Materiais elétricos

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Materiais elétricos
	 1a Questão (Ref.: 201401316450)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
		
	 
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
	
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201401235508)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Um aluno do curso de Engenharia, conhecedor das propriedades elétricas dos materiais, recebeu a tarefa de aumentar a resistência de uma bobina elétrica, que deve passar de 20 ohms para 30 ohms. Considerando-se que não haverá variação na área da seção reta do material e que o comprimento inicial do fio que compõe a bobina é de 5m, pode-se dizer que:
		
	 
	O novo comprimento deverá ser de 7,5m.
	
	O valor de resistência requerido só poderá ser obtido aumenta-se em 33,3% o diâmetro do fio que compõe a bobina.
	
	O novo comprimento poderá estar entre 3,3m e 7,5m.
	
	O novo comprimento deverá ser de 3,3m.
	
	Não é possível alterar o valor da resistência através da variação do comprimento do fio.
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201401316474)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados porém diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção CORRETA.
		
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	 
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser considerada infinita.
	
	Podemos estimar a resistência elétrica de um material conhecendo-se sua resistividade elétrica e a massa que o compõe.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende ao infinito.
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201401316429)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	A grande maioria dos metais são materiais cristalinos, ou seja, possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu volume. Quando submetemos este tipo de material a um campo elétrico, os elétrons livres iniciam movimento orientado pela força elétrica que os compele. Baseado nestas informações, como denomina-se a velocidade desenvolvida essas partículas.
		
	
	Velocidade elétrica.
	
	Velocidade quântica.
	
	Velocidade hiperstática.
	 
	velocidade de deslocamento.
	
	Velocidade de arraste.
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201401235550)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica.
Com relação aos semicondutores, podemos afirmar:
		
	
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente nas junções P-N.
	
	A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro.
	 
	A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil execução denominadas dopagem.
	
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores extrínsecos.
	
	Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em um processo de condução de carga no interior de um condutor tipo-p.
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201401235545)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
		
	 
	Reta.
	
	Hipérbole.
	
	Elipse.
	
	Círculo.
	
	Parábola.
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201401235591)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n.
 (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
		
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201401235572)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	O tipo de carga predominante e a concentração das mesmas em um semicondutor (elétrons ou buracos) pode ser determinada através de um experimento chamado Efeito Hall. Deste experimento, obtém-se a constante de Hall, RH, que, por sua vez, está relacionada a n, quantidade de elétrons por m3 do semicondutor, por  n=(RH I e I)-1, onde  l e l =1,6.10 -19C.
Considerando-se um corpo de prova feito de Alumínio, com RH=-3,16 . 10 -11, determine a quantidade aproximada de portadores de carga (em módulo) por m3.
		
	
	1,5 . 1025
	
	20 . 1015
	
	1,5 . 1026
	 
	2,0 1029.
	 
	20 . 1030
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201401173628)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	
	1,2 V
	
	120 mV
	 
	64 mV
	
	640 mV
	 
	6,4 V
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201401235594)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	A resistividade de um material expressa a resistência que este apresenta a passagem de correta elétrica. Apesar de estar relacionada a resistência elétrica R através da expressão =R.A/l, é uma constante do material e não varia com A (área da seção reta do condutor no formato cilíndrico) e nem l (comprimento do condutor), ou seja, quando aumentamos o comprimento, a resistência aumenta e quando aumentamos a área da seção reta, a resistência diminui, mantendo, desta forma, a resistividade constante. A resistividade varia, no entanto, com a temperatura do condutor. Considerando o exposto, marque a opção correta.
		
	 
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende à zero.
	 
	A resistividade elétrica de um material isolante é a mesma na terra, a 30oC,ou no Pólo Norte, a -30oC, pois é uma constante e depende apenas da naturezado mesmo.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade tende à zero.
	
	Com relação a facilidade do transporte de carga elétrica, os materiais são classificados em condutores, semicondutores ou isolantes, ou seja, todos possuem uma maior ou menor facilidade resistência a passagem de corrente elétrica. Esta propriedade é denominada resistência elétrica e é designada por R.
Considerando um condutor cilíndrico com uma diferença de potencial aplicada em sua extremidade, pode-se enunciar que a resistência elétrica varia com o comprimento e com a área do objeto em questão. Considerando as idéias enunciadas anteriormente, assinale a opção que contém a expressão correta comumente utilizada no cálculo de parâmetros e variáveis elétricas de um material.
		
	
	P=U.i3
	
	F=m.a.l
	
	V=R i.A/l
	 
	R=V/i
	
	V=N.i.E.l
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201302014017)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	O Silício é o elemento chave na indústria voltada a microeletrônica. Em substratos de Silício são montados microcircuitos com uma infinidade de componentes, observáveis as vezes somente em microscópios eletrônicos. Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa somente conceitos corretos.
		
	
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema.
	
	Os semicondutores do tipo-n são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de maior valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Boro (B+3) na matriz de Silício (Si+4).
	
	 
 Os semicondutores do tipo-p são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de menor valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Fósforo (P+5) na matriz de Silício (Si+4).
	
	A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem.
 
	 
	Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas; já os semicondutores extrínsecos são aqueles que apresentam impurezas.
 
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201302013992)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Alunos do curso de Engenharia da UNESA realizaram um experimento básico representado na figura a seguir.
 
  
  
Entre os pontos A e B estabeleceram diversas diferenças de potencial, V, no condutor ôhmico designado por R, obtendo os valores de corrente, i, expressos na tabela a seguir.
 
	i (Ampère)
	2,60
	2,10
	2,00
	6,30
	V (volt)
	5,00
	4,30
	4,20
	12,60
 
Baseado nas informações anteriores, podemos concluir que a resistência do resistor ôhmico é melhor quantificada por.
 
