Avaliando aprendizado Materiais Elétricos

Prévia do material em texto

1a Questão (Ref.: 201408321092) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os 
Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que devem ser utilizados em diversas 
ocasiões, cada qual com sua especificidade.. No EPI de quem mexe com eletricidade, é 
fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o 
isolamento das mãos do operador em relação a um possível meio eletricamente 
carregado, pois se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada 
respiratória. Entre os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento 
elétrico semelhante ao da borracha, podemos citar: 
 
 
 
Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Cloreto de Sódio. 
 
Cobre, Ouro, Prata e Níquel. 
 Isopor, madeira e água destilada e deionizada. 
 Madeira, borracha, vidro e isopor. 
 
Silício, Ferro, água pura salgada. 
 
 2a Questão (Ref.: 201408260459) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm na forma de 
um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,5 metros e uma área da seção 
reta do fio igual a 0,4 mm2. 
 
 
2,22 ohms 
 
4,44 ohms 
 1,11 ohms 
 
0,99 ohms 
 
3,33 ohms 
 
 3a Questão (Ref.: 201408401999) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Após completar a disciplina Materiais Elétricos, você compreende os parâmetros que determinam a resistência 
elétrica de um material. Desta forma, desejando aumentar a resistência elétrica de uma bobina em 20% através 
da diminuição da seção reta do condutor que a compõe (mantendo-se o comprimento do fio), expresse a 
diminuição porcentual da nova seção reta em relação a seção reta original. 
 
 
18% 
 
12% 
 
25% 
 
15% 
 16,7% 
 
4a Questão (Ref.: 201408402032) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de 
resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar: 
 
 
Somente resistência elétrica varia com a temperatura. 
 
Somente resistividade elétrica varia com a temperatura. 
 
Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor. 
 Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor. 
 
A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear. 
 
 5a Questão (Ref.: 201408260469) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja 
resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do 
comprimento deste fio. 
 
 
0,41 cm 
 
0,21 cm 
 
0,01cm 
 
0,31 cm 
 0,11 cm 
 
 6a Questão (Ref.: 201408260466) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja 
resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção 
reta deste fio. 
 
 0,27 cm2 
 0,25 cm2 
 0,21 cm2 
 0,19 cm2 
 0,23 cm2 
 
 7a Questão (Ref.: 201408260464) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja 
resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da 
seção reta deste fio. 
 
 3,09 cm2 
 4,09 cm2 
 0,09 cm2 
 1,09 cm2 
 2,09 cm2 
 
8a Questão (Ref.: 201408407265) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os 
conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. 
Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar: 
 
 Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor. 
 
A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear. 
 
Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor. 
 
Somente resistência elétrica varia com a temperatura. 
 
Somente resistividade elétrica varia com a temperatura. 
 
 1a Questão (Ref.: 201408260463) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de 
seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a 
ser utilizado. 
 
 6,45 x 10-6 Ω.cm 
 3,21 x 10-6 Ω.cm 
 4,75 x 10-6 Ω.cm 
 7,81 x 10-6 Ω.cm 
 3,95 x 10-6 Ω.cm 
 
 2a Questão (Ref.: 201408260467) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja 
resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do 
comprimento deste fio. 
 
 
8,33 cm 
 5,33 cm 
 
4,33 cm 
 
7,33 cm 
 
6,33cm 
 
 3a Questão (Ref.: 201408260462) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 
0,38 mm2 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado. 
 
 1,22x 10-6 Ω.cm 
 1,11 x 10-6 Ω.cm 
 1,88x 10-6 Ω.cm 
 1,44 x 10-6 Ω.cm 
 0,99 x 10-6 Ω.cm 
 
 4a Questão (Ref.: 201408260460) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm na forma de 
um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção 
reta do fio igual a 0,38 mm2. 
 
 
399,9 mili ohms 
 347,4 mili ohms 
 
376,38 mili ohms 
 
384,2 mili ohms 
 
354,6 mili ohms 
 
 5a Questão (Ref.: 201408260468) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja 
resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do 
comprimento deste fio. 
 
