diferença entre DRAM e SRAM em termos das características como 
velocidade, tamanho e custo? 
Velocidade: As SRAM geralmente são um pouco mais rápidas que as DRAM. 
Tamanho: Uma célula de memória dinâmica (DRAM) é mais simples e menor que 
uma célula de memória estática (SRAM). 
Custo: A DRAM é mais densa (células menores = mais células por unidade de 
área) e mais barata que uma SRAM correspondente. Por outro lado, uma DRAM 
requer o suporte de um circuito de refresh. Para memórias maiores, o custo fixo 
do circuito de refresh é mais do que compensado pelo menor custo variável das 
células de DRAM. 
5.5 Explique por que um tipo de RAM é considerado como analógico e o outro 
digital. 
A RAM Dinâmica (DRAM) é considera analógica pelo fato de armazenar dados 
como cargas em capacitores, onde a presença ou ausência de carga em um 
capacitor é interpretada como um binário 1 ou 0 (bits), porém esses capacitores se 
descarregam com o tempo gradativamente, e exigem uma recarga periódica 
("refresh" de memória) para manter o dado armazenado. Já a RAM Estática 
(SRAM) é considerada digital, pois os valores binários são armazenados por meio 
de configurações das portas lógicas de um flip-flop tradicional, ela manterá seus 
dados enquanto houver energia fornecida a ela. 
5.6 Quais são algumas aplicações para a ROM? 
Uma aplicação importante das ROM é a microprogramação. 
Outras aplicações em potencial incluem: 
 bibliotecas de funções de uso frequente; 
 programas do sistema; 
 tabelas de função. 
5.7 Quais são as diferenças entre EPROM, EEPROM e memória flash? 
A memória somente de leitura programável e apagável (EPROM) é lida e escrita 
eletricamente. Porém, antes de uma operação de escrita, todas as células de 
armazenamento precisam ser apagadas para retornar ao mesmo estado inicial, pela 
exposição do chip empacotado à radiação ultravioleta. Cada apagamento pode 
levar até 20 minutos para ser realizado. 
A memória somente de leitura programável e apagável eletricamente (EEPROM) 
é uma memória principalmente de leitura que pode ser escrita a qualquer 
momento sem apagar o conteúdo anterior; somente o byte ou os bytes 
endereçados são atualizados. A operação de escrita leva muito mais tempo do que 
a operação de leitura, na ordem de muitas centenas de microssegundos por byte. 
A memória flash (que tem esse nome devido à velocidade com que pode ser 
reprogramada) é intermediária entre a EPROM e a EEPROM tanto no custo 
quanto na funcionalidade. Assim como a EEPROM, a memória flash usa uma 
tecnologia elétrica de apagamento. Uma memória flash inteira pode ser apagada 
em um ou alguns segundos, o que é muito mais rápido que a EPROM. Além 
disso, é possível apagar apenas blocos de memória, ao invés de um chip inteiro. 
Porém, a memória flash não oferece apagamento em nível de byte. 
5.8 Explique a função de cada pino na Figura 5.4b. 
Pinos A0-A10: pinos de linhas de endereço; 
Pinos D1-D4: pinos de linhas de dados de entrada/saída; 
Pinos WE e OE: indicam se a operação é de escrita ou leitura; 
Pino RAS: sinais de seleção de endereço de linha, permitindo a temporização do 
chip; 
Pino CAS: sinais de seleção de endereço de coluna, permitindo a temporização do 
chip; 
Pinos Vcc: fonte de alimentação para o chip; 
Pinos Vss: pino de terra; 
Pino NC: pino de nenhuma conexão que é fornecido para que haja um número par 
de pinos. 
5.9 O que é bit de paridade? 
Bit de paridade é usado para detectar erro no envio/submissão da mensagem 
(geralmente caracteres). Para evitar erros na transmissão é adicionado um bit de 
paridade a mensagem, um bit a mais que segue duas regras simples: 
 Se o número de bits "1" da mensagem for impar adiciona-se um "1" no 
final da mensagem; 
 Se o número de bits "1" da mensagem for par é adicionado um "0" no final 
da mensagem; 
Assim se existir um número impar de bits "1" na mensagem, e o bit de paridade 
for "0" o computador saberá que ocorreu um erro na transmissão. 
5.10 Como é interpretada a palavra síndrome para o código de hamming? 
A palavra síndrome (conjunto de sintomas) do código de hamming é utilizada 
para descobrir se existe algum erro de leitura de uma palavra armazenada na 
memória, identifica o bit com erro. 
5.11 Como a SDRAM difere de uma DRAM comum? 
Uma das formas mais utilizadas de DRAM é a DRAM síncrona (SDRAM). 
Diferente da DRAM tradicional, que é assíncrona, a SDRAM troca dados com o 
processador sincronizado com um sinal de clock externo e executando na 
velocidade plena do barramento do processador/memória, sem imposição de 
estados de espera.

Continue navegando