 
		
	
	0,75 ohms
	 
	2,5 ohms
	
	1,6 ohms
	 
	2,0 ohms
	
	0,5 ohms
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201302014009)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
		
	
	 
B+3
 
	
	Al+3
 
	
	Ba+2
	 
	As+5
 
	
	O-2
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201302014029)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Semicondutores modernos são constituídos de substratos de Silício nos quais são inseridos elementos com valências diferentes do próprio Silício, criando-se as variações conhecidas como semicondutores do tipo-p e semicondutores do tipo-n. A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh fornece a condutividade em função da carga do elétron (1,6 x 10 -19 C), onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3) e de µe e µh , que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), respectivamente. Considerando- se um semicondutor extrínseco de Silício, no qual a concentração de portadores de cargas positivas é muito maior que a concentração de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a expressão anterior para:
		
	
	σ = N ІeІ µh.
	
	A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de alterar-se gravemente a precisão da condutividade.
	 
	σ = P ІeІ µh.
	
	σ = N ІeІ (µe + µh).
	
	σ = 2 P ІeІ µh
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201302014040)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de fabricação de semicondutores de altíssima pureza e dopados com elementos como o Fósforo e o Boro. Atualmente, percebe-se que o processo de miniaturização de componentes eletrônicos tem seus limites; partes dos semicondutores estão se tornando tão finas que estão perdendo as características previstas em projeto, ou seja, aquilo que deveria apresentar maior resistência elétrica, não está se comportando desta forma. A atual expectativa é que a incipiente nanotecnologia venha a suprir às necessidades de maior miniaturização.
Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que:
		
	
	Semicondutores intrínsecos são aqueles que possuem impurezas.
	 
	O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua mobilidade em um semicondutor extrínseco.
	
	Através do Efeito Hall determina-se que a mobilidade do elétron em um semicondutor submetido a uma diferença de potencial é próxima a velocidade da luz.
	
	A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro.
	 
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos de Silício
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201302095002)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz de Silício, cuja valência é 4, Si+4, promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste processo.
		
	
	O-2
	
	Na+
	 
	Ge+5
	 
	P+5
	
	Be+2
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201302014082)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica um fenômeno físico que pode fornecer esta informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
		
	
	Efeito Fischer.
	
	Lei de Ohm.
	
	Efeito Tcherenkov.
	 
	Efeito Hall.
	
	Efeito Joule.
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201302014110)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	Capacitor é um sistema composto por dois condutores (chamados de armaduras ou de dielétrica) separados por um dielétrico (isolante). Considera-se, de forma simplificada, que a carga deste sistema quando submetido a uma diferença de potencial é a carga em módulo de uma das placas, ou seja, se uma placa tem carga +Q e a outra possui carga ¿Q, dizemos que o capacitor tem carga Q.
 
Considerando o exposto, indique a opção correta.
 
		
	 
	A borracha, o cerâmico genérico e o aço inoxidável sãoelementos tipicamente encontrados como dielétricos.
	
	A condutividade elétrica de um dielétrico deve ser alta, uma vez que deve haver condução de carga em seu interior.
	 
	Em um sistema constituído de uma pessoa (o corpo é um condutor) sobre uma prancha de madeira que se encontra sobre um terreno (condutor), podemos dizer que se poderia formar um capacitor onde a pessoa e a terra seriam as armaduras do capacitor e a prancha seria o dielétrico.
	
	A resistividade de um material dielétrico é da mesma ordem de grandeza que a resistividade de um material condutor.
	
	Um sistema constituído por duas placas condutoras paralelas submetidas a uma diferença de potencial e com vácuo entre elas não pode ser considerado um capacitor.
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201302014115)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material dielétrico, como mostrado na figura a seguir. Considerando-se que  a capacitância, C, de um capacitor é a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V, assinale a opçãocorreta que fornece a capacitância do capacitor mostrado na figura.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
		
	
	C=Q´/V.
	 
	Q0 = C. V
	 
	C=(Q0 + Q´) / V
	
	C=Q0 / V
	
	0.
	Para dimensionar um circuito elétrico é conveniente considerarmos a resistividade e a resistência elétrica. Diferencie conceitualmente a resistividade elétrica de resistência elétrica.
		
	
Resposta: Resistividade é a capacidade de um material impedir o fluxo de elétrons e resistência é a propriadade calculada para diminuir o fluxo de elétrons.
	
Gabarito: Resistência revela a capacidade do material de resistir a passagem de corrente elétrica, depende do comprimento e da área do condutor.
	
Fundamentação do(a) Professor(a): Resposta incorreta.
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201308209646)
	Pontos: 0,0  / 1,5
	     O tamanho dos componentes eletrônicos vem diminuindo de forma impressionante. Hoje podemos imaginar componentes formados por apenas alguns átomos. Seria esta a última fronteira? A imagem a seguir mostra dois pedaços microscópicos de ouro (manchas escuras) conectados por um fio formado somente por três átomos de ouro.
Esta imagem, obtida recentemente em um microscópio eletrônico por pesquisadores do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron, localizado em Campinas, demonstra que é possível atingir essa fronteira. Calcule a resistência R desse fio microscópico, considerando-o como um cilindro com três diâmetros atômicos de comprimento. Lembre-se que, em Eletricidade Tradicional, a resistência de um cilindro é dada por R = ρ(L/A) onde ρ é a resistividade, L é o comprimento do cilindro e A é a área da sua secção transversal. Considere a resistividade do ouro ρ =1,6×10-8Ωm, o raio de um átomo de ouro 2,0×10-10m e aproxime π para 3,2.
		