 
16,24 cm 
 
20,15 cm 
 18,27 cm 
 
15,26 cm 
 
19,12 cm 
 
 6a Questão (Ref.: 201408321113) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação 
atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou 
cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma 
estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não 
retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, 
criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor 
expressão é dada por: 
 
 
V=R.i 
 
V=N.i.IpI.h 
 
=W.A/l 
 v=s/t 
 v=E.e 
 
 7a Questão (Ref.: 201408402056) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados porém 
diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa 
e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua 
geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto,marque a opção 
CORRETA. 
 
 
Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade. 
 
Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões. 
 À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser 
considerada infinita. 
 
Podemos estimar a resistência elétrica de um material conhecendo-se sua resistividade elétrica e a 
massa que o compõe. 
 
À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende ao 
infinito. 
 
8
a
 Questão (Ref.: 201408260458) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 1,6 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio 
cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 
mm2. 
 
 
13 mili ohms 
 
10 mili ohms 
 12 mili ohms 
 
14 mili ohms 
 
11 mili ohms 
 
1a Questão (Ref.: 201408402084) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor 
que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que 
aumenta amplitude de vibração dos mesmos. Quando estabelecemos um campo elétrico através do mesmo, os 
elétrons livres colidem com a estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional. 
Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vibração se 
transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta freqüência e energia 
quantizada denominada de fônon. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering: An 
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20). Com relação ao exposto, podemos afirmar que: 
 
 
Em um isolante a energia cinética dos elétrons tende ao infinito. 
 
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e isolante quando 
submetidos a mesma diferença de potencial. 
 Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor campo elétrico de 
mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. 
 
Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero. 
 
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material isolante sob campo elétrico de 
mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. 
 
2a Questão (Ref.: 201408321553) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Materiais cristalinos possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede 
tridimensional que se repete através de seu volume. Esta estrutura, aliada aos defeitos 
microestruturais que porventura se originam no processo de fabricação, não permitem o 
deslocamento retilíneo dos elétrons livres quando submetidos a um campo elétrico. Para 
descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou-se o 
conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.e, 
onde E é a intensidade do campo elétrico e e é a mobilidade elétrica do elétron. 
Uma conseqüência da interação entre os defeitos da rede cristalina e os elétrons é: 
 
 Geração de calor. 
 
Aumento da aceleração eletrônica. 
 
Diminuição da resistência elétrica do material 
 
Deformação mecânica do material. 
 
Aumento da resistividade elétrica do material. 
 
 3
a
 Questão (Ref.: 201408321127) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende 
da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta 
propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a 
resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes. 
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a 
variação da resistividade com a temperatura. 
 
 
Círculo. 
 Reta. 
 
Parábola. 
 
Elipse. 
 
Hipérbole. 
 
 4a Questão (Ref.: 201408321133) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de fabricação de 
semicondutores de altíssima pureza e dopados com elementos como o Fósforo e o Boro. 
Atualmente, percebe-se que o processo de miniaturização de componentes eletrônicos 
tem seus limites; partes dos semicondutores estão se tornando tão finas que estão 
perdendo as características previstas em projeto, ou seja, aquilo que deveria apresentar 
maior resistência elétrica, não está se comportando desta forma. A atual expectativa é que 
a incipiente nanotecnologia venha a suprir às necessidades de maior miniaturização. 
Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que: 
 
 
Através do Efeito Hall determina-se que a mobilidade do elétron em um semicondutor submetido a 
uma diferença de potencial é próxima a velocidade da luz. 
 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos de 
Silício 
 
Semicondutores intrínsecos são aqueles que possuem impurezas. 
 
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas 
somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro. 
 O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua mobilidade em um 
semicondutor extrínseco. 
 
5a Questão (Ref.: 201408321131) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na rede cristalina do Silício de alta pureza é 
através da evaporação dos elementos de interesse em adequadas câmaras de vácuo, 
técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955. (MEYER HERBERT W., A History 
of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17). 
 
Com relação aos semicondutores é correto afirmar que: 
 
 
A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução 
denominadas dopagem. 
 
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas 
somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro. 
 
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em 
um material. 
 Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas. 
 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, 
sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema. 
 
 6a Questão (Ref.: 201408321609) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Além da forma vibracional que se propaga através da rede cristalina interligada, o calor 
pode também se manifestar através da vibração de elétrons. Isto ocorre, contudo, 
somente em relação aos elétrons livres e não relação aos eletros da banda de valência, 
uma vez que estes últimos encontram-se fortemente ligados aos átomos. Esta vibração 
dos elétrons (também é uma forma calor) contribui de maneira menos significativa para o 
aumento da capacidade térmica, mas pode alterar a corrente elétrica produzida por uma 
diferença de potencial, tornando a condução mais difícil. 
Com relação a produção de calor, selecione a opção correta: 
 
 
A utilização de alumínio puro e sem impurezas na fabricação de um resistor aumenta a dissipação de 
calor, se comparado com um resistor de alumínio altamente encruado (deformado) 
 
A vibração da rede cristalina que compõe um material é essencial para a resistência a passagem de 
elétrons e a conseqüente produção de calor, principalmente a baixas temperaturas. 
 
Deve-se adotar para compor o resistorde um chuveiro um material que não tenha sofrido qualquer tipo 
de deformação mecânica. 
 A presença de defeitos na rede atômica que compõe o material colabora para a produção de calor. 
 
A presença de impurezas em um material colabora para a diminuição da resistência a passagem de 
corrente elétrica e, portanto, colabora negativamente a produção de calor. 
 
 7a Questão (Ref.: 201408321130) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Do ponto de vista tecnológico, a fabricação de transistores a partir de semicondutores 
dopados, foi estrategicamente decisivo para a evolução da eletrônica moderna. Os 
primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como 
o Ouro e o Cobre, devido às precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi 
somente em 1954, que um pesquisador da Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro 
metalúrgico, desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes 
materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, 
Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17). 
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que: 
 
 
Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga negativas 
ou portadores de carga positivas. 
 A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas. 
 
Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores. 
 
A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores. 
 
A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-n ou extrínseco do 
tipo-p. 
 
 8a Questão (Ref.: 201408321122) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Semicondutores modernos são constituídos de substratos de Silício nos quais são 
inseridos elementos com valências diferentes do próprio Silício, criando-se as variações 
conhecidas como semicondutores do tipo-p e semicondutores do tipo-n. A expressão σ = 
N ІeІ µe + P ІeІ µh fornece a condutividade em função da carga do elétron (1,6 x 10 
-19 C), 
onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de 
cargas/m3) e de µe e µh , que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos 
(m2/V m), respectivamente. Considerando- se um semicondutor extrínseco de Silício, no 
qual a concentração de portadores de cargas positivas é muito maior que a concentração 
de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a expressão anterior para: 
 
 
A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob 
pena de alterar-se gravemente a precisão da condutividade. 
 σ = P ІeІ µh. 
 
σ = N ІeІ µh. 
 σ = N ІeІ (µe + µh). 
 
σ = 2 P ІeІ µh 
 
 1a Questão (Ref.: 201408321135) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
A quantidade de buracos e elétrons em um semicondutor é uma função da temperatura a 
que este é submetido. Baseado no gráfico a seguir, no qual no eixo horizontal tem-se 
temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem-
se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de 
Silício, denominado no gráfico de intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com 
concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013% (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials 
Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
 
 
Baseado no gráfico, podemos afirmar que: 
 
 
 
A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco diminui acentuadamente com o aumento da 
temperatura. 
 
As condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos e intrínsecos nunca se igualam. 
 A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco aumenta acentuadamente com o 
aumento da temperatura. 
 
 
A uma dada temperatura, quanto menor a concentração de Boro, maior será a condutividade do 
semicondutor. 
 
A 400oC aproximadamente, as condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos se igualam. 
 