	
Resposta: R = (1,6 x 10^-8) x {3 x [3,2 x (2,0 x 10^-1)^2]} R = (1,6 x 10^-8) x (384 x 10^-21) R = 6,144 x 10^-27 ohm
	
Gabarito: 150 Ω
	
Fundamentação do(a) Professor(a): Resposta incorreta.
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201308240692)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Determine a resistência de um condutor de cobre com seção reta circular, 32 metros de comprimento e raio de 1,2 mm. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	 
	0,12 Ω
	
	12,0 Ω
	
	34 Ω
	 
	3,4 Ω
	
	120 Ω
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201308302585)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
		
	
	O-2
	
	Al+3
 
	
	Ba+2
	 
	 
B+3
 
	 
	As+5
 
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201308228921)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm?
		
	
	 Resistividade
	
	Condutância
	 
	Resistência
	
	Indutância
	
	Condutividade
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201308302654)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
		
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201308240693)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	
	640 mV
	
	6,4 V
	 
	1,2 V
	 
	64 mV
	
	120 mV
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201308738267)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	As aplicações de telecomunicações, equipamentos médicos e controle, instrumentação e sensoriamento de grandezas físicas são críticas e exigem resistores de alta precisão. A escolha de um resistor de precisão para uma aplicação não envolve apenas a observação de sua tolerância. Pode-se afirmar que vários fatores podem influenciar o valor de um resistor de precisão. Considerando os itens abaixo, assinale a opção com fator INCORRETO:
		
	 
	indutância
	
	alta frequência da corrente
	 
	umidade ambiente
	
	temperatura ambiente
	
	impurezas do ambiente
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201308302718)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Considerando um capacitor de placas paralelas com as seguintes características:
Área = 8.10-4 mm2, l = 3.10-3 m, r=5 (constante dielétrica do meio) e 0= 9.10-12 F/m, como mostra a figura a seguir, pode-se afirmar que o deslocamento dielétrico dado por D= (V/L) é igual a:
 
		
	
	16,8 . 10-8 C/m2
	
	4,8 . 10-8 C/m2
	
	0,08 . 10 8 C/m2
	
	132,8 . 10-14 C/m2
	 
	25,0 . 10-8 C/m2
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201308302990)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A utilização de fibras óticas na transmissão de dados apresenta diversas vantagens, como por exemplo, o menor peso em relação ao material metálico que normalmente era utilizado, o Cobre.
O gráfico a seguir contém informações quanto às bandas de freqüência utilizadas.
 
Podemos afirmar que:
		
	 
	Na frequência média de 0,85 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8.
	
	Na frequência média de 1,55 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8.
	
	Na frequência média de 1,3 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8.
	
	Na frequência média de 0,85 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,3.
	Defina um condutorelétrico ôhmico em termos da variação entre a diferença de potencial aplicada ao mesmo e a corrente resultante.
		
	
Resposta: Resistor ôhmico, obedece a lei de ôhm. Logo o mesmo pode ser calculado pela lei de ôhm V=RxI. Logo, podemos calcular qualquer resistor ohmico com a seguinte formula: R=V/I. onde V é a diferença de potencial em volts e I é a corrente elétrica em ampere. Tendo o valor da tensão aplica e a corrente que passa pelo resistor, podemos defini-lo facilmente.
	
Gabarito:
Diz-se que um condutor é Ôhmico se a variação da diferença de potencial a ele aplicada e a corrente gerada estão relacionadas linearmente, ou seja, V=R.i, onde V é diferença de potencial, i é corrente e R é uma constante denominada resistência elétrica do material, considerando a temperatura do experimento constante.
	
Fundamentação do(a) Professor(a): Resposta aceita.
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201307404686)
	Pontos: 1,5  / 1,5
	Explique sucintamente o que é diamagnetismo.
		
	
Resposta: Diamagnetismo é uma forma muito fraca de magnetismo que persiste somente num campo magnetico externo, H. Os dipolos magnéticos são contrarios ao campo magnético e extritamente pequenos
	
Gabarito:
Diamagnetismo: é uma forma muito fraca de magnetismo que persiste somente durante a aplicação de um campo magnético externo, H. Os dipolos magnéticos induzidos são contrários ao campo magnético e estritamente pequenos. A permeabilidade magnética é ligeiramente inferior a 1 e a susceptibilidade magnética é negativa.
	
Fundamentação do(a) Professor(a): Resposta aceita.
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201307403694)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre a temperatura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta resistência a abrasão e polímeros de alta leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, muitas vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades semicondutoras, condutoras e isolantes.
Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente materiais semicondutores e isolantes.
		
	
	Madeira, borracha e água pura.
	
	Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
	
	Silício, Ferro, água pura.
	 
	Arseneto de Gálio, madeira e borracha.
	
	Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Fosfeto de Gálio.
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201307343066)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
		
	
	7,81 x 10-6 Ω.cm
	 
	4,75 x 10-6 Ω.cm
	
	3,21 x 10-6 Ω.cm
	
	6,45 x 10-6 Ω.cm
	
	3,95 x 10-6 Ω.cm
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201307403731)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir a forma  =0+ T+T2 , onde 0 , b e são constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no último caso citado.
		
	
	Elipse.
	
	Círculo.
	 
	Parábola.
	
	Hipérbole.
	
	Reta.
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201307403774)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
		
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201307403810)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Capacitância é uma grandeza física associada a dispositivos denominados de capacitores e que possuem a finalidade de armazenar carga. Do ponto de vista quantitativo, define-se capacitância, C, de um capacitor como a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V. No sistema internacional de unidades (SI), a capacitância é medida em Farad (F). Considerando o exposto, determine a opção correta.
		
	
	Um capacitor que tenha acumulado uma carga de 0,010C e que possui capacitância igual a 2F está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 0,05V
	 
	Um capacitor submetido a 120V e que tenha acumulado uma carga de 0,008C possui capacitância igual a 0,00007 F.
	
	Um capacitor que possui capacitância igual a 0,06F e está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 2V acumula uma carga de 0,003C.
	
	Dois capacitores idênticos submetidos respectivamente a diferenças de potencial iguais a 2V e V/2 terão 2C e 1C de carga respectivamente.
	