2a Questão (Ref.: 201408743109) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 (Ω.m)-1. Sabendo que a 
concentração de buracos é de 2 x 1020 m-3 e que a mobilidade de buracos e elétrons nesse material são respectivamente 0,09 
m2/V.S e 0,28 m2/V.S, a concentração de elétrons é: 
 
 618,57 x 10
19
 m
-3
 
 
140,25 x 1019 m-3 
 
412,88 x 1019 m-3 
 
715,78 x 1019 m-3 
 
541,05 x 1019 m-3 
 
 3a Questão (Ref.: 201408321152) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Dos componentes eletrônicos que sugiram entre 1940 e 1950, talvez o transistor seja o 
mais utilizado; consiste de um componente microeletrônico fabricado com semicondutores 
intrínsecos e extrínsecos e utilizado na amplificação de sinais, substituindo o seu 
precursor da era das válvulas, o triodo. Nos primeiros anos da década de 50, os 
transistores eram fabricados com Silício, Gálio e Germânio, sendo este último abandonado 
em decorrência do melhor desempenho atingido com os transistores de Silício. 
Considerando que a mobilidade elétrica dos portadores de carga e a condutividade elétrica 
de um semicondutor estão relacionadas por =n.l e l.e, calcule a condutividade de um 
semicondutor de Silício dopado com 1023 átomos por m3 de Fósforo, sabendo-se que l e l 
=1,6.10 -19C e .e = 0,14m
2/V.s. 
 
 
2.000 (ohm.m) -1 
 
2.500 (ohm.m) -1 
 2.240 (ohm.m) 
-1 
 
1.500 (ohm.m) -1 
 
11,43 (ohm.m) -1 
 
 4a Questão (Ref.: 201408321171) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se 
originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os 
semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas 
obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, 
WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, 
USA, 1997, Chapter 19). 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta. 
 
 
 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 
 A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. 
 
5a Questão (Ref.: 201408260450) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Mediu-se um valor de resistência igual a 5,66 mΩ na temperatura de 70oC. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura 
do material utilizado é igual a 0,0036 oC-1, determine o valor da resistência esperada na temperatura de 25oC. 
 
 
6,57 ohms 
 4,87 ohms 
 
5,43 ohms 
 
5,41miliohms 
 
7,46 ohms 
 
6a Questão (Ref.: 201408321173) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de 
elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na 
forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores 
tipo-n. 
 (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John 
Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta. 
 
 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 
 A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. 
 
 7a Questão (Ref.: 201408402095) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando 
assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz 
de Silício, cuja valência é 4, Si+4, promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado 
nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste 
processo. 
 
 
Be+2 
 
O-2 
 
Na+ 
 
Ge+5 
 P+5 
 
 8a Questão (Ref.: 201408321154) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
O tipo de carga predominante e a concentração das mesmas em um semicondutor 
(elétrons ou buracos) pode ser determinada através de um experimento chamado Efeito 
Hall. Deste experimento, obtém-se a constante de Hall, RH, que, por sua vez, está 
relacionada a n, quantidade de elétrons por m3 do semicondutor, por n=(RH I e I)
-1
, onde l 
e l =1,6.10 -19C. 
Considerando-se um corpo de prova feito de Alumínio, com RH=-3,16 . 10 
-11, determine a 
quantidade aproximada de portadores de carga (em módulo) por m3. 
 
 
20 . 10
15 
 20 . 1030 
 
1,5 . 10
26 
 
1,5 . 10
25 
 2,0 1029. 
 
 1a Questão (Ref.: 201408321203) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Capacitor é um sistema composto por dois condutores (chamados de armaduras ou de 
placas) separados por um dielétrico (isolante). Considera-se, de forma simplificada, que a 
carga deste sistema quando submetido a uma diferença de potencial é a carga em módulo 
de uma das placas, ou seja, se uma placa tem carga +Q e a outra possui carga ¿Q, 
dizemos que o capacitor tem carga Q. 
 