	A capacitância do capacitor sempre varia com a corrente elétrica do circuito, como mostra a expressão C=Q/V.
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201307820804)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Entre as diversas propriedades dos materiais elétricos, há duas que merecem especial relevância devido a aplicação das mesmas nos dispositivos elétricos do dia a dia: a ferroeletricidade e a piezoeletricidade. Com relação a estes dois tipos de propriedade, NÂO podemos afirmar:
		
	 
	Os materiais piezoelétricos são aqueles que transformam luz em energia elétrica.
	
	O carbeto de silício é um exemplo de material transdutor muito utilizadi em micrifones.
	 
	Os materiais ferroelétricos possuem alto custo, limitando o seu uso em Engenharia.
	
	O titanato de bário é o exemplo de um material ferroelétrico, que pode ser utilizado como material dielétrico em capacitores.
	
	Materiais ferroelétricos são materiais que possuem a capacidade de formação natural de dipolos elétricos, apresentando magnetização permanente.
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201307820809)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A população das redes locais de transmissão de dados (LAN), houve a necessidade de evolução tecnológicas em diversos nichos da eletro-eletrônica, originando diversos produtos tecnológicos. Entre estes produtos, encontram-se os cabos UTP. Com relação a estes cabos, só NÂO podemos afirmar que:
		
	
	O acrônimo UTP significa Unshielded Twisted Pair ¿ UTP ou Par Trançado sem Blindagem.
	
	Admitem velocidade de transmissão de 10 MBits a 100MBits.
	
	Nos cabos UTPs verifica-se também que quanto maior for a taxa de modulação, maior será o valor da atenuação do sinal com a distância percorrida.
	 
	Só admitem transmissão até 10Mbts.
	
	Os cabos UTP podem ser aplicados em redes locais com distância total de até 100m.
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201307343937)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Os diversos tipos de capacitores têm as seguintes características:
I. Os capacitores de mica são encontrados com valores altos de capacitância.
II. O capacitor de cerâmica suportatensões elevadas até 3 kV.
III. O capacitor eletrolítico de alumínio é utilizado em fontes de alimentação.
IV. Os capacitores de polyester são capacitores caros que podem funcionar em altas frequências.
V. O capacitor eletrolítico de alumínio é um capacitor de alta capacitância e não suporta tensões elevadas.
Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as:
		
	
	a. Somente a afirmação V.
	
	c. As afirmações I e V.
	
	b. As afirmações II e III.
	
	d. As afirmações I, II e IV.
	 
	e. As afirmações II, III e V.
	Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica.
Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
		
	
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
	
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201303218224)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que devem ser utilizados em diversas ocasiões, cada qual com sua especificidade.. No EPI de quem mexe com eletricidade, é fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o isolamento das mãos do operador em relação a um possível meio eletricamente carregado, pois se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada respiratória. Entre os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento elétrico semelhante ao da borracha, podemos citar:
 
		
	 
	Madeira, borracha, vidro e isopor.
	
	Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
	
	Silício, Ferro, água pura salgada.
	
	Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Cloreto de Sódio.
	 
	Isopor, madeira e água destilada e deionizada.
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201303299188)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados porém diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção CORRETA.
		
	
	Podemos estimar a resistência elétrica de um material conhecendo-se sua resistividade elétrica e a massa que o compõe.
	 
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser considerada infinita.
	
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende ao infinito.
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201303157593)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
		
	 
	3,65 x 10-6 Ω.cm
	
	7,12 x 10-6 Ω.cm
	
	6,13 x 10-6 Ω.cm
	 
	4,12 x 10-6 Ω.cm
	
	5,21 x 10-6 Ω.cm
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201303218265)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de fabricação de semicondutores de altíssima pureza e dopados com elementos como o Fósforo e o Boro. Atualmente, percebe-se que o processo de miniaturização de componentes eletrônicos tem seus limites; partes dos semicondutores estão se tornando tão finas que estão perdendo as características previstas em projeto, ou seja, aquilo que deveria apresentar maior resistência elétrica, não está se comportando desta forma. A atual expectativa é que a incipiente nanotecnologia venha a suprir às necessidades de maior miniaturização.
Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que:
		
	
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos de Silício
	
	Semicondutores intrínsecos são aqueles que possuem impurezas.
	 
	O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua mobilidade em um semicondutor extrínseco.
	
	Através do Efeito Hall determina-se que a mobilidade do elétron em um semicondutor submetido a uma diferença de potencial é próxima a velocidade da luz.
	
	A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro.
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201303218259)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
		
	
	Elipse.
	
	Círculo.
	 
	Reta.
	
	Hipérbole.
	
	Parábola.
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201303144573)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Qual é a principal característica dos materiais semicondutores?
		
	
	São somente supercondutores.
	
	São somente condutores
	 
	São condutores e isolantes.
	
	Não são condutores e isolantes.
 
	
	São somente isolantes
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201303299227)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz de Silício, cuja valência é 4, Si+4, promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste processo.
		
	
	O-2
	
	Be+2
	 
	P+5
	
	Ge+5
	
	Na+
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201303156342)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	
	120 mV
	
	640 mV
	 
	6,4 V
	
	1,2 V
	 
	64 mV
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201303218308)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A resistividade de um material expressa a resistência que este apresenta a passagem de correta elétrica. Apesar de estar relacionada a resistência elétrica R através da expressão =R.A/l, é uma constante do material e não varia com A (área da seção reta do condutor no formato cilíndrico) e nem l (comprimento do condutor), ou seja, quando aumentamos o comprimento, a resistência aumenta e quando aumentamos a área da seção reta, a resistência diminui, mantendo, desta forma, a resistividade constante. A resistividade varia, no entanto, com a temperatura do condutor. Considerando o exposto, marque a opção correta.
		
	 
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende à zero.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade tende à zero.
	
	A resistividade elétricade um material isolante é a mesma na terra, a 30oC,ou no Pólo Norte, a -30oC, pois é uma constante e depende apenas da natureza do mesmo.
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3)
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação:
		
	
	F=m.a
	
	V=R i.A/l
	
	V=N.i.E
	
	P=U.i
	 
	V=R.i
	
	
	
	
	Em 1827, Georg Simon Ohm (1787-1854), professor da Universidade de Munique, publicou em artigo a relação que mais tarde levaria seu nome, a Lei de Ohm. Contudo, foi somente nas décadas seguintes que o estudo adquiriu relevância e gerou outros conceitos como a condutividade e a resistividade (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 4).
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa o conceito de resistividade:
		
	
	F=m.a
	
	V=N.i.E
	 
	V=R i.A/l
	
	P=U.i
	 
	V=R.i
	
	
	
	
	Com relação a facilidade do transporte de carga elétrica, os materiais são classificados em condutores, semicondutores ou isolantes, ou seja, todos possuem uma maior ou menor facilidade resistência a passagem de corrente elétrica. Esta propriedade é denominada resistência elétrica e é designada por R.
Considerando um condutor cilíndrico com uma diferença de potencial aplicada em sua extremidade, pode-se enunciar que a resistência elétrica varia com o comprimento e com a área do objeto em questão. Considerando as idéias enunciadas anteriormente, assinale a opção que contém a expressão correta comumente utilizada no cálculo de parâmetros e variáveis elétricas de um material.
		
	 
	R=V/i
	 
	V=R i.A/l
	
	V=N.i.E.l
	
	P=U.i3
	
	F=m.a.l
	
	
	
	Considere que você tenha comprado um forno para tratamento térmico em metais e deseja instalá-lo. Sabendo que você não pode alterar o comprimento do fio a ser utilizado, considere a opção mais adequada ao contexto descrito anteriormente.
		
	
	Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que quanto menor esta área, menor a quantidade do material a ser utilizado e menor o custo da instalação, não importando a área da seção reta do fio utilizado.
	
	Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que este apresentará menor resistividade e, portanto, permitirá a fácil passagem de elétrons.
	
	Como a resistividade não varia com as dimensões do condutor, não importa a área da seção reta do fio a ser comprado e nem o seu volume.
	
	O fio que apresentar menor seção reta é o mais indicado, uma vez que quanto menor o volume para o trânsito dos elétrons, mais ordenados estes estarão na formação da corrente elétrica e mais rapidamente transitarão em seu interior.
	 
	Deverá ser comprado o fio de maior área de seção reta, uma vez que este apresentará menor resistência a passagem de elétrons e, portanto, apresentará menor perda energia por Efeito Joule (geração de calor).
	
	
	
	A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre a temperatura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta resistência a abrasão e polímeros de alta leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, muitas vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades semicondutoras, condutoras e isolantes.
Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente materiais semicondutores e isolantes.
		
	 
	Silício, Ferro, água pura.
	 
	Arseneto de Gálio, madeira e borracha.
	
	Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Fosfeto de Gálio.
	
	Madeira, borracha e água pura.
	
	Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
	
	
	
	
	Alunos do curso de Engenharia da UNESA realizaram um experimento básico representado na figura a seguir.
 
  
  
Entre os pontos A e B estabeleceram diversas diferenças de potencial, V, no condutor ôhmico designado por R, obtendo os valores de corrente, i, expressos na tabela a seguir.
 
	i (Ampère)
	2,60
	2,10
	2,00
	6,30
	V (volt)
	5,00
	4,30
	4,20
	12,60
 
Baseado nas informações anteriores, podemos concluir que a resistência do resistor ôhmico é melhor quantificada por.
 
 
		
	
	0,5 ohms
	
	0,75 ohms
	 
	2,0 ohms
	
	2,5 ohms
	
	1,6 ohms
	
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
		
	
	15,26 cm
	
	16,24 cm
	
	19,12 cm
	 
	18,27 cm
	
	20,15 cm
	
	
	
	
	A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, cuja linguagem principal é a Matemática.
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais.
		
	 
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material.
	
	Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron.
	
	Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material.
	
	Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de carga.
	
	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou extrínseco do tipo-n.
	
	
	
	
	Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos.
A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por =p.I e I.h, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10-19C, e .h é mobilidade dos buracos.
Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022/m3átomos de Boro, considerando h = 0,05m2/V.s
 
		
	 
	4 (ohm.m) -1
	
	50 (ohm.m) -1
 
	
	100 (ohm.m) -1
 
	
	200 (ohm.m) -1
 
	 
	400 (ohm.m) -1
 
	Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da quantidade de massa do corpo, enquanto as outras, não.
A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas intensivas da matéria, ou seja, não dependem da quantidade e da geometria do material em questão; porem, são afetadas por alguns fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores influenciam a resistividade e a condutividade elétrica de um condutor:
		
	
	Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica.
	
	Temperatura, pressão e impurezas.
	
	Temperatura, comprimento do condutor e pressão.
	
	Volume, comprimento do condutor e impurezas.
	 
	Temperatura,impureza e deformação mecânica.
	
	
	
	
	Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada por:
		
	 
	v=E.e
	
	=W.A/l
	
	v=s/t
	
	V=N.i.IpI.h
	
	V=R.i
	
	
	
	Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados porém diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção CORRETA.
		
	 
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser considerada infinita.
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende ao infinito.
	
	Podemos estimar a resistência elétrica de um material conhecendo-se sua resistividade elétrica e a massa que o compõe.
	
	Semicondutores modernos são constituídos de substratos de Silício nos quais são inseridos elementos com valências diferentes do próprio Silício, criando-se as variações conhecidas como semicondutores do tipo-p e semicondutores do tipo-n. A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh fornece a condutividade em função da carga do elétron (1,6 x 10 -19 C), onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3) e de µe e µh , que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), respectivamente. Considerando- se um semicondutor extrínseco de Silício, no qual a concentração de portadores de cargas positivas é muito maior que a concentração de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a expressão anterior para:
		
	 
	σ = P ІeІ µh.
	