Considerando o exposto, indique a opção correta. 
 
 
 Em um sistema constituído de uma pessoa (o corpo é um condutor) sobre uma prancha de madeira 
que se encontra sobre um terreno (condutor), podemos dizer que se poderia formar um capacitor onde 
a pessoa e a terra seriam as armaduras do capacitor e a prancha seria o dielétrico. 
 
Um sistema constituído por duas placas condutoras paralelas submetidas a uma diferença de potencial 
e com vácuo entre elas não pode ser considerado um capacitor. 
 
A condutividade elétrica de um dielétrico deve ser alta, uma vez que deve haver condução de carga em 
seu interior. 
 
A resistividade de um material dielétrico é da mesma ordem de grandeza que a resistividade de um 
material condutor. 
 
A borracha, o cerâmico genérico e o aço inoxidável são elementos tipicamente encontrados como 
dielétricos. 
 
2a Questão (Ref.: 201408262368) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
O Isolante tem a função de isolação entre o condutor interno e externo, porém esta é uma visão simplificada do 
que acontece na transmissão de um sinal. Qual das alternativas abaixo é a aquela totalmente incorreta no que 
tange a conformidade com o texto? 
 
 
Na transmissão de um sinal devemos lembrar que o "sinal" não é formado apenas pela corrente elétrica 
que ocorre devido a aplicação de um determinado nível de tensão nos condutores interno e externo. 
 
A isolação é importante, e, para que tenhamos certeza sob a qualidade desta isolação devemos levar o 
material a laboratório e submetê-lo a testes apropriados para verificarmos suas características. 
 
Além da corrente elétrica, também deve ser considerado o campo elétrico e magnético que se 
estabelece na isolação em função desta corrente e nível de tensão. 
 
Muitas vezes uma simples inspeção visual do cabo que desejamos adquirir pode nos indicar alguma 
informação sobre a qualidade do mesmo. 
 Este meio a qual chamamos simplesmente de isolação não tem grande importância na qualificação de 
um cabo coaxial, além daquela de isolar os codutores internos e externos. 
 
 3a Questão (Ref.: 201408260477) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Deseja-se construir um capacitor de 1,2 nF utilizando-se duas placas paralelas espaçadas de 0,2 mm. O valor 
da constante dielétrica do material utilizado é 2,26. Determine a área de cada uma das placas a serem 
utilizadas. 
 
 120 cm2 
 180 cm2 
 160 cm2 
 140 cm2 
 100 cm2 
 
 4a Questão (Ref.: 201408260472) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Um capacitor é constituído por duas placas paralelas com 12 cm2 de área cada uma, espaçadas de 0,1 mm 
por um material cuja constante dielétrica é igual a 5. Determine o valor da capacitância assim obtida. 
 
 
821 pF 
 
456 pF 
 
745 pF 
 
615 pF 
 531 pF 
 
 5a Questão (Ref.: 201408261061) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Um capacitor com dielétrico de ar possui um valor de 0,025 F. Quando este capacitor é 
mergulhado em óleo de transformador sua capacitância passa a ser de 0,08 F. Qual a 
constante dielétrica do óleo do transformador? 
 
 c) Єr = 0,31. 
 d) Єr = 3,2. 
 e) Єr = 3,1. 
 a) Єr = 0,32. 
 b) Єr = 8,85 x 10-12. 
 
 6a Questão (Ref.: 201408259210) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é 
percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. 
Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m. 
 
 
6,4 V 
 64 mV 
 
1,2 V 
 
640 mV 
 
120 mV 
 
 7a Questão (Ref.: 201408247446) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De 
que modo esta dependência é explicitada? 
 
 Linear 
 Trigonométrica 
 Exponencial 
 
 Logarítmica 
 Quadrática 
 
 8a Questão (Ref.: 201408174395) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 
 
Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta-se 
um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio restante para 75 graus Celsius, verifica-se que a 
resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- 
3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio. 
 
 
12 m 
 
15 m 
 
10 m 
 
5 m 
 13,5 m