	σ = N ІeІ (µe + µh).
	
	σ = 2 P ІeІ µh
	 
	A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de alterar-se gravemente a precisão da condutividade.
	
	σ = N ІeІ µh.
	
	
	
	A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de fabricação de semicondutores de altíssima pureza e dopados com elementos como o Fósforo e o Boro. Atualmente, percebe-se que o processo de miniaturização de componentes eletrônicos tem seus limites; partes dos semicondutores estão se tornando tão finas que estão perdendo as características previstas em projeto, ou seja, aquilo que deveria apresentar maior resistência elétrica, não está se comportando desta forma. A atual expectativa é que a incipiente nanotecnologia venha a suprir às necessidades de maior miniaturização.
Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que:
		
	
	A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro.
	 
	O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua mobilidade em um semicondutor extrínseco.
	
	Através do Efeito Hall determina-se que a mobilidade do elétron em um semicondutor submetido a uma diferença de potencial é próxima a velocidade da luz.
	
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos de Silício
	
	Semicondutores intrínsecos são aqueles que possuem impurezas.
	
	
	
	A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10-8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10-3  oC-1).
		
	 
	4,19 Ω
	
	4,35 Ω
	
	3,4 Ω
	
	6,8 Ω
	
	3,89 Ω
	
	
	
	
	A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
		
	 
	Reta.
	
	Parábola.
	
	Hipérbole.
	
	Círculo.
	
	Elipse.
	
	
	
	Do ponto de vista tecnológico,  a fabricação de transistores a partir de semicondutores dopados, foi estrategicamente decisivo para a evolução da eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como o Ouro e o Cobre, devido às precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um pesquisador da Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro metalúrgico, desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que:
		
	 
	A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
	
	Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores.
	
	A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores.
	
	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-n ou extrínseco do tipo-p.
	
	Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga negativas ou portadores de carga positivas.
	
	
	
	
	Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 (Ω.m)^(-1). Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 10^20 m^(-3) e que a mobilidade de buracos e elétrons nesse material são respectivamente 0,09 m^2/V.S e 0,28 m^2/V.S, a concentração de elétrons é:
		
	 
	618,57 x 10^19 m^-3
	
	541,05 x 10^19 m^-3
	 
	140,25 x 10^19 m^-3
	
	412,88 x 10^19 m^-3
	
	715,78 x 10^19 m^-3
	
Semicondutores extrínsecos são obtidos através da inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
		
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínsecode Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
	
	
	
	
	
	
	A quantidade de buracos e elétrons em um semicondutor é uma função da temperatura a que este é submetido. Baseado no gráfico a seguir, no qual no eixo horizontal tem-se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem-se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no gráfico deintrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013% (CALLISTER, WILLIAM D. Jr.Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
 
 
 
 
 
Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
 
		
	
	As condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos e intrínsecos nunca se igualam.
	
	A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco diminui acentuadamente com o aumento da temperatura.
	
	A 400oC aproximadamente, as condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos se igualam.
	 
	A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco aumenta acentuadamente com o aumento da temperatura.
 
	
	A uma dada temperatura, quanto menor a concentração de Boro, maior será a condutividade do semicondutor.
	
	
	
	
	O tipo de carga predominante e a concentração das mesmas em um semicondutor (elétrons ou buracos) pode ser determinada através de um experimento chamado Efeito Hall. Deste experimento, obtém-se a constante de Hall, RH, que, por sua vez, está relacionada a n, quantidade de elétrons por m3 do semicondutor, por  n=(RH I e I)-1, onde  l e l =1,6.10 -19C.
Considerando-se um corpo de prova feito de Alumínio, com RH=-3,16 . 10 -11, determine a quantidade aproximada de portadores de carga (em módulo) por m3.
		
	
	1,5 . 1026
	 
	20 . 1030
	 
	2,0 1029.
	
	20 . 1015
	
	1,5 . 1025
	
	
	
	
	Qual é a principal característica dos materiais semicondutores?
		
	
	Não são condutores e isolantes.
 
	
	São somente condutores
	 
	São condutores e isolantes.
	
	São somente isolantes
	
	São somente supercondutores.
	
	
	
	
	Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
		
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	
	
	
	O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento dos semicondutores extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das técnicas de produção desses semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de +4 na matriz do Silício.
Considerando a exposição anterior, PODEMOS afirmar que.
		
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com "buracos".
	 
	a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina um condutor extrínseco.
	 
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
	
	
	
	
	Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção que contem exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
		
	
	CERMET e filme de carbono
	
	cerâmica e fio enrolado
	
	fio enrolado e CERMET
	
	composição de carbono e plástico
	 
	filme de madeira (wood film) e filme de metal
	
	
	A resistividade de um material expressa a resistência que este apresenta a passagem de correta elétrica. Apesar de estar relacionada a resistência elétrica R através da expressão =R.A/l, é uma constante do material e não varia com A (área da seção reta do condutor no formato cilíndrico) e nem l (comprimento do condutor), ou seja, quando aumentamos o comprimento, a resistência aumenta e quando aumentamos a área da seção reta, a resistência diminui, mantendo, desta forma, a resistividade constante. A resistividade varia, no entanto, com a temperatura do condutor. Considerando o exposto, marque a opção correta.
		
	
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade tende à zero.
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	A resistividade elétrica de um material isolante é a mesma na terra, a 30oC,ou no Pólo Norte, a -30oC, pois é uma constante e depende apenas da natureza do mesmo.
	 
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende à zero.
	
	
	
	Capacitor é um sistema composto por dois condutores (chamados de armaduras ou de placas) separados por um dielétrico (isolante). Considera-se, de forma simplificada, que a carga deste sistema quando submetido a uma diferença de potencial é a carga em módulo de uma das placas, ou seja, se uma placa tem carga +Q e a outra possui carga ¿Q, dizemos que o capacitor tem cargaQ.
 
Considerando o exposto, indique a opção correta.
 
		
	 
	Em um sistema constituído de uma pessoa (o corpo é um condutor) sobre uma prancha de madeira que se encontra sobre um terreno (condutor), podemos dizer que se poderia formar um capacitor onde a pessoa e a terra seriam as armaduras do capacitor e a prancha seria o dielétrico.
	
	A borracha, o cerâmico genérico e o aço inoxidável são elementos tipicamente encontrados como dielétricos.
	
	A resistividade de um material dielétrico é da mesma ordem de grandeza que a resistividade de um material condutor.
	
	Um sistema constituído por duas placas condutoras paralelas submetidas a uma diferença de potencial e com vácuo entre elas não pode ser considerado um capacitor.
	
	A condutividade elétrica de um dielétrico deve ser alta, uma vez que deve haver condução de carga em seu interior.
	
	
	
	
	Capacitância é uma grandeza física associada a dispositivos denominados de capacitores e que possuem a finalidade de armazenar carga. Do ponto de vista quantitativo, define-se capacitância, C, de um capacitor como a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V. No sistema internacional de unidades (SI), a capacitância é medida em Farad (F). Considerando o exposto, determine a opção correta.
		
	 
	Um capacitor que possui capacitância igual a 0,06F e está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 2V acumula uma carga de 0,003C.
	
	A capacitância do capacitor sempre varia com a corrente elétrica do circuito, como mostra a expressão C=Q/V.
	
	Dois capacitores idênticos submetidos respectivamente a diferenças de potencial iguaisa 2V e V/2 terão 2C e 1C de carga respectivamente.
	 
	Um capacitor submetido a 120V e que tenha acumulado uma carga de 0,008C possui capacitância igual a 0,00007 F.
	
	Um capacitor que tenha acumulado uma carga de 0,010C e que possui capacitância igual a 2F está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 0,05V
	
	
	
	
	Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material dielétrico, como mostrado na figura a seguir. Considerando-se que  a capacitância, C, de um capacitor é a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V, assinale a opçãocorreta que fornece a capacitância do capacitor mostrado na figura.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
		
	
	C=Q0 / V
	
	0.
	
	Q0 = C. V
	 
	C=(Q0 + Q´) / V
	
	C=Q´/V.
	
	
	
	Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção com exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
		
	
	A composição de carbono produz um potenciômetro relativamente barato.
	 
	No filme de metal o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de metal sobre um substrato cerâmico, sendo o filme de metal o mais barato dos processos.
	
	No fio enrolado há limitação quanto a resolução e desempenho de ruído.
	
	No filme de carbono o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de carbono sobre um substrato ou base.
	
	No CERMET o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme composto de metal precioso e materiais cerâmicos.
	
	
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,5 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	
	0,97 cm2
	
	0,84 cm2
	
	0,72 cm2
	 
	0,53 cm2
	
	0,65 cm2
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 
	
	Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica.
Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
		
	
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
	
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	 
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
	
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
		
	
	
	 3a Questão (Ref
	
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	
	0,23 cm2
	 
	0,25 cm2
	
	0,19 cm2
	
	0,21 cm2
	 
	0,27 cm2
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201201878472)
	
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
		
	
	0,41 cm
	
	0,21 cm
	
	0,31 cm
	 
	0,01cm
	 
	0,11 cm
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201201878450)
	
	Na temperatura de 25oC mediu-se o valor da resistência de um resistor e obteve-se 12,2 Ω. O material do qual é feito o resistor apresenta um coeficiente de temperatura igual a 0,0042 oC-1. Determine o valor da nova resistência na temperatura de 60oC.
		
	
	11,65 ohms
	 
	15,82 ohms
	
	4,36 ohms
	 
	13,99 ohms
	
	9,23 ohms
		
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201201878467)
	
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	
	2,09 cm2
	
	4,09 cm2
	 
	0,09 cm2
	 
	1,09 cm2
	
	3,09 cm2
		
	1a Questão (Ref.: 201202020098)
	
	Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz de Silício, cuja valência é 4, Si+4, promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste processo.
		
	 
	Ge+5
	 
	P+5
	
	O-2
	
	Na+
	
	Be+2
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201201939178)
	
	A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica um fenômeno físico que pode fornecer esta informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
		
	
	Efeito Tcherenkov.
	
	Lei de Ohm.
	
	Efeito Joule.
	
	Efeito Fischer.
	 
	Efeito Hall.
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201201865444)
	
	Qual é a principal característica dos materiais semicondutores?
		
	
	São somente condutores
	 
	São condutores e isolantes.
	
	São somente supercondutores.
	
	São somente isolantes
	
	Não são condutores e isolantes.
 
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201201939146)
	
	Alguns componentes eletrônicos fazem uso de semicondutores extrínsecos e intrínsecos conjuntamente, sendo necessário que na temperatura de trabalho, o semicondutor intrínseco possua condutividade inferior a condutividade do extrínseco. No gráfico a seguir, no qual no eixo horizontal tem-se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem-se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no gráfico de intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013%. Baseado nestas informações, marque a opção correta. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
 
 
 
		
	
	A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco provavelmente apresentará problemas referentes a condutividade.
	 
	Em nenhuma temperatura exposta no gráfico, haverá problemas de inversão de condutividade elétrica.
	 
	A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco provavelmente funcionará sem problemas referentes a condutividade.
	
	A temperatura de 100oC, o componente eletrônico terá que ser montado utilizando-se somente os condutores extrínsecos mostrados no gráfico.
	
	A partir das informações expostas no gráfico, percebe-se que em todas as temperaturas a condutividade elétrica do semicondutor intrínseco é superior a dos semicondutores extrínsecos.
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201201939157)
	
	O tipo de carga predominante e a concentração das mesmas em um semicondutor (elétrons ou buracos) pode ser determinada através de um experimento chamado Efeito Hall. Deste experimento, obtém-se a constante de Hall, RH, que, por sua vez, está relacionada a n, quantidade de elétronspor m3 do semicondutor, por  n=(RH I e I)-1, onde  l e l =1,6.10 -19C.
Considerando-se um corpo de prova feito de Alumínio, com RH=-3,16 . 10 -11, determine a quantidade aproximada de portadores de carga (em módulo) por m3.
		
	 
	2,0 1029.
	
	1,5 . 1026
	
	20 . 1015
	
	20 . 1030
	
	1,5 . 1025
		
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201202025270)
	
	O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento dos semicondutores extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das técnicas de produção desses semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de +4 na matriz do Silício.
Considerando a exposição anterior, PODEMOS afirmar que.
		
	 
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina um condutor extrínseco.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com "buracos".
	 
	a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
		
	Capacitância é uma grandeza física associada a dispositivos denominados de capacitores e que possuem a finalidade de armazenar carga. Do ponto de vista quantitativo, define-se capacitância, C, de um capacitor como a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V. No sistema internacional de unidades (SI), a capacitância é medida em Farad (F). Considerando o exposto, determine a opção correta.
		
	
	Um capacitor que tenha acumulado uma carga de 0,010C e que possui capacitância igual a 2F está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 0,05V
	
	Dois capacitores idênticos submetidos respectivamente a diferenças de potencial iguais a 2V e V/2 terão 2C e 1C de carga respectivamente.
	
	Um capacitor que possui capacitância igual a 0,06F e está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 2V acumula uma carga de 0,003C.
	 
	Um capacitor submetido a 120V e que tenha acumulado uma carga de 0,008C possui capacitância igual a 0,00007 F.
	 
	A capacitância do capacitor sempre varia com a corrente elétrica do circuito, como mostra a expressão C=Q/V.
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201201877213)
	
	Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	
	640 mV
	 
	6,4 V
	
	1,2 V
	
	120 mV
	 
	64 mV
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201201939179)
	
	A resistividade de um material expressa a resistência que este apresenta a passagem de correta elétrica. Apesar de estar relacionada a resistência elétrica R através da expressão =R.A/l, é uma constante do material e não varia com A (área da seção reta do condutor no formato cilíndrico) e nem l (comprimento do condutor), ou seja, quando aumentamos o comprimento, a resistência aumenta e quando aumentamos a área da seção reta, a resistência diminui, mantendo, desta forma, a resistividade constante. A resistividade varia, no entanto, com a temperatura do condutor. Considerando o exposto, marque a opção correta.
		
	 
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende à zero.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade tende à zero.
	
	A resistividade elétrica de um material isolante é a mesma na terra, a 30oC,ou no Pólo Norte, a -30oC, pois é uma constante e depende apenas da natureza do mesmo.
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201201939205)
	
	Em uma experiência típica envolvendo eletricidade, consideram-se dois corpos, 1 e 2, suspensos por fios isolantes, aos quais foram fornecidas cargas elétricas iguais. Observa-se que o corpo 1 adquire carga em toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a carga concentrada no ponto de carregamento. Considerando as informações, escolha a alternativa correta:
		
	
	O corpo 1 trata-se de um isolante elétrico, enquanto o corpo 2 é um condutor elétrico.
	 
	Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de movimentação, enquanto no corpo 2, isso não ocorre.
	
	Provavelmente 1 e 2 são semicondutores.
	
	Provavelmente tanto o material 1 como o 2 são cerâmicos.
	
	A diferença entre um condutor e um isolante é que o primeiro pode ser carregado
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201201939211)
	
	Capacitores são dispositivos projetados para resisit carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material dielétrico, como mostrado na figura a seguir. Considerando-se que  a capacitância, C, de um capacitor é a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V, assinale a opçãocorreta que fornece a capacitância do capacitor mostrado na figura.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
		
	 
	C=(Q0 + Q´) / V
	
	Q0 = C. V
	
	0.
	 
	C=Q0 / V
	
	C=Q´/V.
		
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201201939206)
	
	Capacitor é um sistema composto por dois condutores (chamados de armaduras ou de placas) separados por um dielétrico (isolante). Considera-se, de forma simplificada, que a carga deste sistema quando submetido a uma diferença de potencial é a carga em módulo de uma das placas, ou seja, se uma placa tem carga +Q e a outra possui carga ¿Q, dizemos que o capacitor tem carga Q.
 
Considerando o exposto, indique a opção correta.
 
		
	
	A condutividade elétrica de um dielétrico deve ser alta, uma vez que deve haver condução de carga em seu interior.
	
	Um sistema constituído por duas placas condutoras paralelas submetidas a uma diferença de potencial e com vácuo entre elas não pode ser considerado um capacitor.
	
	A borracha, o cerâmico genérico e o aço inoxidável são elementos tipicamente encontrados como dielétricos.
	 
	Em um sistema constituído de uma pessoa (o corpo é um condutor) sobre uma prancha de madeira que se encontra sobre um terreno (condutor), podemos dizer que se poderia formar um capacitor onde a pessoa e a terra seriam as armaduras do capacitor e a prancha seria o dielétrico.
	
	A resistividade de um material dielétrico é da mesma ordem de grandeza que a resistividade de um material condutor.
		
		Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos.
A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por=p.I e I.h, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10-19C, e .h é mobilidade dos buracos.
Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022/m3 átomos de Boro, considerando h = 0,05m2/V.s
 
	
	Quest.: 1
	
	
	
	
	
	
	200 (ohm.m) -1
 
	
	 
	4 (ohm.m) -1
	
	
	100 (ohm.m) -1
 
	
	
	50 (ohm.m) -1
 
	
	 
	400 (ohm.m) -1
 
	
	
	
		2.
		Materiais cristalinos são aqueles que apresentam